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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	NTC热敏电阻
M2505MC250	-	RFQ	8766	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk	M2505		标准				W54	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M2505MC250	Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					2500 v		991 MV @ 2000 A	7.6 µs		-	2505a	-
MCNA40P2200TA	40.3572	RFQ	1672年	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCNA40				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCNA40P2200TA	Ear99	8541.30.0080	36				100 ma												2.2 kV	63 a	1.4 v	500a，540a	70 MA	40 a										2 scr
MDD95-12N1B	38.0100	RFQ	5126	ixys	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-240AA	MDD95		标准				TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	1200 v	120a	1.43 V @ 300 A		15 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXFH66N20Q	-	RFQ	1427	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH66		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	66A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 25 V	-	400W（TC）
MCNA95PD2200TB	49.7497	RFQ	9467	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCNA95				系列连接 -SCR/二极管			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCNA95PD2200TB	Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												2.2 kV	149 a	1.5 v	1700a，1840a	150 ma	95 a										1 sc，1二极管
IXSH15N120BD1	-	RFQ	9907	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH15	标准		150 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					960V，15a，10ohm，15V																					30 ns						pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
MCB60I1200TZ	-	RFQ	9220	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MCB60I1200		sicfet （碳化硅）				TO-268AA（D3PAK-HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q10970246	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1200 v	90A（TC）	20V	34mohm @ 50a，20v	4V @ 15mA	160 NC @ 20 V	+20V，-5V	2790 pf @ 1000 V	-	-
ixta44p15t	6.5100	RFQ	4	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta44		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	629516	Ear99	8541.29.0095	50			P通道			150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixft6n100f	-	RFQ	3096	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft6		MOSFET （金属 o化物）				TO-268	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH120N30x3	17.3300	RFQ	8019	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	120A（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	1376 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXFR24N100Q3	32.9000	RFQ	150	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	18A（TC）	10V	490MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH50N20	10.7200	RFQ	36	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH50N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MCD95-08IO1B	34.1144	RFQ	3427	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD95				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												800 v	180 a	2.5 v	2250a，2400a	150 ma	116 a										1 sc，1二极管
IXFN50N120SK	81.1200	RFQ	1065	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN50		sicfet （碳化硅）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			1200 v	48A（TC）	20V	52MOHM @ 40a，20V	2.8V @ 10mA	115 NC @ 20 V	+20V，-5V	1895 PF @ 1000 V	-	-
MCC132-14IO1B	73.9050	RFQ	3541	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCC132				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCC132-14IO1B	Ear99	8541.30.0080	6				200 ma												1.4 kV	300 a	2.5 v	4750a，5130a	150 ma	130 a										2 scr
T-FD28N50Q-72	-	RFQ	6906	ixys	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1							-
IXFX50N50	-	RFQ	9640	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX50		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	50A（TC）	10V	100mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFH70N30Q3	18.7413	RFQ	5246	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH70		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			300 v	70A（TC）	10V	54mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXTP14N60P	4.8100	RFQ	230	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp14		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP14N85X	6.5000	RFQ	95	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP14		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB（IXFP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			850 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1043 PF @ 25 V	-	460W（TC）
MIXG450PF1700TSF	225.2033	RFQ	9177	ixys	-	盒子	积极的	-	底盘安装	Simbus f	Mixg450					标准	Simbus f	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG450PF1700TSF			3	单身的																															pt				-				不
IXFN200N07	-	RFQ	7838	ixys	Hiperfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN200		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN200N07-NDR	Ear99	8541.29.0095	10			n通道			70 v	200a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	480 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFX100N25	-	RFQ	6675	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX100		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFB38N100Q2	-	RFQ	2615	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB38		MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1000 v	38A（TC）	10V	250mohm @ 19a，10v	5.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
FCC21-12IO	-	RFQ	8204	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FCC21				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	24				100 ma												1.2 kV		1.4 v	300A @ 50Hz	55 MA	21 a										2 scr
IXFH30N60P	10.9000	RFQ	145	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	82 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFP14N60P3	-	RFQ	3137	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP14		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp14n60p3	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	14A（TC）	10V	540MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	327W（TC）
IXFK50N50	19.2500	RFQ	3256	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK50		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			500 v	50A（TC）	10V	80Mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	560W（TC）
VVZF70-14IO7	-	RFQ	7331	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VVZF70				桥梁，三相-scr/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma												1.4 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma	70 a										3 scr，3个二极管
IXTR16P60P	12.6677	RFQ	4029	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr16		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道			600 v	10A（TC）	10V	790MOHM @ 8A，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	190w（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²