SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
SJ4008DS2TP IXYS SJ4008DS2TP 1.8200
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 ixys SJXX08XSX 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SJ4008 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-SJ4008DS2TP Ear99 8541.30.0080 750 6 ma 400 v 8 a 800 mv 83a，100a 200 µA 1.6 v 5.1 a 5 µA 敏感门
IXFF24N100 IXYS IXFF24N100 -
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） ixff24 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 n通道 1000 v 22a（TC） 10V 390MOHM @ 15A，10V 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±20V - -
IXTA42N25P IXYS ixta42n25p 3.5864
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta42 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 42A（TC） 10V 84mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 25 V - 300W（TC）
MCD72-08IO8B IXYS MCD72-08IO8B 35.1500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD72 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCD7208IO8B Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 800 v 180 a 2.5 v 1700a，1800a 150 ma 115 a 1 sc，1二极管
IXTY3N50P IXYS ixty3n50p -
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty3 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 500 v 3.6A（TC） 10V 2ohm @ 1.8A，10V 5.5V @ 50µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 409 pf @ 25 V - 70W（TC）
IXFK80N20Q IXYS IXFK80N20Q -
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK80 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 80A（TC） 10V 28mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXGH28N60A3 IXYS IXGH28N60A3 -
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH28 标准 190 w TO-247AD 下载 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，24a，10ohm，15V 26 NS pt 600 v 75 a 170 a 1.4V @ 15V，24a （700µJ）（在），2.4MJ off） 66 NC 18NS/300NS
DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSB60C60 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 30a 780 mv @ 30 a 20 ma @ 60 V -55°C〜150°C
DSA90C200HR IXYS DSA90C200HR -
RFQ
 ECAD 3052 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 DSA90C200 肖特基 ISO247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 45a 910 MV @ 45 A 2 ma @ 200 V -55°C 〜175°C
MKE38RK600DFEL-TRR IXYS MKE38RK600DFEL-TRR 2000年2月28日
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 ixys coolmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 MKE38 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 n通道 600 v 50A（TC） 10V 45mohm @ 44a，10v 3.5V @ 3mA 190 NC @ 10 V ±20V 6800 PF @ 100 V - -
GMM3X180-004X2-SMD IXYS GMM3X180-004X2-SMD -
RFQ
 ECAD 6214 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x180 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4.5V @ 1mA 110NC @ 10V - -
MCC26-14IO8B IXYS MCC26-14IO8B 25.9075
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC26 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.4 kV 50 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 32 a 2 scr
IXGX120N120A3 IXYS IXGX120N120A3 39.6000
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX120 标准 830 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，100A，1OHM，15V pt 1200 v 240 a 600 a 2.2V @ 15V，100a （10mj）（33MJ）（33MJ） 420 NC 40NS/490NS
DSP8-08S-TUB IXYS DSP8-08S-tub 2.5090
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSP8 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 8a 1.35 V @ 16 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
IXTK120N65X2 IXYS ixtk120n65x2 24.6100
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXTK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 650 v 120A（TC） 10V 24mohm @ 60a，10v 4.5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±30V 13600 PF @ 25 V - 1250W（TC）
DSA60C45HB IXYS DSA60C45HB -
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA60C45 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 30a 770 mv @ 30 a 450 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
DSEI60-06A IXYS DSEI60-06A 7.7400
RFQ
 ECAD 738 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSEI60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Q2202746a Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.8 V @ 70 A 50 ns 200 µA @ 600 V -40°C〜150°C 60a -
IXFA4N85X IXYS IXFA4N85X 4.5200
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA4N85 MOSFET （金属 o化物） TO-263（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -1402-ixfa4n85x Ear99 8541.29.0095 50 n通道 850 v 3.5A（TC） 10V 2.5OHM @ 2A，10V 5.5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ±30V 247 PF @ 25 V - 150W（TC）
MDMA280UB1600P-PC IXYS MDMA280UB1600P-PC 109.6582
RFQ
 ECAD 7215 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDMA280 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA280UB1600P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - -
MCC500-14IO1 IXYS MCC500-14IO1 -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 WC-500 MCC500 系列连接 -scr 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1 a 1.4 kV 1294 a 3 V 16500a @ 50Hz 300 MA 545 a 2 scr
IXFT94N30T IXYS IXFT94N30T 18.8863
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft94 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 94A（TC） 10V 36mohm @ 47a，10v 5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 11400 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTQ86N20T IXYS IXTQ86N20T 5.4163
RFQ
 ECAD 8076 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ86 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 86A（TC） 10V 29mohm @ 500mA，10v 5V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFA36N20X3 IXYS IXFA36N20X3 4.9700
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA36 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfa36n20x3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 36a（TC） 10V 45mohm @ 18a，10v 4.5V @ 500µA 21 NC @ 10 V ±20V 1425 PF @ 25 V - 176W（TC）
MCD72-08IO1B IXYS MCD72-08IO1B -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD72 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 800 v 180 a 2.5 v 1700a，1800a 150 ma 115 a 1 sc，1二极管
MLO140-08IO7 IXYS MLO140-08IO7 -
RFQ
 ECAD 1850年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 MLO140 1相控制器 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 800 v 90 a 1.5 v 1150a，1230a 100 ma 58 a 1 sc，1二极管
MMIX1X200N60B3H1 IXYS MMIX1X200N60B3H1 48.9900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1X200 标准 520 w 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 360V，100a，1ohm，15V 100 ns - 600 v 175 a 1000 a 1.7V @ 15V，100a （2.85MJ）（在），2.9MJ OFF） 315 NC 48NS/160NS
R0577YC12C IXYS R0577YC12C -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK R0577 W58 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-R0577YC12C Ear99 8541.30.0080 6 1 a 1.2 kV 1169 a 3 V 6600a @ 50Hz 200 ma 2.15 v 577 a 60 ma 标准恢复
MCC72-18IO1B IXYS MCC72-18IO1B 39.8544
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC72 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.8 kV 180 a 2.5 v 1700a，1800a 150 ma 115 a 2 scr
VVZ70-16IO7 IXYS VVZ70-16IO7 -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VVZ70 桥梁，三相-scr/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1.6 kV 1.5 v 550a，600a 100 ma 70 a 3 scr，3个二极管
IXFN32N80P IXYS IXFN32N80P 27.2780
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN32 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 29A（TC） 10V 270mohm @ 16a，10v 5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8820 PF @ 25 V - 625W（TC）
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    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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