SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFK170N10P IXYS IXFK170N10P 13.4900
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK170 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 170a（TC） 10V 9mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 198 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 715W（TC）
IXGK75N250 IXYS IXGK75N250 116.4100
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixgk75 标准 780 w TO-264（ixgk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - npt 2500 v 170 a 530 a 3.6V @ 15V，150a - 410 NC -
N1581QL180 IXYS N1581QL180 -
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK N1581 WP6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N1581QL180 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 1.8 kV 3050 a 3 V 21000a @ 50Hz 300 MA 2.2 v 1535 a 100 ma 标准恢复
IXTP12N70X2M IXYS ixtp12n70x2m 4.3970
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 ixtp12 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtp12n70x2m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 700 v 12A（TC） 10V 300mohm @ 6a，10v 4.5V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±30V 960 pf @ 25 V - 40W（TC）
IXTA60N10T IXYS ixta60n10t 2.8900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta60 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 60a（TC） 10V 18mohm @ 25a，10v 4.5V @ 50µA 49 NC @ 10 V ±30V 2650 pf @ 25 V - 176W（TC）
CS19-08HO1 IXYS CS19-08HO1 2.8900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-220-3 CS19 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 50 mA 800 v 29 a 1.5 v 160a，180a 28 ma 1.6 v 19 a 5 ma 标准恢复
VID130-06P1 IXYS VID130-06P1 -
RFQ
 ECAD 1806年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vid 379 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 600 v 121 a 2.9V @ 15V，130a 1.2 ma 是的 4.2 NF @ 25 V
IXFH36N55Q IXYS IXFH36N55Q -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH36 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 550 v 36a（TC） 10V 160MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 128 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXSP15N120B IXYS IXSP15N120B -
RFQ
 ECAD 1850年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXSP15 标准 150 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 960V，15a，10ohm，15V - 1200 v 30 a 60 a 3.4V @ 15V，15a 1.75MJ（） 57 NC 30NS/148NS
IXGR48N60B3D4A IXYS IXGR48N60B3D4A -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGR48 标准 ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v - - -
IXYA50N65C3-TRL IXYS ixya50n65c3-trl 5.3818
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixya50 标准 600 w TO-263AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya50n65c3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 400V，36a，5ohm，15V 36 NS pt 650 v 132 a 250 a 2.1V @ 15V，36a 800µJ（在）上，470µJ（OFF） 86 NC 20N/90NS
DMA240YC1600NA IXYS DMA240YC1600NA 36.5480
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 ixys DMA240YC1600NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DMA240 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA240YC1600NA Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2对普通阴极 1600 v 240a 1.72 V @ 240 A 50 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
MKI50-06A7 IXYS MKI50-06A7 -
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MKI50 225 w 标准 E2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 完整的桥梁逆变器 npt 600 v 72 a 2.4V @ 15V，50a 600 µA 不 2.8 nf @ 25 V
IXFL55N50 IXYS IXFL55N50 -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFL55 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 55A（TC） - - - -
IXTP1R6N50D2 IXYS ixtp1r6n50d2 3.0700
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp1 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 1.6A（TC） - 2.3OHM @ 800mA，0v - 23.7 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V 耗尽模式 100W（TC）
IXTB30N100L IXYS IXTB30N100L 55.9735
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXTB30 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 30A（TC） 20V 450MOHM @ 500mA，20V 5V @ 250µA 545 NC @ 20 V ±30V 13200 PF @ 25 V - 800W（TC）
IXFX60N25Q IXYS IXFX60N25Q -
RFQ
 ECAD 4945 0.00000000 ixys - 管子 过时的 IXFX60 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 30 -
IXFK14N100Q IXYS IXFK14N100Q -
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK14 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 14A（TC） 10V 750MOHM @ 7A，10V 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXGT10N170 IXYS IXGT10N170 10.0900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT10 标准 110 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - npt 1700 v 20 a 70 a 4V @ 15V，10a - 32 NC -
IXYP30N120A4 IXYS IXYP30N120A4 15.7604
RFQ
 ECAD 7021 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP30 标准 500 w TO-220（（IXYP） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYP30N120A4 Ear99 8541.29.0095 50 960V，25a，5ohm，15V 42 ns - 1200 v 106 a 184 a 1.9V @ 15V，25a 4MJ（在）上，3.4MJ（3.4MJ） 57 NC 15NS/235NS
IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P 35.5900
RFQ
 ECAD 6181 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN140 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 110A（TC） 10V 24mohm @ 70a，10v 5V @ 8mA 185 NC @ 10 V ±20V 14800 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N303 48.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN210 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn210n303 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 192a（TC） 10V 14.5MOHM @ 105A，10V 5V @ 8mA 268 NC @ 10 V ±20V 16200 PF @ 25 V - 1500W（TC）
MCD552-16IO2 IXYS MCD552-16IO2 -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 系列连接 -SCR/二极管 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCD552-16IO2 Ear99 8541.30.0080 4 300 MA 1.6 kV 1300 a 2.5 v 17500A @ 50Hz 250 MA 550 a 1 sc，1二极管
VCD105-14IO7 IXYS VCD105-14IO7 -
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VCD105 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1.4 kV 180 a 1.5 v 2250a，2400a 150 ma 105 a 1 sc，1二极管
IXTQ18N60P IXYS ixtq18n60p 5.3467
RFQ
 ECAD 4061 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ18 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 18A（TC） 10V 420MOHM @ 9A，10V 5.5V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTH250N075T IXYS IXTH250N075T -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH250 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 250A（TC） 10V 4mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 25 V - 550W（TC）
CS60-16IO1 IXYS CS60-16IO1 18.0100
RFQ
 ECAD 708 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜140°C 通过洞 TO-247-3变体 CS60 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 CS6016IO1 Ear99 8541.30.0080 30 200 ma 1.6 kV 75 a 1.5 v 1500a，1600a 100 ma 1.4 v 48 a 10 MA 标准恢复
S6X8BBS3RP IXYS S6X8BBS3RP 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys SXX8BBS 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 S6x8 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3,000 10 MA 600 v 800 MA 800 mv 10a，12a 200 µA 1.7 v 510 MA 5 µA 敏感门
IXGT30N120B3D1 IXYS IXGT30N120B3D1 12.0000
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT30 标准 300 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，30a，5ohm，15V 100 ns pt 1200 v 150 a 3.5V @ 15V，30a 3.47MJ（在）上，2.16MJ off） 87 NC 16NS/127NS
FMM50-025TF IXYS FMM50-025TF 18.8696
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM50 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 250V 30a 50mohm @ 25a，10v 4.5V @ 250µA 78nc @ 10V 4000pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭