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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
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![]() | IXFH120N30x3 | 17.3300 | ![]() | 8019 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 120A(TC) | 10V | 11mohm @ 60a,10v | 4.5V @ 4mA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 1376 PF @ 25 V | - | 735W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCK700-18IO1W | - | ![]() | 3333 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | WC-500 | MCK700 | 普通阴极 -scr | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 1.8 kV | 1331 a | 18200 @ 50MHz | 700 a | 2 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXBX75N170A | 61.1397 | ![]() | 6407 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXBX75 | 标准 | 1040 w | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1360v,42a,1ohm,15v | 360 ns | - | 1700 v | 110 a | 300 a | 6V @ 15V,42a | 3.8MJ(() | 358 NC | 26NS/418NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFX180N25T | 19.9600 | ![]() | 650 | 0.00000000 | ixys | hiperfet™,战沟 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXFX180 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 250 v | 180a(TC) | 10V | 12.9mohm @ 60a,10v | 5V @ 8mA | 345 NC @ 10 V | ±20V | 28000 PF @ 25 V | - | 1390W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSSK40-006B | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSSK40 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 530 mv @ 20 a | 20 ma @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIAA20WD600TMH | - | ![]() | 4381 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | Minipack2 | MIAA20W | 100 W | 单相桥梁整流器 | Minipack2 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 三相逆变器 | npt | 600 v | 29 a | 2.7V @ 15V,20A | 1.1 MA | 是的 | 900 pf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta34n65x2-trl | 4.6042 | ![]() | 9607 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | ixta34 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta34n65x2-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 650 v | 34A(TC) | 10V | 96mohm @ 17a,10v | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±30V | 3000 pf @ 25 V | - | 540W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXA60IF1200NA | 32.1800 | ![]() | 5186 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘,螺柱坐骑 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXA60IF1200 | 290 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | pt | 1200 v | 88 a | 2.1V @ 15V,50a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCC72-14IO8B | 35.2383 | ![]() | 7767 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCC72 | 系列连接 -scr | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 ma | 1.4 kV | 180 a | 2.5 v | 1700a,1800a | 150 ma | 115 a | 2 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta1n200p3hv | 9.7900 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | ixys | Polar P3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | ixta1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 2000 v | 1A(TC) | 10V | 40ohm @ 500mA,10v | 4V @ 250µA | 23.5 NC @ 10 V | ±20V | 646 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGK100N170 | 43.5100 | ![]() | 665 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXGK100 | 标准 | 830 w | 加上264™ | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q4669629 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 850V,100A,1OHM,15V | - | 1700 v | 170 a | 600 a | 3V @ 15V,100a | - | 425 NC | 35NS/285NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSA1-12D | 5.5100 | ![]() | 4410 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 通过洞 | 径向 | DSA1 | 雪崩 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.34 V @ 7 A | 700 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 2.3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HVL900-12IO1 | - | ![]() | 7420 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | HVL900 | 1相控制器 -scr | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 150 ma | 1.2 kV | 900 a | 2 v | 9200A,10100A | 150 ma | 2 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSS20-0015B | - | ![]() | 9866 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | DSS20 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DSS200015B | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 450 mv @ 20 a | 10 ma @ 15 V | -55°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSA30I100PA | - | ![]() | 3106 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | DSA30I100 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 MV @ 30 A | 900 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCB60P1200TLB-TRR | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | MCB60P1200 | (SIC) | - | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCB60P1200TLB-TRRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 4(n n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK32N50Q | - | ![]() | 8357 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 32A(TC) | 10V | 160mohm @ 16a,10v | 4.5V @ 4mA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 3950 pf @ 25 V | - | 416W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFC16N50P | - | ![]() | 6171 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polarht™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | ISOPLUS220™ | IXFC16N50 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS220™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 10A(TC) | 10V | 450MOHM @ 8A,10V | 5.5V @ 2.5mA | 43 NC @ 10 V | ±30V | 2250 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTY1R6N50P | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | ixys | Polarhv™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 500 v | 1.6A(TC) | 10V | 6.5OHM @ 500mA,10V | 5.5V @ 25µA | 3.9 NC @ 10 V | ±30V | 140 pf @ 25 V | - | 43W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH20N503 | 6.3000 | ![]() | 243 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polar3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfh20n503 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 300mohm @ 10a,10v | 5V @ 1.5mA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 380W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH11N80 | - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | IXFH11N80-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 11A(TC) | 10V | 950MOHM @ 500mA,10V | 4.5V @ 4mA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTH13N110 | - | ![]() | 3761 | 0.00000000 | ixys | Megamos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | 不适用 | IXTH13N110-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1100 v | 13A(TC) | 10V | 920MOHM @ 500mA,10V | 4.5V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ±20V | 5650 pf @ 25 V | - | 360W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfp38n30x3m | 6.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | ixfp38 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220隔离选项卡 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 300 v | 38A(TC) | - | - | - | 35 NC @ 10 V | ±20V | 2440 pf @ 25 V | - | 34W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTN110N20L2 | 52.3300 | ![]() | 123 | 0.00000000 | ixys | 线性l2™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXTN110 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 200 v | 100A(TC) | 10V | 24mohm @ 55a,10v | 4.5V @ 3mA | 500 NC @ 10 V | ±20V | 23000 PF @ 25 V | - | 735W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD72-16IO8B | 40.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | TO-240AA | MCD72 | 系列连接 -SCR/二极管 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -MCD72-16IO8B | Ear99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 ma | 1.6 kV | 180 a | 2.5 v | 1700a,1800a | 150 ma | 115 a | 1 sc,1二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixtk140n30p | 23.6300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXTK140 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264(IXTK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 300 v | 140a(TC) | 10V | 24mohm @ 70a,10v | 5V @ 500µA | 185 NC @ 10 V | ±20V | 14800 PF @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N1263JK160 | - | ![]() | 3868 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | TO-200AB,B-PUK | N1263 | WP1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-N1263JK160 | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 1 a | 1.6 kV | 2504 a | 3 V | 16500a @ 50Hz | 300 MA | 2.25 v | 1263 a | 100 ma | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFX250N10P | 21.3943 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXFX250 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 250A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 50a,10v | 5V @ 1mA | 205 NC @ 10 V | ±20V | 16000 PF @ 25 V | - | 1250W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R2475ZD28N | - | ![]() | 8999 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | TO-200AF | R2475 | W46 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-R2475ZD28N | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 1 a | 2.8 kV | 4978 a | 3 V | 34100A @ 50Hz | 300 MA | 2.8 v | 2475 a | 300 MA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFA10N60P-TRL | 4.3100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | IXFA10 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 |
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