SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
DSEP12-12AZ-TUB IXYS DSEP12-12AZ-TUB 3.3100
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSEP12 标准 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DSEP12-12AZ-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.62 V @ 15 A 40 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 12a 5pf @ 600V，1MHz
IXA12IF1200HB IXYS IXA12IF1200HB 5.3500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXA12IF1200 标准 85 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，10a，100ohm，15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V，10a 1.1MJ（在）上，1.1MJ off） 27 NC -
QV6012RH4TP IXYS QV6012RH4TP 2.9600
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 ixys qvxx12xhx 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TO-220 - 3（168）） 238-QV6012RH4TP Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 50 mA 逻辑 -敏感门 600 v 12 a 1.2 v 140a，153a 35 MA
IXFH50N60P3 IXYS IXFH50N60P3 11.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH50 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 50A（TC） 10V 145mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 94 NC @ 10 V ±30V 6300 PF @ 25 V - 1040W（TC）
IXXH100N60C3 IXYS IXXH100N60C3 18.6100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH100 标准 830 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V，70a，2ohm，15V pt 600 v 190 a 380 a 2.2V @ 15V，70a 2MJ（在）上，950µJ（OFF） 150 NC 30NS/90NS
IXDN75N120 IXYS IXDN75N120 38.3600
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXDN75 660 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1200 v 150 a 2.7V @ 15V，75a 4 mA 不 5.5 nf @ 25 V
IXGA30N120B3 IXYS IXGA30N120B3 8.2600
RFQ
 ECAD 9624 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXGA30 标准 300 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，30a，5ohm，15V pt 1200 v 60 a 150 a 3.5V @ 15V，30a 3.47MJ（在）上，2.16MJ off） 87 NC 16NS/127NS
IXFH32N100X IXYS IXFH32N100X 22.4300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH32 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 32A（TC） 10V 220MOHM @ 16A，10V 6V @ 4mA 130 NC @ 10 V ±30V 4075 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFL32N120P IXYS IXFL32N120P 52.5288
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixfl32 MOSFET （金属 o化物） isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1200 v 24A（TC） 10V 340MOHM @ 16A，10V 6.5V @ 1mA 360 NC @ 10 V ±30V 21000 PF @ 25 V - 520W（TC）
MIXA20WB1200TED IXYS MIXA20WB1200TED 70.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 Mixa20 100 W 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 pt 1200 v 28 a 2.1V @ 15V，16a 1.5 ma 是的
IXFM11N80 IXYS IXFM11N80 -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 TO-204AA，TO-3 IXFM11 MOSFET （金属 o化物） to-204aa 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 800 v 11A（TC） 10V 950MOHM @ 5.5A，10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
DSA60C100PB IXYS DSA60C100PB -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSA60C100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 30a 950 MV @ 30 A 500 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
IXGH40N60B2 IXYS IXGH40N60B2 -
RFQ
 ECAD 5054 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH40 标准 300 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，3.3ohm，15V pt 600 v 75 a 200 a 1.7V @ 15V，30a 400µJ（离） 100 NC 18NS/130NS
IXA12IF1200PB IXYS ixa12if1200pb 4.4000
RFQ
 ECAD 9152 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXA12IF1200 标准 85 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V，10a，100ohm，15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V，10a 1.1MJ（在）上，1.1MJ off） 27 NC -
IXFQ60N60X IXYS IXFQ60N60X 13.6513
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ60 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 60a（TC） 10V 55mohm @ 30a，10v 4.5V @ 8mA 143 NC @ 10 V ±30V 5800 pf @ 25 V - 890W（TC）
IXTK120N20P IXYS ixtk120n20p 11.6268
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXTK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 714W（TC）
IXTT8P50 IXYS IXTT8P50 9.3263
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt8 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 8A（TC） 10V 1.2OHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 180W（TC）
P0848YC06B IXYS P0848YC06B 181.9500
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 ixys - 盒子 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK P0848 W58 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-P0848YC06B Ear99 8541.30.0080 24 1 a 600 v 1713 a 3 V 9625a @ 50Hz 200 ma 1.47 v 848 a 50 mA 标准恢复
IXTR20P50P IXYS IXTR20P50P 12.6677
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixtr20 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 13A（TC） 10V 490MOHM @ 10A，10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 25 V - 190w（TC）
IXFK20N80Q IXYS IXFK20N80Q -
RFQ
 ECAD 1684年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK20 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 20A（TC） 10V 420MOHM @ 10a，10v 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFN260N17T IXYS IXFN260N17T -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 ixys Gigamos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN260 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 170 v 245a（TC） 10V 6.5MOHM @ 60a，10v 5V @ 8mA 400 NC @ 10 V ±20V 24000 pf @ 25 V - 1090W（TC）
MCD312-12IO1 IXYS MCD312-12IO1 152.9100
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCD312 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.2 kV 520 a 2 v 9200A，10100A 150 ma 320 a 1 sc，1二极管
IXTK128N15 IXYS ixtk128n15 -
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk128 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 128a（TC） 10V 15mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 540W（TC）
IXFX32N80P IXYS IXFX32N80P 12.3825
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX32 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 32A（TC） 10V 270mohm @ 16a，10v 5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8800 pf @ 25 V - 830W（TC）
DSEP30-03AS IXYS DSEP30-03AS -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 ixys Hiperfred™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 TO-3P-3 DSEP30 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.55 V @ 30 A 22 ns 250 µA @ 300 V 175°c （最大） 30a -
IXFX32N48Q IXYS IXFX32N48Q -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 ixys - 管子 过时的 IXFX32 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 30 -
IXTA120P065T-TRL IXYS ixta120p065t-trl 4.2408
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 ixys Trechp™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta120 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta120p065t-trltr Ear99 8541.29.0095 800 P通道 65 v 120A（TC） 10V 10mohm @ 60a，10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±15V 13200 PF @ 25 V - 298W（TC）
MUBW50-06A8 IXYS MUBW50-06A8 -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 mubw 250 w 三相桥梁整流器 E3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 npt 600 v 75 a 2.3V @ 15V，50a 800 µA 是的 2.8 nf @ 25 V
MCMA140PD1600TB-NI IXYS MCMA140PD1600TB-NI 34.2992
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA 系列连接 -SCR/二极管 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCMA140PD1600TB-NI Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.6 kV 220 a 1.5 v 2400a，2590a 150 ma 140 a 1 sc，1二极管
IXYH80N90C3 IXYS IXYH80N90C3 11.8000
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH80 标准 830 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7763666b Ear99 8541.29.0095 30 450V，80a，2ohm，15V - 900 v 165 a 360 a 2.7V @ 15V，80a 4.3mj（在）上，1.9MJ（（） 145 NC 34NS/90NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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