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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTP28P065T	3.7600	RFQ	330	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp28		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道			65 v	28a（TC）	10V	45mohm @ 14a，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	2030 pf @ 25 V	-	83W（TC）
VDI50-06P1	-	RFQ	1122	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			130 w		标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的																																	npt	600 v	42.5 a		2.9V @ 15V，50a				600 µA	是的	16 NF @ 25 V
IXFA10N80P-TRL	2.9328	RFQ	1823年	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA10		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa10n80p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5.5V @ 2.5mA	40 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MCD44-18IO1B	30.1081	RFQ	7511	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD44				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma													1.8 kV	80 a	1.5 v	1150a，1230a	100 ma		51 a										1 sc，1二极管
IXTA90N055T2	2.5796	RFQ	7723	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta90		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	90A（TC）	10V	8.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DSA50C100HB	-	RFQ	1185	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSA50C100		肖特基				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	100 v	25a	900 mv @ 25 A		450 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
CLA40MT1200NPB	4.7300	RFQ	50	ixys	DT-TRIAC™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CLA40						TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			50 mA												标准	1.2 kV	44 a	1.3 v	200a，215a	40 MA
IXTT110N10L2	21.5000	RFQ	1	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT110		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt110n10l2	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			100 v	110A（TC）	10V	18mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXGH12N60BD1	-	RFQ	7280	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准		100 W			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，12a，18onm，15v																									35 ns				-	600 v	24 a	48 a	2.1V @ 15V，12A	500µJ（脱离）	32 NC	20N/150NS
IXTH72N20T	-	RFQ	6402	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXTH72		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	72A（TC）		-	-				-	-
MCD95-16IO8B	39.6800	RFQ	1	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD95				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma													1.6 kV	180 a	2.5 v	2250a，2400a	150 ma		116 a										1 sc，1二极管
DSSS35-01AR	-	RFQ	2285	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	DSSS35		肖特基				ISOPLUS247™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	90		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	100 v	-				-
IXGT6N170	6.6100	RFQ	9930	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT6	标准		75 w			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixgt6n170	Ear99	8541.29.0095	30					1360v，6a，33ohm，15V																													npt	1700 v	12 a	24 a	4V @ 15V，6A	1.5mj（（）	20 nc	40NS/250NS
VVZ110-12IO7	78.8500	RFQ	10	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	PWS-E2	VVZ110				桥梁，三相-scr/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5				200 ma													1.2 kV	58 a	1.5 v	1150a，1230a	100 ma		110 a										3 scr，3个二极管
IXTT140N10P	11.0100	RFQ	15	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT140		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			100 v	140a（TC）	10V，15V	11mohm @ 70a，10v	5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTK160N20	-	RFQ	8456	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK160		MOSFET （金属 o化物）				TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			200 v	160a（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	415 NC @ 10 V	±20V	12900 PF @ 25 V	-	730W（TC）
DSEI2x31-10p	-	RFQ	8326	ixys	-	盒子	过时的		底盘安装	Eco-PAC1	dsei2x		标准				Eco-PAC1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2独立	1000 v	30a	2.4 V @ 30 A	50 ns	750 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C
IXFR21N100Q	-	RFQ	8360	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR21		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	18A（TC）	10V	500mohm @ 10.5a，10v	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 25 V	-	350W（TC）
IXFH12N120	-	RFQ	3634	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1200 v	12A（TC）	10V	1.4OHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFT18N100Q3	19.0290	RFQ	1920年	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft18		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	18A（TC）	10V	660MOHM @ 9A，10V	6.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±30V	4890 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXFK48N60P	19.7000	RFQ	200	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			600 v	48A（TC）	10V	135mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8860 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXFB30N120P	48.9200	RFQ	3182	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB30		MOSFET （金属 o化物）				加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1200 v	30A（TC）	10V	350MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	310 NC @ 10 V	±20V	22500 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFP8N65x2	2.4295	RFQ	1725年	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP8N65		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	790 pf @ 25 V	-	150W（TC）
MDC700-18IO1W	-	RFQ	3046	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-500	MDC700				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1																	1.8 kV	1331 a		18200 @ 50MHz			700 a										1 sc，1二极管
IXGH32N90B2	-	RFQ	7235	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		300 w			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					720v，32a，5ohm，15v																													pt	900 v	64 a	200 a	2.7V @ 15V，32a	2.6mj（（）	89 NC	20NS/260NS
N4340TE220	-	RFQ	1467	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	N4340						W82	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-N4340TE220	Ear99	8541.30.0080	6				1 a													2.2 kV	8545 a	3 V	60500A @ 50Hz	300 MA	2.12 v	4340 a	200 ma	标准恢复
IXTH72N20	-	RFQ	5353	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH72		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	72A（TC）	10V	33mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFQ24N50Q	-	RFQ	5526	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ24		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	24A（TC）		-	-				-	-
MCO150-16IO1	43.5600	RFQ	1301	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MCO150				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma													1.6 kV	234 a	1.5 v	2000a，2150a	150 ma		149 a										1 scr
IXTA180N055T	-	RFQ	7682	ixys	-	管子	过时的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta180		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	180a（TC）		-	4V @ 1mA				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²