SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） （ih）（IH）） 测试条件 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 噪音图 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T 28.2400
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN360 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 360a（TC） 10V 2.6mohm @ 180a，10v 4.5V @ 250µA 505 NC @ 10 V ±20V 36000 PF @ 25 V - 830W（TC）
DGSK20-018A IXYS DGSK20-018A -
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 DGSK20 肖特基 TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 180 v 15a 1.1 V @ 5 A 1.3 ma @ 180 V -55°C 〜175°C
IXFP34N65X2M IXYS IXFP34N65X2M 7.5900
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 ixfp34 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp34n65x2m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 34A（TC） 10V 100mohm @ 17a，10v 5V @ 1.5mA 56 NC @ 10 V ±30V 3230 PF @ 25 V - 40W（TC）
IXTH48N15 IXYS IXTH48N15 -
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth48 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 48A（TC） 10V 32mohm @ 500mA，10v - 140 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 180W（TC）
IXGH24N60CD1 IXYS IXGH24N60CD1 -
RFQ
 ECAD 6461 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 150 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，24a，10ohm，15V 25 ns - 600 v 48 a 80 a 2.5V @ 15V，24a 240µJ（离） 55 NC 15NS/75NS
MMO36-16IO1 IXYS MMO36-16IO1 -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 MMO 1相控制器 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 20 100 ma 1.6 kV 28 a 1 V 360a，390a 65 ma 18 a 2 scr
IXBH14N250A IXYS IXBH14N250A -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXBH14 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 2500 v - - -
IXA12IF1200TC-TUB IXYS IXA12IF1200TC-TUB 4.8564
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXA12 标准 85 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，10a，100ohm，15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V，10a 1.1MJ（在）上，1.1MJ off） 27 NC -
IXGH24N60C4 IXYS IXGH24N60C4 -
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 190 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V，24a，10ohm，15V pt 600 v 56 a 130 a 2.7V @ 15V，24a （400µJ）（在300µJ上） 64 NC 21NS/143NS
IXTQ60N20T IXYS IXTQ60N20T 5.3000
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ60 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtq60n20t Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 60a（TC） 10V 40mohm @ 30a，10v 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±20V 4530 PF @ 25 V - 500W（TA）
IXTQ40N50L2 IXYS IXTQ40N50L2 19.3700
RFQ
 ECAD 977 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq40 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtq40n50l2 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 40a（TC） 10V 170mohm @ 20a，10v 4.5V @ 250µA 320 NC @ 10 V ±20V 10400 PF @ 25 V - 540W（TC）
C-0010-375-501N21A IXYS C-0010-375-501N21A -
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 - C-0010-375 - - - - 238-C-0010-375-501N21A 过时的 0000.00.0000 1 - - - - -
IXTQ3N150M IXYS IXTQ3N150M 7.6917
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 ixtq3 MOSFET （金属 o化物） TO-3PFP - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtq3n150m Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 1.83A（TC） 10V 7.3OHM @ 1.5A，10V 5V @ 250µA 38.6 NC @ 10 V ±30V 1375 PF @ 25 V - 73W（TC）
IXTH1N450HV IXYS IXTH1N450HV 45.6100
RFQ
 ECAD 315 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixth1 MOSFET （金属 o化物） TO-247HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixth1n450hv Ear99 8541.29.0095 30 n通道 4500 v 1A（TC） 10V 80ohm @ 50mA，10v 6V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXA33IF1200HB IXYS IXA33IF1200HB 10.4200
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXA33IF1200 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，25a，39ohm，15V 350 ns pt 1200 v 58 a 2.1V @ 15V，25a 2.5mj（在）上，3MJ（3mj） 76 NC -
IXTY44N10T IXYS IXTY44N10T 2.5800
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty44 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 100 v 44A（TC） 10V 30mohm @ 22a，10v 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 V ±30V 1262 PF @ 25 V - 130W（TC）
IXFH60N60X IXYS IXFH60N60X 13.5933
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH60 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 60a（TC） 10V 55mohm @ 30a，10v 4.5V @ 8mA 143 NC @ 10 V ±30V 5800 pf @ 25 V - 890W（TC）
IXSH30N60AU1 IXYS IXSH30N60AU1 -
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 50 a 100 a 3V @ 15V，30a 2.5MJ（） 110 NC 60NS/400NS
IXGX50N60AU1 IXYS IXGX50N60AU1 -
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGX50 标准 300 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，2.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 75 a 200 a 2.7V @ 15V，50a 4.8MJ（） 200 NC 50NS/200NS
N1449QL220 IXYS N1449QL220 -
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK N1449 WP6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N1449QL220 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 2.2 kV 2790 a 3 V 19000a @ 50Hz 300 MA 2.65 v 1410 a 100 ma 标准恢复
IXTA90N20X3 IXYS ixta90n20x3 7.2912
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 ixys Ultra X3 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta90 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta90n20x3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 90A（TC） 10V 12mohm @ 45a，10v 4.5V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 5420 PF @ 25 V - 390W（TC）
DSP45-12AZ-TUB IXYS DSP45-12AZ-TUB 6.6940
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA DSP45 标准 TO-268AA（D3PAK-HV） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSP45-12AZ-TUB Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.26 V @ 45 A 40 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 45a 18pf @ 400V，1MHz
DSS6-015AS-TUB IXYS DSS6-015AS-tub -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DSS6 肖特基 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSS6-015AS-tub Ear99 8541.10.0080 70 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 780 mv @ 6 a 250 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 6a 82pf @ 24V，1MHz
IXFA18N60X IXYS IXFA18N60X 6.7505
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA18 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 18A（TC） 10V 230MOHM @ 9A，10V 4.5V @ 1.5mA 35 NC @ 10 V ±30V 1440 pf @ 25 V - 320W（TC）
IXTH30N60P IXYS IXTH30N60P 10.8300
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth30 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 240mohm @ 15a，10v 5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±30V 5050 pf @ 25 V - 540W（TC）
MCNA220PD2200YB IXYS MCNA220PD2200YB 124.1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCNA220 系列连接 -SCR/二极管 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-MCNA220PD222200YB Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 2.2 kV 345 a 2 v 7200a，7780a 150 ma 220 a 1 sc，1二极管
IXGH15N120B IXYS IXGH15N120B -
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH15 标准 180 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，15a，10ohm，15V pt 1200 v 30 a 60 a 3.2V @ 15V，15a 1.75MJ（） 69 NC 25NS/180NS
IXTA16N50P-TRL IXYS ixta16n50p-trl 3.0883
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta16 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta16n50p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 500 v 16A（TC） 10V 400mohm @ 8a，10v 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFK34N80 IXYS IXFK34N80 23.3261
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK34 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 IXFK34N80-NDR Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 34A（TC） 10V 240mohm @ 17a，10v 5V @ 8mA 270 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 560W（TC）
MCD26-14IO1B IXYS MCD26-14IO1B 25.5919
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD26 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.4 kV 50 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 32 a 1 sc，1二极管
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭