SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXGH50N60C4 IXYS IXGH50N60C4 -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH50 标准 300 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，36a，10ohm，15V pt 600 v 90 a 220 a 2.3V @ 15V，36a 950µJ（在）（840µJ）上，OFF） 113 NC 40NS/270NS
IXGA12N120A3 IXYS IXGA12N120A3 4.2728
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 - pt 1200 v 22 a 60 a 3V @ 15V，12A - 20.4 NC -
IXFA110N15T2 IXYS IXFA110N15T2 5.8040
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA110 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa110n15t2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 110A（TC） 10V 13mohm @ 55a，10v 4.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 8600 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXTT90P10P IXYS IXTT90P10P 13.1300
RFQ
 ECAD 547 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt90 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 90A（TC） 10V 25mohm @ 45a，10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5800 pf @ 25 V - 462W（TC）
DSEI12-06AS-TRL IXYS DSEI12-06AS-TRL 2.1290
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSEI12 标准 TO-263AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSEI12-06AS-TRLTR Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 16 A 50 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 14a -
IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P 48.2300
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN210 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 188a（TC） 10V 10.5MOHM @ 105A，10V 4.5V @ 8mA 255 NC @ 10 V ±20V 18600 PF @ 25 V - 1070W（TC）
IXTA26P20P-TRL IXYS ixta26p20p-trl 6.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta26 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta26p20p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 P通道 200 v 26a（TC） 10V 170MOHM @ 13A，10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2740 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTA2R4N120P-TRL IXYS ixta2r4n120p-trl 4.5555
RFQ
 ECAD 9835 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta2 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta2r4n120p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1200 v 2.4A（TC） 10V 7.5OHM @ 1.2A，10V 4.5V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±30V 1207 PF @ 25 V - 125W（TC）
W1856NC480 IXYS W1856NC480 -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk W1856 标准 W5 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W1856NC480 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4800 v 2.95 V @ 5550 A 36 µs 50 mA @ 4800 V -40°C〜160°C 1856a -
IXTA08N100D2 IXYS IXTA08N100D2 2.7700
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta08 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 800mA（TC） - 21ohm @ 400mA，0v - 14.6 NC @ 5 V ±20V 325 pf @ 25 V 耗尽模式 60W（TC）
IXBF12N300 IXYS IXBF12N300 35.1392
RFQ
 ECAD 1975年 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） IXBF12 标准 125 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - 1.4 µs - 3000 v 26 a 98 a 3.2V @ 15V，12A - 62 NC -
IXGQ150N30TC IXYS IXGQ150N30TC -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ150 标准 to-3p - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 300 v 150 a - - -
IXGH32N170 IXYS IXGH32N170 23.6700
RFQ
 ECAD 407 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH32 标准 350 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1020v，32a，2.7Ohm，15V npt 1700 v 75 a 200 a 3.3V @ 15V，32a （11mj）（） 155 NC 45NS/270NS
IXTH36N50P IXYS IXTH36N50P 10.8300
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth36 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 36a（TC） 10V 170MOHM @ 500mA，10V 5V @ 250µA 85 NC @ 10 V ±30V 5500 PF @ 25 V - 540W（TC）
IXFH36N60X3 IXYS IXFH36N60X3 8.5300
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH36 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixfh36n60x3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 36a（TC） 10V 90MOHM @ 18A，10V 5V @ 2.5mA 29 NC @ 10 V ±20V 2030 pf @ 25 V - 446W（TC）
MDMA60B800MB IXYS MDMA60B800MB 20.0680
RFQ
 ECAD 3926 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDMA60 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA60B800MB Ear99 8541.30.0080 10 - -
IXYX140N120A4 IXYS IXYX140N120A4 38.9900
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX140 标准 1500 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixyx140n120a4 Ear99 8541.29.0095 30 600V，70a，1.5Ohm，15V 47 ns pt 1200 v 480 a 1200 a 1.7V @ 15V，140a 4.9MJ（在）上，12MJ（12MJ） 420 NC 52NS/590NS
M0358WC180 IXYS M0358WC180 -
RFQ
 ECAD 2876 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，A-PUK M0358 标准 W1 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M0358WC180 Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 2.1 V @ 750 A 1.4 µs 20 ma @ 1800 V -40°C〜125°C 358a -
W3082MC450 IXYS W3082MC450 -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk W3082 标准 W54 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W3082MC450 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4500 v 2.58 V @ 8600 A 45 µs 50 ma @ 4500 V -40°C〜160°C 3120a -
IXYK140N120A4 IXYS IXYK140N120A4 39.3700
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXYK140 标准 1500 w TO-264（ixyk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixyk140n120a4 Ear99 8541.29.0095 25 600V，70a，1.5Ohm，15V 47 ns pt 1200 v 480 a 1200 a 1.7V @ 15V，140a 4.9MJ（在）上，12MJ（12MJ） 420 NC 52NS/590NS
MUBW50-12T8 IXYS MUBW50-12T8 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 mubw50 270 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 沟 1200 v 80 a 2.15V @ 15V，50a 2.7 MA 是的 3.5 nf @ 25 V
IXFX220N17T2 IXYS IXFX220N17T2 12.6677
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX220 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 170 v 220A（TC） 10V 6.3mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 500 NC @ 10 V ±20V 31000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTV102N20T IXYS IXTV102N20T -
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 ixys TrechHV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 ixtv102 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 102A（TC） 10V 23mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 1mA 114 NC @ 10 V ±30V 6800 PF @ 25 V - 750W（TC）
IXTP15N20T IXYS IXTP15N20T -
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp15 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 15A（TC） - - - -
DGS10-025AS IXYS DGS10-025AS -
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DGS10 肖特基 TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 250 v 1.5 V @ 5 A 1.3 ma @ 250 V -55°C 〜175°C 12a -
IXTY1R4N60P TRL IXYS IXTY1R4N60P TRL -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 ixys Polar™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty1 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） IXTY1R4N60PTRL Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1.4A（TC） 10V 9ohm @ 700mA，10v 5.5V @ 25µA 5.2 NC @ 10 V ±30V 140 pf @ 25 V - 50W（TC）
IXFX52N100X IXYS IXFX52N100X 36.2100
RFQ
 ECAD 7590 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX52 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 52A（TC） 10V 125mohm @ 26a，10v 6V @ 4mA 245 NC @ 10 V ±30V 6725 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTT110N10L2-TRL IXYS IXTT110N10L2-TRL 21.5000
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 ixys 线性l2™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT110 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXTT） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 100 v 110A（TC） 10V 18mohm @ 55a，10v 4.5V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXYX200N65B3 IXYS IXYX200N65B3 29.5130
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX200 标准 1560 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，100A，0OHM，15V 108 ns - 650 v 410 a 1100 a 1.7V @ 15V，100a 5MJ（在）中，4MJ（4MJ） 340 NC 60NS/370NS
W3082MC420 IXYS W3082MC420 -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk W3082 标准 W54 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W3082MC420 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4200 v 2.58 V @ 8600 A 45 µs 50 ma @ 4200 V -40°C〜160°C 3120a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭