SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MID145-12A3 IXYS 145-12A3中期 -
RFQ
 ECAD 4381 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M5 145年中 700 w 标准 Y4-M5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 单身的 npt 1200 v 160 a 2.7V @ 15V，100a 6 ma 不 6.5 nf @ 25 V
IXGT30N120BD1 IXYS IXGT30N120BD1 -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT30 标准 TO-268AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
IXFB40N110P IXYS IXFB40N110P 52.0500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB40 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1100 v 40a（TC） 10V 260mohm @ 20a，10v 6.5V @ 1mA 310 NC @ 10 V ±30V 19000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTP6N50D2 IXYS ixtp6n50d2 7.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp6 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 6A（TC） - 500mohm @ 3a，0v - 96 NC @ 5 V ±20V 2800 PF @ 25 V 耗尽模式 300W（TC）
IXGN80N60A2D1 IXYS IXGN80N60A2D1 -
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn80 625 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 160 a 1.35V @ 15V，80a 650 µA 不
IXBT20N300HV IXYS IXBT20N300HV 32.6163
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT20 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Q7867913 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.35 µs - 3000 v 50 a 140 a 3.2V @ 15V，20A - 105 NC -
IXFV18N60PS IXYS IXFV18N60PS -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 加220SMD IXFV18 MOSFET （金属 o化物） 加220SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 18A（TC） 10V 400mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 2.5mA 50 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTA44N30T IXYS ixta44n30t -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta44 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 44A（TC） - - - -
IXTK46N50L IXYS IXTK46N50L 47.1500
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 ixys 线性 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk46 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 46A（TC） 20V 160MOHM @ 500mA，20V 6V @ 250µA 260 NC @ 15 V ±30V 7000 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXTT4N150HV IXYS IXTT4N150HV 39.8300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt4 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 -ixtt4n150hv Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 4A（TC） 10V 6ohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±30V 1576 PF @ 25 V - 280W（TC）
IXFN24N100 IXYS IXFN24N100 44.6220
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN24 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFN24N100-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 24A（TC） 10V 390MOHM @ 12A，10V 5.5V @ 8mA 267 NC @ 10 V ±20V 8700 PF @ 25 V - 568W（TC）
IXFR48N60P IXYS IXFR48N60P 20.3500
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR48 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 32A（TC） 10V 150MOHM @ 24A，10V 5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8860 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFN150N10 IXYS IXFN150N10 32.0755
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 ixys Hiperfet™ 大部分 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN150 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 100 v 150a（TC） 10V 12mohm @ 75a，10v 4V @ 8mA 360 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXFC30N60P IXYS IXFC30N60P -
RFQ
 ECAD 5918 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC30N60 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15A（TC） 10V 250mohm @ 15a，10v 5V @ 4mA 85 NC @ 10 V ±30V 3820 pf @ 25 V - 166W（TC）
DSA320A100NB IXYS DSA320A100NB -
RFQ
 ECAD 2931 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - - DSA320 肖特基 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 80a 940 mv @ 80 A 2 mA @ 100 V -40°C〜150°C
VW2X30-14IO1 IXYS VW2X30-14IO1 -
RFQ
 ECAD 5427 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 VW2X30 2相控制器 -所有scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.4 kV 22 a 1.5 v 200a，210a 100 ma 14 a 4 sc
VVZB170-16NO1 IXYS VVZB170-16NO1 -
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 VVZB170 桥梁，三相 -scrs/diodes -igbt与二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.6 kV 1.5 v - 95 MA 170 a 2 scr，2个二极管
MMO110-14IO7 IXYS MMO110-14IO7 23.0700
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 MMO110 1相控制器 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MMO11014IO7 Ear99 8541.30.0080 25 100 ma 1.4 kV 81 a 1.5 v 1000a，1070a 100 ma 51 a 2 scr
IXTK21N100 IXYS ixtk21n100 -
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk21 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 21a（TC） 10V 550MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 500µA 250 NC @ 10 V ±20V 8400 PF @ 25 V - 500W（TC）
MCC95-08I01B IXYS MCC95-08I01B 29.8275
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 底盘安装 TO-240AA MCC95 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 116a 1.5 V @ 300 A 5 ma @ 800 V
MCC44-12IO8B IXYS MCC44-12IO8B 26.5861
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC44 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.2 kV 80 a 1.5 v 1150a，1230a 100 ma 51 a 2 scr
VBH40-05B IXYS VBH40-05B -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v2-pak VBH40 MOSFET （金属 o化物） - v2-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 4（n n 通道（半桥） 500V 40a 116mohm @ 30a，10v 4V @ 8mA 270NC @ 10V - -
IXYX100N120B3 IXYS IXYX100N120B3 26.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixyx100 标准 1150 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixyx100N120B3 Ear99 8541.29.0095 30 600V，100A，1OHM，15V pt 1200 v 225 a 530 a 2.6V @ 15V，100a （7.7mj）（在），7.1MJ（7.1MJ）中 250 NC 30ns/153ns
IXFT6N100F IXYS ixft6n100f -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 ixys Hiperrf™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft6 MOSFET （金属 o化物） TO-268 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 6A（TC） 10V 1.9OHM @ 3A，10V 5.5V @ 2.5mA 54 NC @ 10 V ±20V 1770 pf @ 25 V - 180W（TC）
MCD132-18IO1 IXYS MCD132-18IO1 68.8617
RFQ
 ECAD 7527 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4 MCD132 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.8 kV 300 a 2.5 v 4750a，5080a 150 ma 130 a 1 sc，1二极管
IXTP120P065T IXYS IXTP120P065T 6.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP120 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 65 v 120A（TC） 10V 10mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±15V 13200 PF @ 25 V - 298W（TC）
DSSK10-018A IXYS DSSK10-018A -
RFQ
 ECAD 1140 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSSK10 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 180 v 5a 780 mv @ 5 a 300 µA @ 180 V -55°C 〜175°C
IXTP50N20P IXYS ixtp50n20p 5.2300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP50 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 50A（TC） 10V 60mohm @ 50a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2720 PF @ 25 V - 360W（TC）
CS60-16IO1R IXYS CS60-16IO1R 11.2773
RFQ
 ECAD 9528 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜140°C 通过洞 TO-247-3变体 CS60 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 200 ma 1.6 kV 75 a 1.5 v 1500a，1600a 100 ma 1.4 v 48 a 10 MA 标准恢复
IXTA44P15T IXYS ixta44p15t 6.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta44 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 629516 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 150 v 44A（TC） 10V 65mohm @ 22a，10v 4V @ 250µA 175 NC @ 10 V ±15V 13400 PF @ 25 V - 298W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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