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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFX44N50Q	-	RFQ	5686	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX44		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixtp8n50p	-	RFQ	6495	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			500 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 100µA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
UGE3126AY4	112.0900	RFQ	5572	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	uge	UGE3126		标准			uge	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							24000 v		18 V @ 3 A		1 ma @ 24000 V		2a	-
IXTH16P60P	11.6500	RFQ	1153	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道			600 v	16A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH14N60P3	-	RFQ	5693	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh14n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			600 v	14A（TC）	10V	540MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	327W（TC）
VCO180-14IO7	-	RFQ	9192	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜130°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCO180				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25			200 ma												1.4 kV	280 a	1.5 v	4500A，4900A	300 MA		180 a											1 scr
DGS20-018A	-	RFQ	5396	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	DGS20		肖特基			TO-220AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							180 v		1 V @ 7.5 A		2 ma @ 180 V	-55°C 〜175°C	23a	-
htz160c12k	-	RFQ	8930	ixys	htz160c	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz160		标准			模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	12000 v	1.7a	12 V @ 2 A		500 µA @ 12000 V
CLA100E1200KB	8.4192	RFQ	7808	ixys	CLA100E1200KB	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	CLA100					TO-264	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CLA100EE1200KB	Ear99	8541.30.0080	25			100 ma												1.2 kV	160 a	1.5 v	1100a，11900a	40 MA	1.37 v	100 a	标准恢复
ixta130n10t-trl	3.3089	RFQ	3335	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTT11P50	12.3800	RFQ	2546	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt11		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道			500 v	11A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DPF60I200HA	6.1383	RFQ	2301	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DPF60I200		标准			TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						-	200 v	60a				-55°C 〜175°C
DSEE55-24N1F	36.9900	RFQ	1872年	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	I4-PAC™-3	DSEE55		标准			I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对系列连接	1200 v	60a	2.45 V @ 60 A	220 ns	1 ma @ 1200 V	-55°C 〜175°C
W2054NC420	-	RFQ	1859年	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk	W2054		标准			W5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W2054NC420	Ear99	8541.10.0080	12	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							4200 v		1.7 V @ 3000 A		50 ma @ 4200 V	-40°C〜160°C	2055a	-
IXGF20N250	60.0072	RFQ	8181	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF20	标准		100 W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				-																													-	2500 v	23 a	105 a	3.1V @ 15V，20A	-	53 NC	-
IXTC75N10	-	RFQ	1865年	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc75		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	72A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFH160N15T	-	RFQ	5025	ixys	TrechHV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			150 v	160a（TC）	10V	9.6mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	160 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXTP80N12T2	2.9800	RFQ	5715	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp80		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtp80n12t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			120 v	80A（TC）	10V	17mohm @ 40a，10v	4.5V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	325W（TC）
DMA150E1600NA	38.9300	RFQ	8896	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DMA150		标准			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1600 v		1.15 V @ 150 A		200 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	150a	60pf @ 400V，1MHz
IXKC15N60C5	-	RFQ	4528	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC15		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 900µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXTP270N04T4	4.4300	RFQ	24	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP270		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	270a（TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±15V	9140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
M2505MC250	-	RFQ	8766	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk	M2505		标准			W54	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M2505MC250	Ear99	8541.10.0080	6	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							2500 v		991 MV @ 2000 A	7.6 µs		-	2505a	-
MCNA40P2200TA	40.3572	RFQ	1672年	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCNA40				系列连接 -scr		-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCNA40P2200TA	Ear99	8541.30.0080	36			100 ma												2.2 kV	63 a	1.4 v	500a，540a	70 MA		40 a											2 scr
MDD95-12N1B	38.0100	RFQ	5126	ixys	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-240AA	MDD95		标准			TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	1200 v	120a	1.43 V @ 300 A		15 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXFH66N20Q	-	RFQ	1427	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH66		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道			200 v	66A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXSH15N120BD1	-	RFQ	9907	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH15	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，15a，10ohm，15V																							30 ns						pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
MCB60I1200TZ	-	RFQ	9220	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MCB60I1200		sicfet （碳化硅）			TO-268AA（D3PAK-HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q10970246	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1200 v	90A（TC）	20V	34mohm @ 50a，20v	4V @ 15mA	160 NC @ 20 V	+20V，-5V	2790 pf @ 1000 V	-	-
ixta44p15t	6.5100	RFQ	4	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta44		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	629516	Ear99	8541.29.0095	50		P通道			150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixft6n100f	-	RFQ	3096	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft6		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH120N30x3	17.3300	RFQ	8019	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			300 v	120A（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	1376 PF @ 25 V	-	735W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²