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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	NTC热敏电阻
IXFR24N100Q3	32.9000	RFQ	150	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1000 v	18A（TC）	10V	490MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH50N20	10.7200	RFQ	36	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH50N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			200 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MCD95-08IO1B	34.1144	RFQ	3427	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD95				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36			200 ma												800 v	180 a	2.5 v	2250a，2400a	150 ma	116 a		1 sc，1二极管
IXFN50N120SK	81.1200	RFQ	1065	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN50		sicfet （碳化硅）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道			1200 v	48A（TC）	20V	52MOHM @ 40a，20V	2.8V @ 10mA	115 NC @ 20 V	+20V，-5V	1895 PF @ 1000 V	-	-
MCC132-14IO1B	73.9050	RFQ	3541	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCC132				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCC132-14IO1B	Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												1.4 kV	300 a	2.5 v	4750a，5130a	150 ma	130 a		2 scr
T-FD28N50Q-72	-	RFQ	6906	ixys	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1						-
IXFX50N50	-	RFQ	9640	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX50		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			500 v	50A（TC）	10V	100mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFH70N30Q3	18.7413	RFQ	5246	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH70		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			300 v	70A（TC）	10V	54mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXTP14N60P	4.8100	RFQ	230	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp14		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MIXG450PF1700TSF	225.2033	RFQ	9177	ixys	-	盒子	积极的	-	底盘安装	Simbus f	Mixg450					标准	Simbus f	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG450PF1700TSF			3	单身的																						pt				-				不
IXFN200N07	-	RFQ	7838	ixys	Hiperfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN200		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN200N07-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			70 v	200a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	480 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFX100N25	-	RFQ	6675	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX100		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFB38N100Q2	-	RFQ	2615	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB38		MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			1000 v	38A（TC）	10V	250mohm @ 19a，10v	5.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
FCC21-12IO	-	RFQ	8204	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FCC21				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	24			100 ma												1.2 kV		1.4 v	300A @ 50Hz	55 MA	21 a		2 scr
IXFP14N60P3	-	RFQ	3137	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP14		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp14n60p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	14A（TC）	10V	540MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	327W（TC）
VVZF70-14IO7	-	RFQ	7331	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VVZF70				桥梁，三相-scr/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10			200 ma												1.4 kV		1.5 v	550a，600a	100 ma	70 a		3 scr，3个二极管
IXTR16P60P	12.6677	RFQ	4029	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr16		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道			600 v	10A（TC）	10V	790MOHM @ 8A，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IXKN45N80C	54.2000	RFQ	1424	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixkn45		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道			800 v	44A（TC）	10V	74mohm @ 44a，10v	3.9V @ 4mA	360 NC @ 10 V	±20V		-	380W（TC）
IXFK98NNNN03	18.5800	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK98		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			500 v	98A（TC）	10V	50mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±30V	13100 PF @ 25 V	-	1300W（TC）
MCC550-12IO1	-	RFQ	1737年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCC550-12IO1	Ear99	8541.30.0080	1			1 a												1.2 kV	1318 a	3 V	18000a，19800a	300 MA	550 a		2 scr
IXYT40N120A4HV	11.1433	RFQ	2458	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXYT40	标准		600 w			TO-268HV ixyt）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-IXYT40N120A4HV	Ear99	8541.29.0095	30				600V，32A，5OHM，15V																			pt	1200 v	140 a	275 a	1.8V @ 15V，32a	2.3MJ（在）上，3.75MJ off）	90 nc	22NS/204NS
MCD500-22IO1	-	RFQ	6238	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MCD500				系列连接 -SCR/二极管			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			1 a												2.2 kV	1294 a	3 V	16500a @ 50Hz	300 MA	545 a		1 sc，1二极管
ixtq16n50p	5.3400	RFQ	15	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ16		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXXR100N60B3H1	22.5933	RFQ	3553	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXR100	标准		400 w			ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				360V，70a，2ohm，15V																	140 ns		pt	600 v	145 a	440 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
IXTH16P20	-	RFQ	1569年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道			200 v	16A（TC）	10V	160MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MCD162-12IO1	64.0067	RFQ	1555年	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCD162				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6			200 ma												1.2 kV	300 a	2.5 v	6000a，6400a	150 ma	190 a		1 sc，1二极管
ixth10p50p	8.4800	RFQ	9566	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道			500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
ixta1r4n100ptrl	2.0761	RFQ	5188	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1r4n100ptrltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道			1000 v	1.4A（TC）	10V	11.8ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 50µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IXFB100N50P	31.5000	RFQ	8522	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB100		MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			500 v	100A（TC）	10V	49mohm @ 50a，10v	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
IXYX300N65A3	35.2647	RFQ	1357	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		标准		2300 w			加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYX300N65A3	Ear99	8541.29.0095	30				400V，100A，1OHM，15V																	125 ns		pt	650 v	600 a	1460 a	1.6V @ 15V，100a	7.8MJ（在）上，4.7MJ off）	565 NC	42NS/190NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²