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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量
IXFH14N60P3	-	RFQ	5693	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh14n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	14A（TC）	10V	540MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	327W（TC）
IXFX44N50Q	-	RFQ	5686	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX44	MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
DSEE55-24N1F	36.9900	RFQ	1872年	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	I4-PAC™-3	DSEE55	标准		I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对系列连接	1200 v	60a	2.45 V @ 60 A	220 ns	1 ma @ 1200 V	-55°C 〜175°C
T-FD28N50Q-72	-	RFQ	6906	ixys	-	大部分	过时的								-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1					-
IXFX50N50	-	RFQ	9640	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX50	MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	100mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXTP14N60P	4.8100	RFQ	230	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FCC21-12IO	-	RFQ	8204	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FCC21		系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	24			100 ma											1.2 kV		1.4 v	300A @ 50Hz	55 MA		21 a												2 scr
DSEI36-06AS-TUB	4.6000	RFQ	504	ixys	弗雷德	管子	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DSEI36	标准		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							600 v		1.6 V @ 37 A	50 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	37a	-
IXFN200N07	-	RFQ	7838	ixys	Hiperfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN200	MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN200N07-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		70 v	200a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	480 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFB38N100Q2	-	RFQ	2615	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB38	MOSFET （金属 o化物）		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	38A（TC）	10V	250mohm @ 19a，10v	5.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFK98NNNN03	18.5800	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK98	MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	98A（TC）	10V	50mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±30V	13100 PF @ 25 V	-	1300W（TC）
DGS20-018A	-	RFQ	5396	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	DGS20	肖特基		TO-220AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							180 v		1 V @ 7.5 A		2 ma @ 180 V	-55°C 〜175°C	23a	-
W2054NC420	-	RFQ	1859年	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk	W2054	标准		W5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W2054NC420	Ear99	8541.10.0080	12	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							4200 v		1.7 V @ 3000 A		50 ma @ 4200 V	-40°C〜160°C	2055a	-
IXTH16P60P	11.6500	RFQ	1153	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16	MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		600 v	16A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
ixtp8n50p	-	RFQ	6495	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 100µA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DSEC30-04A	-	RFQ	5277	ixys	Hiperfred™	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSEC30	标准		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	120	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	400 v	15a	1.47 V @ 15 A	30 ns	100 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
DPF60I200HA	6.1383	RFQ	2301	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DPF60I200	标准		TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						-	200 v	60a				-55°C 〜175°C
ixta130n10t-trl	3.3089	RFQ	3335	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta130	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFX100N25	-	RFQ	6675	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX100	MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTP270N04T4	4.4300	RFQ	24	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP270	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	270a（TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±15V	9140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
DMA150E1600NA	38.9300	RFQ	8896	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DMA150	标准		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1600 v		1.15 V @ 150 A		200 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	150a	60pf @ 400V，1MHz
DSEP30-03A	-	RFQ	9517	ixys	Hiperfred™	管子	过时的		通过洞	TO-247-2	DSEP30	标准		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	150	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							300 v		1.55 V @ 30 A	25 ns	250 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	30a	-
MCC56-18IO1B	38.7000	RFQ	47	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCC56		系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36			200 ma											1.8 kV	100 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		64 a												2 scr
IXTC75N10	-	RFQ	1865年	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc75	MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	72A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXKC15N60C5	-	RFQ	4528	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC15	MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 900µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
M2505MC250	-	RFQ	8766	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk	M2505	标准		W54	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M2505MC250	Ear99	8541.10.0080	6	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							2500 v		991 MV @ 2000 A	7.6 µs		-	2505a	-
IXTP80N12T2	2.9800	RFQ	5715	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtp80n12t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	80A（TC）	10V	17mohm @ 40a，10v	4.5V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	325W（TC）
DSSK28-0045A	-	RFQ	4130	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DSSK28	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	45 v	15a	670 mv @ 15 A		500 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C
CS8-12IO2	-	RFQ	1324	ixys	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘，螺柱坐骑	TO-208AB，TO-64-3，螺柱	CS8			TO-64	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10			80 ma											1.2 kV	25 a	2.5 v	250a，270a	30 ma	1.6 v	16 a	3 ma	标准恢复
IXFH160N15T	-	RFQ	5025	ixys	TrechHV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH160	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	160a（TC）	10V	9.6mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	160 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²