SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
DSEI8-06AS-TRL IXYS DSEI8-06AS-TRL 1.8045
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 ixys 弗雷德 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB DSEI8 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 20 µA @ 600 V -40°C〜150°C 8a -
DHG20C1200PB IXYS DHG20C1200PB 3.6900
RFQ
ECAD 4468 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 DHG20 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 10a 2.22 V @ 10 A 200 ns 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
IXGT60N60 IXYS IXGT60N60 -
RFQ
ECAD 4389 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT60 标准 300 w TO-268AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,60a,2.7Ohm,15V pt 600 v 75 a 200 a 1.7V @ 15V,60a 8MJ(() 130 NC 50NS/300NS
VWO140-08IO1 IXYS VWO140-08IO1 -
RFQ
ECAD 6913 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 VWO140 3 - scr 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 800 v 101 a 1.5 v 1150a,1240a 100 ma 46 a 6 scr
MIAA20WE600TMH IXYS MIAA20WE600TMH -
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Minipack2 MIAA20W 100 W 单相桥梁整流器 Minipack2 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 20 三期逆变器 npt 600 v 29 a 2.7V @ 15V,20A 1.1 MA 是的 900 pf @ 25 V
IXTY1N80 IXYS IXTY1N80 -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 800 v 750mA(TC) 10V 11ohm @ 500mA,10v 4.5V @ 25µA 8.5 NC @ 10 V ±20V 220 pf @ 25 V - 40W(TC)
IXFP6N120P IXYS IXFP6N120P 10.2300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP6N120 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfp6n120p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 6A(TC) 10V 2.4ohm @ 500mA,10v 5V @ 1mA 92 NC @ 10 V ±30V 2830 PF @ 25 V - 250W(TC)
IXTP2N80P IXYS ixtp2n80p -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp2 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 2A(TC) 10V 6ohm @ 1a,10v 5.5V @ 50µA 10.6 NC @ 10 V ±30V 440 pf @ 25 V - 70W(TC)
DSEI2X30-10B IXYS DSEI2X30-10B 25.8100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 DSEI2X30 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1000 v 30a 2.4 V @ 30 A 50 ns 750 µA @ 1000 V -40°C〜150°C
IXGH32N170A IXYS IXGH32N170A 25.0700
RFQ
ECAD 1269 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH32 标准 350 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V,32A,2.7OHM,15V npt 1700 v 32 a 110 a 5V @ 15V,21a 1.5mj(() 155 NC 46NS/260NS
CLA5E1200UC-TRL IXYS CLA5E1200UC-TRL 3.0400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 CLA5 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,500 30 ma 1.2 kV 7.8 a 1.8 v 50a,54a 20 ma 1.6 v 5 a 10 µA 标准恢复
DSEC16-02A IXYS DSEC16-02A -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 DSEC16 标准 TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 8a 1.3 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
IXFN60N60 IXYS IXFN60N60 -
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN60 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 不适用 到达不受影响 IXFN60N60-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 60a(TC) 10V 75mohm @ 500mA,10v 4.5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 15000 PF @ 25 V - 700W(TC)
IXFN32N100P IXYS IXFN32N100P 38.2200
RFQ
ECAD 634 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN32 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 27a(TC) 10V 320MOHM @ 16a,10v 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 V ±30V 14200 PF @ 25 V - 690W(TC)
IXTU50N085T IXYS IXTU50N085T -
RFQ
ECAD 8337 0.00000000 ixys 管子 积极的 - 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA ixtu50 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 85 v 50A(TC) - 4V @ 25µA - -
DHG5I600PA IXYS DHG5I600PA 3.8622
RFQ
ECAD 2062 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DHG5 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.2 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
IXTH1N100 IXYS IXTH1N100 -
RFQ
ECAD 2809 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth1 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 1.5A(TC) 10V 11ohm @ 1A,10V 4.5V @ 25µA 23 NC @ 10 V ±20V 480 pf @ 25 V - 60W(TC)
IXGH42N30C3 IXYS IXGH42N30C3 -
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH42 标准 223 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 200V,21a,10ohm,15V pt 300 v 250 a 1.85V @ 15V,42a (120µJ)(在150µJ上) 76 NC 21NS/113NS
IXFA230N075T2-7 IXYS IXFA230N075T2-7 7.0600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IXFA230 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 230a(TC) 10V 4.2MOHM @ 50a,10v 4V @ 1mA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W(TC)
N5910FA420 IXYS N5910FA420 -
RFQ
ECAD 4289 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 - 底盘安装 TO-200AF N5910 W118 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-N5910FA420 Ear99 8541.30.0080 6 4.2 kV 78000a @ 50Hz 5910 a 标准恢复
IXFA18N65X2 IXYS IXFA18N65X2 3.8178
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IXFA18 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa18n65x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 18A(TC) 10V 200mohm @ 9a,10v 5V @ 1.5mA 29 NC @ 10 V ±30V 1520 pf @ 25 V - 290W(TC)
VHF15-14IO5 IXYS VHF15-14IO5 -
RFQ
ECAD 2867 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 PWS-E1 VHF15 桥,单相-scr/二极管(布局1) - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.4 kV 15 a 1 V 190a,210a 65 ma 2 scr,2个二极管
VCO180-08IO7 IXYS VCO180-08IO7 -
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜130°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VCO180 单身的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 800 v 280 a 1.5 v 4500A,4900A 300 MA 180 a 1 scr
IXBL64N250 IXYS IXBL64N250 123.8172
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 isoplusi5-pak™ ixbl64 标准 500 w isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7051550 Ear99 8541.29.0095 25 - 160 ns - 2500 v 116 a 750 a 3V @ 15V,64a - 400 NC -
VCC2X105-18IO7 IXYS VCC2X105-18IO7 -
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VCC2X 独立 -scrs 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1.8 kV 180 a 1.5 v 2250a,2400a 150 ma 105 a 2 scr
MIXG360RF1200P-PC IXYS MIXG360RF1200P-PC 98.4107
RFQ
ECAD 9811 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg360 - - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 - - -
VUO105-16NO7 IXYS VUO105-16NO7 -
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 PWS-C VUO105 标准 PWS-C - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.09 V @ 40 A 100 µA @ 1600 V 140 a 三期 1.6 kV
MCMA35P1200TA IXYS MCMA35P1200TA 27.5831
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 TO-240AA MCMA35 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.2 kV 55 a 1.5 v 520a,560a 78 MA 35 a 2 scr
IXGK50N60A2U1 IXYS IXGK50N60A2U1 -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXGK50 标准 400 w TO-264(ixgk) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V,50a,5ohm,15V - 600 v 75 a 200 a 1.6V @ 15V,50a 3.5MJ() 140 NC 20N/410NS
IXFT32N50 IXYS IXFT32N50 -
RFQ
ECAD 5643 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft32 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 32A(TC) 10V 150mohm @ 15a,10v 4V @ 4mA 300 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 25 V - 360W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库