SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXKN45N80C IXYS IXKN45N80C 54.2000
RFQ
ECAD 1424 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixkn45 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 44A(TC) 10V 74mohm @ 44a,10v 3.9V @ 4mA 360 NC @ 10 V ±20V - 380W(TC)
IXFK98N50P3 IXYS IXFK98NNNN03 18.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK98 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 98A(TC) 10V 50mohm @ 500mA,10v 5V @ 8mA 197 nc @ 10 V ±30V 13100 PF @ 25 V - 1300W(TC)
MCC550-12IO1 IXYS MCC550-12IO1 -
RFQ
ECAD 1737年 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 系列连接 -scr - rohs3符合条件 238-MCC550-12IO1 Ear99 8541.30.0080 1 1 a 1.2 kV 1318 a 3 V 18000a,19800a 300 MA 550 a 2 scr
IXYT40N120A4HV IXYS IXYT40N120A4HV 11.1433
RFQ
ECAD 2458 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXYT40 标准 600 w TO-268HV ixyt) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 238-IXYT40N120A4HV Ear99 8541.29.0095 30 600V,32A,5OHM,15V pt 1200 v 140 a 275 a 1.8V @ 15V,32a 2.3MJ(在)上,3.75MJ off) 90 nc 22NS/204NS
MCD500-22IO1 IXYS MCD500-22IO1 -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 WC-500 MCD500 系列连接 -SCR/二极管 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1 a 2.2 kV 1294 a 3 V 16500a @ 50Hz 300 MA 545 a 1 sc,1二极管
VCK105-12IO7 IXYS VCK105-12IO7 -
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VCK105 普通阴极 -scr 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1.2 kV 180 a 1.5 v 2250a,2400a 150 ma 105 a 2 scr
IXTQ16N50P IXYS ixtq16n50p 5.3400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ16 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 16A(TC) 10V 400mohm @ 8a,10v 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXXR100N60B3H1 IXYS IXXR100N60B3H1 22.5933
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXXR100 标准 400 w ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V,70a,2ohm,15V 140 ns pt 600 v 145 a 440 a 1.8V @ 15V,70a 1.9MJ(在),2MJ(2MJ)中 143 NC 30NS/120NS
IXTH16P20 IXYS IXTH16P20 -
RFQ
ECAD 1569年 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXTH16 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 16A(TC) 10V 160MOHM @ 500mA,10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 300W(TC)
MCD162-12IO1 IXYS MCD162-12IO1 64.0067
RFQ
ECAD 1555年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Y4-M6 MCD162 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.2 kV 300 a 2.5 v 6000a,6400a 150 ma 190 a 1 sc,1二极管
CS23-12IO2 IXYS CS23-12IO2 -
RFQ
ECAD 2194 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 底盘,螺柱坐骑 TO-208AA,TO-48-3,螺柱 CS23 TO-208AA(TO-48) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.2 kV 50 a 2.5 v 450a,480a 50 mA 1.8 v 32 a 3 ma 标准恢复
IXTH10P50P IXYS ixth10p50p 8.4800
RFQ
ECAD 9566 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth10 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 10A(TC) 10V 1欧姆 @ 5A,10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXTA1R4N100PTRL IXYS ixta1r4n100ptrl 2.0761
RFQ
ECAD 5188 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB ixta1 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta1r4n100ptrltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1000 v 1.4A(TC) 10V 11.8ohm @ 700mA,10v 4.5V @ 50µA 17.8 NC @ 10 V ±20V 450 pf @ 25 V - 63W(TC)
IXFB100N50P IXYS IXFB100N50P 31.5000
RFQ
ECAD 8522 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFB100 MOSFET (金属 o化物) 加上264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 100A(TC) 10V 49mohm @ 50a,10v 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±30V 20000 PF @ 25 V - 1890W(TC)
IXYX300N65A3 IXYS IXYX300N65A3 35.2647
RFQ
ECAD 1357 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 标准 2300 w 加上247™-3 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYX300N65A3 Ear99 8541.29.0095 30 400V,100A,1OHM,15V 125 ns pt 650 v 600 a 1460 a 1.6V @ 15V,100a 7.8MJ(在)上,4.7MJ off) 565 NC 42NS/190NS
IXTY90N055T2-TRL IXYS IXTY90N055T2-TRL 1.7155
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty90 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty90n055t2-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 90A(TC) 10V 8.4mohm @ 25a,10v 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2770 pf @ 25 V - 150W(TC)
MDO1200-18N1 IXYS MDO1200-18N1 -
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 Y1-CU MDO1200 标准 Y1-CU - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1800 v - -
IXTA170N075T2 IXYS IXTA170N075T2 3.5880
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IXTA170 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 170a(TC) 10V 5.4mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ±20V 6860 pf @ 25 V - 360W(TC)
HTZ180D35K IXYS htz180d35k -
RFQ
ECAD 3721 0.00000000 ixys htz180d 盒子 积极的 底盘安装 模块 htz180 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 35000 v 1.3a 22 V @ 2 A 500 µA @ 35000 V
W6262ZC240 IXYS W6262ZC240 -
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200ae W6262 标准 W7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-W6262ZC240 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2400 v 1.18 V @ 6800 A 150 ma @ 2400 V -40°C〜175°C 6262a -
IXTV36N50PS IXYS IXTV36N50PS -
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 加220SMD ixtv36 MOSFET (金属 o化物) 加220SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 36a(TC) 10V 170MOHM @ 500mA,10V 5V @ 250µA 85 NC @ 10 V ±30V 5500 PF @ 25 V - 540W(TC)
IXTM6N90A IXYS IXTM6N90A -
RFQ
ECAD 5367 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 ixtm6 MOSFET (金属 o化物) TO-204AA(IXTM) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 900 v 6A(TC) 10V 1.4OHM @ 3A,10V 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 180W(TC)
IXYN100N65C3H1 IXYS IXYN100N65C3H1 34.3000
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘,螺柱坐骑 SOT-227-4,迷你布洛克 ixyn100 600 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 650 v 166 a 2.3V @ 15V,70a 50 µA 4.98 nf @ 25 V
IXFJ40N30Q IXYS IXFJ40N30Q -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXFJ40 MOSFET (金属 o化物) TO-268 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 40a(TC) 10V 80Mohm @ 20a,10v 4V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4 -
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXXN200 标准 1250 w SOT-227B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 400V,100A,1OHM,15V 160 ns - 650 v 440 a 1200 a 1.8V @ 15V,200a 8.8mj(在)上,6.7MJ off) 736 NC 140NS/1.04µs
IXGQ20N120B IXYS IXGQ20N120B -
RFQ
ECAD 4357 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXGQ20 标准 190 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,20a,10ohm,15V 40 ns pt 1200 v 40 a 100 a 3.4V @ 15V,20A 2.1MJ(() 62 NC 20N/270NS
P0848YC04C IXYS P0848YC04C 162.0000
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 ixys - 盒子 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB,B-PUK P0848 W58 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-P0848YC04C Ear99 8541.30.0080 24 1 a 400 v 1713 a 3 V 9625a @ 50Hz 200 ma 1.47 v 848 a 50 mA 标准恢复
CS22-08IO1M IXYS CS22-08IO1M 3.7600
RFQ
ECAD 8657 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 CS22 TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CS2208IO1M Ear99 8541.30.0080 50 60 ma 800 v 25 a 1.3 v 300a,325a 30 ma 1.3 v 16 a 10 µA 标准恢复
VVZ24-16IO1 IXYS VVZ24-16IO1 -
RFQ
ECAD 1922年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 卡姆 VVZ 桥梁,三相-scr/二极管 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 5 100 ma 1.6 kV 16 a 1 V 300a,320a 65 ma 21 a 3 scr,3个二极管
IXYH30N120C4 IXYS IXYH30N120C4 8.6576
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixyh30 标准 500 w TO-247(IXYH) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixyh30n120c4 Ear99 8541.29.0095 30 960V,25a,5ohm,15V 58 ns pt 1200 v 94 a 166 a 2.4V @ 15V,25a 4.8MJ(在)上,1.5MJ(1.5MJ) 57 NC 18NS/205NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库