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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTC72N30T	-	RFQ	4731	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc72		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			300 v	72A（TC）		-	-				-	-
VKF55-16IO7	-	RFQ	3249	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VKF55				桥，单相 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10			200 ma												1.6 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma	53 a											4 sc
htz160c19k	-	RFQ	5297	ixys	htz160c	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz160		标准			模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对系列连接	19200 v	1.7a	12 V @ 2 A		500 µA @ 19200 V
IXFK26N90	18.1356	RFQ	1528年	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK26		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFH240N15X3	18.6923	RFQ	9265	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH240		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh240n15x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			150 v	240a（TC）	10V	5.4MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	9580 pf @ 25 V	-	780W（TC）
IXFN36N100	69.8330	RFQ	4667	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN36		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN36N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			1000 v	36a（TC）	10V	240mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	700W（TC）
MDO1200-16N1	-	RFQ	7730	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	Y1-CU	MDO1200		标准			Y1-CU	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1600 v						-	-
IXFX400N15X3	37.9373	RFQ	4855	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX400		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfx400N15x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			150 v	400A（TC）	10V	3mohm @ 200a，10v	4.5V @ 8mA	365 NC @ 10 V	±20V	23700 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
VWO85-08IO1	-	RFQ	3229	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VWO85				3 - scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												800 v	59 a	1.5 v	520a，560a	100 ma	27 a											6 scr
DPF120X400NA	-	RFQ	8541	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DPF120		标准			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						400 v						120a	-
DSEC240-06A	72.9400	RFQ	4159	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSEC240		标准			SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	600 v	120a	1.91 V @ 120 A	35 ns	2 ma @ 600 V	-40°C〜150°C
DSA75-18B	-	RFQ	5847	ixys	-	盒子	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	DSA75		雪崩			do-203ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSA7518B	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1800 v		1.17 V @ 150 A		6 ma @ 1800 V	-40°C〜180°C	110a	-
IXGH36N60B3D4	-	RFQ	3285	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH36	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，5ohm，15V																						60 ns						pt	600 v		200 a	1.8V @ 15V，30a	540µJ（在）上，800µJ（（）	80 NC	19NS/125NS
MDMA450U1600PT-PC	128.1608	RFQ	2488	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	MDMA450				-		-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDMA450U1600PT-PC	Ear99	8541.30.0080	24																		-													-
IXTH12N100Q	-	RFQ	8233	ixys	Q类	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1000 v	12A（TC）		-	-				-	-
ixta3n120-trr	5.5008	RFQ	2623	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n120-trrtr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道			1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXFN82N60P	39.8600	RFQ	2707	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN82		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道			600 v	72A（TC）	10V	75MOHM @ 41A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±30V	23000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
DHG50X650NA	38.5800	RFQ	10	ixys	DHG 50x650NA	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DHG50		标准			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DHG50X650NA	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					2独立	650 v	25a	2.03 V @ 25 A	35 ns		-
DSEC16-04AS	-	RFQ	7842	ixys	Hiperfred™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	DSEC16		标准			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	400 v	10a	1.53 V @ 10 A	30 ns	60 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
IXFK24N100F	-	RFQ	9544	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道			1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	560W（TC）
DSEP60-06AT-TUB	2000年11月11日	RFQ	5391	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	DSEP60		标准			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v		2.04 V @ 60 A	35 ns	650 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	60a	-
ixtp10n60p	3.3768	RFQ	3775	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	10A（TC）	10V	740MOHM @ 5A，10V	5.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXGP50N60C4	-	RFQ	4271	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP50	标准		300 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，36a，10ohm，15V																												pt	600 v	90 a	220 a	2.3V @ 15V，36a	950µJ（在）（840µJ）上，OFF）	113 NC	40NS/270NS
DCG160X650NA	-	RFQ	2977	ixys	DCG 160x650NA	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DCG160		SIC （碳化硅）			SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DCG160X650NA	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）																					1对普通阴极	650 v	80a	1.35 V @ 50 A	0 ns		-
IXGT24N60C	-	RFQ	7102	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准		150 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，24a，10ohm，15V																												-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	240µJ（离）	55 NC	15NS/75NS
MMJX1H40N150	39.4900	RFQ	2482	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	16-Besop （0.787英寸，20.00mm宽度），15条线索，隔离标签	MMJX1H40					-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	30															1.5 kV			-			标准恢复
MDK600-20N1	-	RFQ	4708	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	MDK600		标准			模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对普通阴极	2000 v	883a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 mA @ 2000 V	-40°C〜150°C
IXGM20N60A	-	RFQ	7892	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM20	标准		150 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20				480V，20a，82ohm，15V																						200 ns						-	600 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	2MJ（在）上，2MJ（2MJ）（OFF）	120 NC	100NS/600NS
IXFN140N20P	28.9600	RFQ	103	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN140		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道			200 v	115A（TC）	10V，15V	18mohm @ 70a，10v	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	680W（TC）
IXFK170N20T	15.2300	RFQ	6	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			200 v	170a（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	265 NC @ 10 V	±20V	19600 pf @ 25 V	-	1150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²