SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTP450P2 IXYS IXTP450P2 4.8100
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 ixys Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP450 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtp450p2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 16A（TC） 10V 330mohm @ 8a，10v 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±30V 2530 pf @ 25 V - 300W（TC）
MCNA650P2200CA IXYS MCNA650P2200CA 322.1733
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 组合 MCNA650 系列连接 -scr - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCNA650P2200CA Ear99 8541.30.0080 3 300 MA 2.2 kV 1020 a 2 v 16000a，17300a 300 MA 650 a 2 scr
IXFQ24N50P2 IXYS IXFQ24N50P2 -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 ixys HiperFet™，Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ24 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfq24n50p2 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 270MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 2890 pf @ 25 V - 480W（TC）
DSA240X200NA IXYS DSA240x200NA -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSA240 肖特基 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 200 v 120a 1 V @ 120 A 4 mA @ 200 V -40°C〜150°C
DSS17-06CR IXYS DSS17-06CR -
RFQ
 ECAD 9216 0.00000000 ixys Hiperdyn™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DSS17 肖特基 ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 3.32 V @ 15 A 500 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 17a -
IXGH32N60C IXYS IXGH32N60C -
RFQ
 ECAD 4159 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH32 标准 200 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 IXGH32N60C-NDR Ear99 8541.29.0095 30 480V，32a，4.7Ohm，15V - 600 v 60 a 120 a 2.5V @ 15V，32a 320µJ（离） 110 NC 25NS/85NS
MKI50-12F7 IXYS MKI50-12F7 118.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MKI50 350 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 65 a 3.8V @ 15V，50a 700 µA 不 3.3 NF @ 25 V
MIEB100W1200TEH IXYS MIEB100W1200TEH -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MIEB100 630 w 标准 E3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 - 1200 v 183 a 2.2V @ 15V，100a 300 µA 是的 7.43 NF @ 25 V
IXTY44N10T-TRL IXYS IXTY44N10T-TRL 1.1818
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 ixys 沟 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty44 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXTY44N10T-TRLTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 44A（TC） 10V 30mohm @ 22a，10v 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 V ±30V 1262 PF @ 25 V - 130W（TC）
IXFK64N50P IXYS IXFK64N50P 17.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK64 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 64A（TC） 10V 85mohm @ 32a，10v 5.5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8700 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXTY18P10T IXYS IXTY18P10T 4.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty18 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixty18p10t Ear99 8541.29.0095 70 P通道 100 v 18A（TC） 10V 120mohm @ 9a，10v 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±15V 2100 PF @ 25 V - 83W（TC）
IXTT1N250HV IXYS IXTT1N250HV 48.8700
RFQ
 ECAD 1909年 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt1 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 628949 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 2500 v 1.5A（TC） 10V 40ohm @ 750mA，10v 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1660 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXSN55N120AU1 IXYS IXSN55N120AU1 -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXSN55 500 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 110 a 4V @ 15V，55a 1 MA 不 8 nf @ 25 V
IXFR25N90 IXYS IXFR25N90 -
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR25 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 25A（TC） - - - -
IRFP460 IXYS IRFP460 -
RFQ
 ECAD 5748 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFP46 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 20A（TC） 10V 270MOHM @ 12A，10V 4V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 260W（TC）
IXFC20N80P IXYS IXFC20N80P -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC20N80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 11A（TC） 10V 500mohm @ 10a，10v 5V @ 4mA 85 NC @ 10 V ±30V 4680 pf @ 25 V - 166W（TC）
N6012ZD040 IXYS N6012ZD040 -
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜140°C 底盘安装 TO-200AF N6012 W46 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N6012ZD040 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 400 v 11795 a 3 V 71500A @ 50Hz 300 MA 1.45 v 6012 a 100 ma 标准恢复
MCD220-14IO1 IXYS MCD220-14IO1 -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCD220 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 1.4 kV 400 a 2 v 8500A，9000a 150 ma 250 a 1 sc，1二极管
DLA5P800UC-TUB IXYS DLA5P800UC-TUB 1.7881
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 ixys DLA5P800UC 管子 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DLA5 标准 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DLA5P800UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 5a 1.18 V @ 5 A 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C
MIXG240RF1200P-PC IXYS MIXG240RF1200P-PC 81.6979
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg240 - - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 - - -
IXYH12N250CV1HV IXYS IXYH12N250CV1HV 27.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh12 标准 310 w TO-247（IXYH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，12a，10ohm，15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V，12a 3.56mj（在）上，1.7MJ OFF） 56 NC 12NS/167NS
FII30-06D IXYS FII30-06D -
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FII30 100 W 标准 ISOPLUS I4-PAC™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 半桥 npt 600 v 30 a 2.4V @ 15V，20A 600 µA 不 1.1 NF @ 25 V
IXTP18N60PM IXYS IXTP18N60PM -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 ixtp18 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9A（TC） 10V 420MOHM @ 9A，10V 5.5V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 90W（TC）
IXFN48N50U3 IXYS IXFN48N50U3 -
RFQ
 ECAD 9464 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN48 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 48A（TC） 10V 100mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 270 NC @ 10 V ±20V 8400 PF @ 25 V - 520W（TC）
M0759YC160 IXYS M0759YC160 -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 DO-200AB，A-PUK M0759 标准 W2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M0759YC160 Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.7 V @ 1500 A 2 µs 50 ma @ 1600 V -40°C〜125°C 759a -
VWI3X20-06P1 IXYS VWI3X20-06P1 -
RFQ
 ECAD 7686 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 底盘安装 Eco-PAC1 vwi 标准 Eco-PAC1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 v 20 a - 不
VHF36-14IO5 IXYS VHF36-14IO5 -
RFQ
 ECAD 5069 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 X118 VHF36 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.4 kV 1 V 320a，350a 65 ma 36 a 2 scr，2个二极管
IXGP48N60A3 IXYS IXGP48N60A3 8.1300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP48 标准 300 w TO-220 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-IXGP48N60A3 Ear99 8541.29.0095 50 480V，32A，5OHM，15V 30 ns pt 600 v 120 a 300 a 1.35V @ 15V，32a （950µJ）（在），2.9MJ（2.9MJ）中 110 NC 25NS/334N
IXFN120N65X2 IXYS IXFN120N65X2 39.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN120 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 650 v 108a（TC） 10V 24mohm @ 54a，10v 5.5V @ 8mA 225 NC @ 10 V ±30V 15500 pf @ 25 V - 890W（TC）
IXFT20N60Q IXYS IXFT20N60Q -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft20 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A（TC） 10V 350MOHM @ 10A，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±30V 3300 PF @ 25 V - 300W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭