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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻
MDD312-20N1 IXYS MDD312-20N1 176.8333
RFQ
 ECAD 4231 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDD312 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 2000 v 310a 1.32 V @ 600 A 30 ma @ 2000 V -40°C〜150°C
DSS2-40BB IXYS DSS2-40BB -
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 DO-214AA，SMB DSS2 肖特基 SMB（do-214AA） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 420 mv @ 2 a 500 µA @ 40 V -55°C〜150°C 2a -
MCC72-14IO1B IXYS MCC72-14IO1b 36.5181
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC72 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.4 kV 180 a 2.5 v 1700a，1800a 150 ma 115 a 2 scr
IXXX200N60C3 IXYS IXXX200N60C3 25.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXXX200 标准 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V，100a，1ohm，15V pt 600 v 340 a 900 a 2.1V @ 15V，100a 3MJ（在）上，1.7MJ（OFF） 315 NC 47NS/125NS
DSEI2X30-10P IXYS DSEI2X30-10P -
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘安装 Eco-PAC1 dsei2x 标准 Eco-PAC1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1000 v 30a 2.4 V @ 30 A 50 ns 750 µA @ 1000 V -40°C〜150°C
IXFA220N06T3 IXYS IXFA220N06T3 4.9700
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA220 MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 220A（TC） 10V 4MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 136 NC @ 10 V ±20V 8500 PF @ 25 V - 440W（TC）
DSAI17-12A IXYS DSAI17-12A -
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 DSAI17 雪崩 do-203aa 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSAI1712A Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.36 V @ 55 A 4 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 25a -
IXFP220N06T3 IXYS IXFP220N06T3 4.7600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP220 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 220A（TC） 10V 4MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 136 NC @ 10 V ±20V 8500 PF @ 25 V - 440W（TC）
IXGQ28N120B IXYS IXGQ28N120B -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ28 标准 250 w to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，28a，5ohm，15V - 1200 v 50 a 150 a 3.5V @ 15V，28a 2MJ（（） 92 NC 30NS/180NS
IXFJ26N50P3 IXYS IXFJ26N503 21.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFJ26 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfj26n50p3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 14A（TC） 10V 265MOHM @ 13A，10V 5V @ 4mA 42 NC @ 10 V ±30V 2220 PF @ 25 V - 180W（TC）
MIXA40W1200TED IXYS Mixa40w1200 73.6700
RFQ
 ECAD 8825 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 Mixa40 195 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 pt 1200 v 60 a 2.1V @ 15V，35a 2.1 MA 是的
DSA120X200LB-TRR IXYS DSA120X200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 9-SMD模块 DSA120 肖特基 ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 65a 980 mv @ 60 a 1 mA @ 200 V -55°C 〜175°C
MCMA25PD1600TB IXYS MCMA25PD1600TB 22.6297
RFQ
 ECAD 8317 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA25 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 100 ma 1.6 kV 40 a 1.5 v 400a，430a 55 MA 25 a 1 sc，1二极管
IXTA102N15T-TRL IXYS ixta102n15t-trl 3.3218
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 ixys 沟 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta102 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta102n15t-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 102A（TC） 10V 18mohm @ 51a，10v 5V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5220 PF @ 25 V - 455W（TC）
MCD40-12IO6 IXYS MCD40-12IO6 22.4740
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MCD40 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.2 kV 60 a 1.5 v 500a，440a 100 ma 38 a 1 sc，1二极管
DSSK16-01AS-TRL IXYS DSSK16-01AS-TRL -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSSK16 肖特基 TO-263AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 8a 810 MV @ 8 A 300 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
MCC72-18IO8B IXYS MCC72-18IO8B 43.0000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC72 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -MCC72-18IO8B Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.8 kV 180 a 2.5 v 1700a，1800a 150 ma 115 a 2 scr
IXTH230N085T IXYS IXTH230N085T -
RFQ
 ECAD 5633 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH230 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 85 v 230a（TC） 10V 4.4mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 187 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 25 V - 550W（TC）
IXTQ30N60P IXYS IXTQ30N60P 10.2700
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ30 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 240mohm @ 15a，10v 5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±30V 5050 pf @ 25 V - 540W（TC）
IXA45IF1200HB IXYS IXA45IF1200HB 12.2200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXA45IF1200 标准 325 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，35A，27OHM，15V 350 ns pt 1200 v 78 a 2.1V @ 15V，35a 3.8MJ（在）上，4.1MJ off） 106 NC -
IXFT26N50Q TR IXYS IXFT26N50Q TR -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 ixys Hiperfet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft26 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXFT） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 26a（TC） 10V 200mohm @ 13a，10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 300W（TC）
MCD312-16IO1 IXYS MCD312-16IO1 172.3500
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCD312 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.6 kV 520 a 2 v 9200A，10100A 150 ma 320 a 1 sc，1二极管
IXBT20N300 IXYS IXBT20N300 -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT20 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.35 µs - 3000 v 50 a 140 a 3.2V @ 15V，20A - 105 NC -
IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA15N65C3D1 -
RFQ
 ECAD 3626 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixya15 标准 200 w TO-263AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya15n65c3d1 Ear99 8541.29.0095 50 400V，15a，20欧姆，15V 20 ns pt 650 v 38 a 80 a 2.5V @ 15V，15a 270µJ（在）上，230µJ（230µJ） 19 nc 15NS/68NS
IXYA12N250CHV IXYS IXYA12N250CHV 58.4224
RFQ
 ECAD 1003 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB 标准 310 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya12N250CHV Ear99 8541.29.0095 50 1250V，12a，10ohm，15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V，12a 3.56mj（在）上，1.7MJ OFF） 56 NC 12NS/167NS
IXGH56N60B3 IXYS IXGH56N60B3 -
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH56 标准 330 w TO-247（IXTH） - 238-ixgh56n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 480V，44A，5OHM，15V 41 ns pt 600 v 130 a 350 a 1.8V @ 15V，44a 1.3MJ（在）上，1.05mj off） 138 NC 26NS/155NS
FMM150-0075X2F IXYS FMM150-0075X2F 23.7500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ FMM150 MOSFET （金属 o化物） 170W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 75V 120a 5.8MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 178nc @ 10V 10500pf @ 25V -
IXTQ22N60P IXYS IXTQ22N60P 7.2900
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq22 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 22a（TC） 10V 350MOHM @ 11A，10V 5.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTA60N10T-TRL IXYS ixta60n10t-trl 2.8600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys 沟 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta60 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta60n10t-trlct Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 60a（TC） 10V 18mohm @ 25a，10v 4.5V @ 50µA 49 NC @ 10 V ±20V 2650 pf @ 25 V - 176W（TC）
MCMA650MT1800NKD IXYS MCMA650MT1800NKD 187.0950
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-2-CU MCMA650 Y1-2-CU - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCMA650MT1800NKD Ear99 8541.30.0080 2 单身的 150 ma 标准 1.8 kV 650 a 2 v 9.6ka，10.4ka 220 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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