SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C NTC热敏电阻
DSAI17-16A IXYS DSAI17-16A -
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 DSAI17 雪崩 do-203aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.36 V @ 55 A 4 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 25a -
IXTP1R4N120P IXYS ixtp1r4n120p 5.6300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp1 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 1.4A（TC） 10V 13ohm @ 500mA，10v 4.5V @ 100µA 24.8 NC @ 10 V ±20V 666 pf @ 25 V - 86W（TC）
IXFH110N15T2 IXYS IXFH110N15T2 7.2910
RFQ
 ECAD 7489 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH110 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 110A（TC） 10V 13mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 8600 PF @ 25 V - 480W（TC）
DSA90C200HB IXYS DSA90C200HB -
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA90C200 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 45a 960 MV @ 45 A 900 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
QJ8035NH4RP IXYS QJ8035NH4RP 6.8100
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 ixys QJXX35XH4 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB QJ8035 TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 500 单身的 60 ma 替代者 -无用 800 v 35 a 1 V 290a，350a 35 MA
IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3 6.7100
RFQ
 ECAD 452 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH36 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixgh36n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，5ohm，15V pt 600 v 92 a 200 a 1.8V @ 15V，30a 540µJ（在）上，800µJ（（） 80 NC 19NS/125NS
IXTP44N10T IXYS IXTP44N10T 1.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp44 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 44A（TC） 10V 30mohm @ 22a，10v 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 V ±30V 1262 PF @ 25 V - 130W（TC）
DSAI35-16A IXYS DSAI35-16A -
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 DSAI35 雪崩 do-203ab 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSAI3516A Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.55 V @ 150 A 4 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 49a -
IXFP18N65X3 IXYS IXFP18N65X3 5.0984
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFP18 - 238-ixfp18n65x3 50
IXTN170P10P IXYS IXTN170P10P 38.8500
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXTN170 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7850284 Ear99 8541.29.0095 10 P通道 100 v 170a（TC） 10V 12mohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 240 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 890W（TC）
MCMA110PD1800TB IXYS MCMA110PD1800TB 33.8006
RFQ
 ECAD 3768 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA110 系列连接 -SCR/二极管 下载 238-MCMA110PD1800TB Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.8 kV 170 a 1.5 v 1900a，2050a 150 ma 110 a 1 sc，1二极管
IXFK220N17T2 IXYS IXFK220N17T2 14.5100
RFQ
 ECAD 464 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK220 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 170 v 220A（TC） 10V 6.3mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 500 NC @ 10 V ±20V 31000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTA10P50P IXYS ixta10p50p 6.9500
RFQ
 ECAD 4023 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta10 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 500 v 10A（TC） 10V 1欧姆 @ 5A，10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 25 V - 300W（TC）
GMM3X60-015X2-SMD IXYS GMM3X60-015x2-SMD -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 ISOPLUS-DIL™ GMM3x60 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 13 6 n通道（3相桥） 150V 50a 24mohm @ 38a，10v 4.5V @ 1mA 97NC @ 10V 5800pf @ 25V -
DPG10IM300UC-TUB IXYS DPG10IM300UC-TUB 1.6449
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DPG10IM300 标准 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DPG10IM300UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.27 V @ 10 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 10a 15pf @ 150V，1MHz
IXFQ26N50Q IXYS IXFQ26N50Q -
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ26 MOSFET （金属 o化物） to-3p - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 26a（TC） - - - -
DSEI19-06AS-TRL IXYS DSEI19-06AS-TRL 2.2795
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 ixys 弗雷德 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSEI19 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 16 A 50 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 20a -
IXFK60N55Q2 IXYS IXFK60N55Q2 -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK60 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 550 v 60a（TC） 10V 88mohm @ 30a，10v 4.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 7300 PF @ 25 V - 735W（TC）
GWM120-0075P3-SMD IXYS GWM120-0075P3-SMD -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM120 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 75V 118a 5.5MOHM @ 60a，10V 4V @ 1mA 100NC @ 10V - -
MWI451-17E9 IXYS MWI451-17E9 -
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 - MWI451 - - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - 不
IXFT140N10P IXYS IXFT140N10P 11.2400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT140 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 140a（TC） 10V 11mohm @ 70a，10v 5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4700 PF @ 25 V - 600W（TC）
VHF28-08IO5 IXYS VHF28-08IO5 24.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-fa VHF28 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VHF2808IO5 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 v 1 V 300A，330a 65 ma 28 a 2 scr，2个二极管
IXTH130N15X4 IXYS IXTH130N15X4 13.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH130 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 130a（TC） 10V 8.5MOHM @ 70A，10V 4.5V @ 250µA 87 NC @ 10 V ±20V 4770 pf @ 25 V - 400W（TC）
DSP8-12A IXYS DSP8-12A 2.9000
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 DSP8 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSP812A Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 11a 1.15 V @ 7 A 5 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
DAA200XA1800NA IXYS DAA200XA1800NA 30.9190
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 ixys DAA200XA1800NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DAA200 雪崩 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-DAA200XA1800NA Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1800 v 100a 1.24 V @ 100 A 200 µA @ 1800 V -40°C〜150°C
DSA15IM200UC-TRL IXYS DSA15IM200UC-TRL 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DSA15IM200 肖特基 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 940 mv @ 15 A 250 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 15a 67pf @ 24V，1MHz
MDD950-18N1W IXYS MDD950-18N1W -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDD950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1800 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P 34.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 39A（TC） 10V 190mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 12000 PF @ 25 V - 694W（TC）
DPG60I400HA IXYS DPG60I400HA 6.3200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DPG60I400 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.47 V @ 60 A 45 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 60a -
IXFN40N90P IXYS IXFN40N90P 42.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN40 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 33A（TC） 10V 210mohm @ 20a，10v 6.5V @ 1mA 230 NC @ 10 V ±30V 14000 PF @ 25 V - 695W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭