SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFH15N100P IXYS IXFH15N100P 12.3900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH15 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 15A（TC） 10V 760MOHM @ 500mA，10V 6.5V @ 1mA 97 NC @ 10 V ±30V 5140 pf @ 25 V - 543W（TC）
IXGT15N120CD1 IXYS IXGT15N120CD1 -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT15 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，15a，10ohm，15V 40 ns - 1200 v 30 a 60 a 3.8V @ 15V，15a 1.05MJ（） 69 NC 25NS/150NS
IXTY64N055T IXYS IXTY64N055T -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty64 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 55 v 64A（TC） 10V 13mohm @ 500mA，10v 4V @ 25µA 37 NC @ 10 V ±20V 1420 PF @ 25 V - 130W（TC）
IXGK72N60A3H1 IXYS IXGK72N60A3H1 -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXGK72 标准 540 w TO-264（ixgk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V，50a，3ohm，15v 140 ns pt 600 v 75 a 400 a 1.35V @ 15V，60a 1.4MJ（在）上，3.5MJ off） 230 NC 31ns/320ns
IXGK120N120B3 IXYS IXGK120N120B3 32.5688
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXGK120 标准 830 w TO-264（ixgk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 600V，100a，2ohm，15V pt 1200 v 200 a 370 a 3V @ 15V，100a 5.5MJ（在）上，5.8MJ（5.8MJ） 470 NC 36NS/275NS
IXTH110N10L2 IXYS IXTH110N10L2 20.1900
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 ixys 线性l2™ 大部分 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXTH110 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 110A（TC） 10V 18mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXYH40N120C3D1 IXYS IXYH40N120C3D1 15.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH40 标准 480 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，10ohm，15V 195 ns - 1200 v 64 a 105 a 4V @ 15V，40a 3.9mj（在）上，660µJ降低） 85 NC 24NS/125NS
IXGX120N60A3 IXYS IXGX120N60A3 21.1800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX120 标准 780 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixgx120n60a3 Ear99 8541.29.0095 30 480V，100A，1.5OHM，15V pt 600 v 200 a 600 a 1.35V @ 15V，100A 2.7MJ（在）上，6.6MJ off） 450 NC 39NS/295NS
IXFX80N50Q3 IXYS IXFX80N50Q3 33.6900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX80 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfx80n50q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 80A（TC） 10V 65mohm @ 40a，10v 6.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 10000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXGP2N100A IXYS IXGP2N100A -
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP2N100 标准 25 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 800V，2a，150ohm，15V - 1000 v 4 a 8 a 3.5V @ 15V，2a 260µJ（离） 7.8 NC 15NS/300NS
IXTA36P15P-TRL IXYS ixta36p15p-trl 6.8800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys Polarp™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta36 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 150 v 36a（TC） 10V 110MOHM @ 18A，10V 4.5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXYN82N120C3H1 IXYS IXYN82N120C3H1 50.3700
RFQ
 ECAD 560 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixyn82 500 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 105 a 3.2V @ 15V，82a 50 µA 不 4.06 NF @ 25 V
M0759YC120 IXYS M0759YC120 -
RFQ
 ECAD 6482 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，A-PUK M0759 标准 W2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M0759YC120 Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.7 V @ 1500 A 2 µs 50 ma @ 1200 V -40°C〜125°C 759a -
IXTX20N150 IXYS IXTX20N150 30.7800
RFQ
 ECAD 4334 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx20 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtx20N150 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 20A（TC） 10V 1ohm @ 10a，10v 4.5V @ 1mA 215 NC @ 10 V ±30V 7800 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTK200N10P IXYS IXTK200N10P 16.0200
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk200 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 200a（TC） 10V 7.5MOHM @ 100A，10V 5V @ 500µA 240 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 800W（TC）
IXTT60N10 IXYS IXTT60N10 -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT60 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 60a（TC） 10V 20mohm @ 30a，10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTH88N30P IXYS IXTH88N30P 12.5100
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth88 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 88A（TC） 10V 40mohm @ 44a，10v 5V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 25 V - 600W（TC）
P0366WC06C IXYS P0366WC06C 130.6500
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 ixys - 盒子 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK P0366 W8 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-P0366WC06C Ear99 8541.30.0080 24 600 MA 600 v 756 a 3 V 5170a @ 50Hz 200 ma 1.88 v 370 a 30 ma 标准恢复
IXFT28N50Q IXYS IXFT28N50Q -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft28 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 28a（TC） 10V 200mohm @ 14a，10v 4.5V @ 4mA 94 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 375W（TC）
IXYX120N120C3 IXYS IXYX120N120C3 35.5300
RFQ
 ECAD 320 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX120 标准 1500 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，100A，1OHM，15V - 1200 v 240 a 700 a 3.2V @ 15V，120a 6.75mj（在）上，5.1MJ（（） 412 NC 35NS/176NS
IXGH24N170 IXYS IXGH24N170 22.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360v，50a，5ohm，15V npt 1700 v 50 a 150 a 3.3V @ 15V，24a 8MJ（（） 106 NC 42NS/200NS
IXFK88N30P IXYS IXFK88N30P 15.9100
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK88 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 88A（TC） 10V 40mohm @ 44a，10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 25 V - 600W（TC）
VBE55-06NO7 IXYS VBE55-06NO7 20.6900
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VBE55 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VBE5506NO7 Ear99 8541.10.0080 25 1.57 V @ 30 A 250 µA @ 600 V 68 a 单相 600 v
VBO125-16NO7 IXYS VBO125-16NO7 -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-C VBO125 标准 PWS-C - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.3 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 124 a 单相 1.6 kV
VUB160-16NOXT IXYS VUB160-16NOXT 99.1900
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v2-pak VUB160 标准 v2-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 2.7 V @ 30 A 100 µA @ 1600 V 180 a （（（） 1.6 kV
VUE75-06NO7 IXYS VUE75-06NO7 19.9800
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC1 VUE75 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.57 V @ 30 A 250 µA @ 600 V 86 a 三期 600 v
IXA4IF1200TC-TUB IXYS IXA4IF1200TC-tub 4.8809
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXA4IF1200 标准 45 W TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，3A，330OHM，15V 350 ns pt 1200 v 9 a 2.1V @ 15V，3A （400µJ）（在300µJ上） 12 nc -
IXBT24N170 IXYS IXBT24N170 28.4097
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT24 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.06 µs - 1700 v 60 a 230 a 2.5V @ 15V，24a - 140 NC -
VBO130-16NO7 IXYS VBO130-16NO7 73.3340
RFQ
 ECAD 9316 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VBO130 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 1.65 V @ 300 A 300 µA @ 1600 V 122 a 单相 1.6 kV
IXGC16N60B2 IXYS IXGC16N60B2 -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXGC16 标准 63 W ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，12A，22OHM，15V pt 600 v 28 a 100 a 2.3V @ 15V，12a 150mj（（） 32 NC 25NS/70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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