SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
R0964LC12D IXYS R0964LC12D -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK R0964 W10 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-R0964LC12D Ear99 8541.30.0080 6 1 a 1.2 kV 1971 a 3 V 10800a @ 50Hz 300 MA 1.96 v 964 a 70 MA 标准恢复
IXFP76N15T2 IXYS IXFP76N15T2 5.1000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP76 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 76A（TC） 10V 20mohm @ 38a，10v 4.5V @ 250µA 97 NC @ 10 V ±20V 5800 pf @ 25 V - 350W（TC）
VBO72-08NO7 IXYS VBO72-08NO7 36.1120
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-D VBO72 标准 PWS-D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 482102 Ear99 8541.10.0080 10 1.08 V @ 30 A 100 µA @ 800 V 72 a 单相 800 v
IXTA220N055T7 IXYS IXTA220N055T7 -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta220 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 220A（TC） 10V 4mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 158 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 25 V - 430W（TC）
IXFC74N20P IXYS IXFC74N20P -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 ixys Polarht™HiperFet™ 盒子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC74N20 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 35A（TC） 10V 36mohm @ 37a，10v 5V @ 4mA 107 NC @ 10 V ±20V 3300 PF @ 25 V - 120W（TC）
IXTA8N50P IXYS ixta8n50p -
RFQ
 ECAD 7404 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta8 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 8A（TC） 10V 800MOHM @ 4A，10V 5.5V @ 100µA 20 nc @ 10 V ±30V 1050 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTV280N055T IXYS IXTV280N055T -
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 ixtv280 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 280a（TC） 10V 3.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 9800 PF @ 25 V - 550W（TC）
MDD950-16N1W IXYS MDD950-16N1W -
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDD950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P 7.0187
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH22 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 22a（TC） 10V 350MOHM @ 11A，10V 5.5V @ 4mA 58 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 400W（TC）
SJ6012D1TP IXYS SJ6012D1TP 2.1600
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 ixys SJXX12XX 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SJ6012 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-SJ6012D1TP Ear99 8541.30.0080 750 15 ma 600 v 12 a 1.5 v 100a，120a 6 ma 1.6 v 7.6 a 10 µA 标准恢复
IXFQ50N60P3 IXYS IXFQ50N60P3 10.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ50 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 50A（TC） 10V 145mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 94 NC @ 10 V ±30V 6300 PF @ 25 V - 1040W（TC）
W1411LC360 IXYS W1411LC360 -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，B-PUK W1411 标准 W4 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W1411LC360 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 3600 v 2 V @ 2870 A 30 ma @ 3600 V -55°C〜160°C 1411a -
VUI9-06N7 IXYS VUI9-06N7 -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VUI9 标准 Eco-PAC1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.8 V @ 10 A 50 µA @ 1200 V 15 a PFC模块） 1.2 kV
DMA200YA1600NA IXYS DMA200YA1600NA 26.1170
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 ixys DMA200YA1600NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DMA200 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA200YA1600NA Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2对公共阳极 1600 v 200a 1.23 V @ 70 A 50 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
IXTN36N50 IXYS IXTN36N50 -
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixtn36 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 36a（TC） - 4V @ 20mA - 400W（TC）
MCMA700P1600NCA IXYS MCMA700P1600NCA 244.4100
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 组合 MCMA700 系列连接 -scr - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-MCMA700P1600NCA Ear99 8541.30.0080 3 300 MA 1.6 kV 1100 a 2 v 19000a，20500a 300 MA 700 a 2 scr
IXFR12N100 IXYS IXFR12N100 -
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR12 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A（TC） 1.1OHM @ 6A，10V 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V 2900 PF @ 25 V - -
IXFR32N50Q IXYS IXFR32N50Q -
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR32 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 160mohm @ 16a，10v 4.5V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 3950 pf @ 25 V - 310W（TC）
IXTP54N30T IXYS IXTP54N30T -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp54 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 54A（TC） - - - -
IXBT42N170 IXYS IXBT42N170 30.8200
RFQ
 ECAD 1718年 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT42 标准 360 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.32 µs - 1700 v 80 a 300 a 2.8V @ 15V，42a - 188 NC -
IXTA48P05T IXYS ixta48p05t 4.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta48 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 50 V 48A（TC） 10V 30mohm @ 24a，10v 4.5V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±15V 3660 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTY4N60P IXYS IXTY4N60P -
RFQ
 ECAD 8881 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty4 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 600 v 4A（TC） 10V 2ohm @ 2a，10v 5.5V @ 100µA 13 NC @ 10 V ±30V 635 pf @ 25 V - 89W（TC）
VUO160-16NO7 IXYS VUO160-16NO7 73.3300
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VUO160 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VUO16016NO7 Ear99 8541.10.0080 5 1.1 V @ 60 A 200 µA @ 1600 V 175 a 三期 1.6 kV
IXTA150N15X4-7 IXYS IXTA150N15X4-7 13.7900
RFQ
 ECAD 9311 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta150 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 150a（TC） 10V 6.9MOHM @ 75A，10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 480W（TC）
MDC501-14IO1 IXYS MDC501-14IO1 -
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 - 底盘安装 WC-500 MDC501 系列连接 -SCR/二极管 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1.4 kV - 1 sc，1二极管
QJ6025RH4TP IXYS QJ6025RH4TP 6.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys QJXX25XHX 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 QJ6025 TO-220 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-QJ6025RH4TP Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 标准 600 v 25 a 1.3 v 208a，250a 35 MA
MIAA15WE600TMH IXYS MIAA15WE600TMH -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Minipack2 MIAA15W 80 W 单相桥梁整流器 Minipack2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 20 三期逆变器 npt 600 v 23 a 2.5V @ 15V，15a 600 µA 是的 700 pf @ 25 V
IXTP36N30P IXYS IXT36N30P 5.0200
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 ixys Polarht™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp36 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 36a（TC） 10V 110MOHM @ 18A，10V 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTY08N100P-TRL IXYS IXTY08N100P-TRL 1.7674
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXTY08 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty08n100p-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 1000 v 800mA（TC） 10V 20ohm @ 400mA，10v 4V @ 50µA 11.3 NC @ 10 V ±20V 240 pf @ 25 V - 42W（TC）
IXFV22N60PS IXYS IXFV22N60PS -
RFQ
 ECAD 3214 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXFV22 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 22a（TC） 10V 350MOHM @ 11A，10V 5.5V @ 4mA 58 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 400W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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