SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
DSSK28-0045A IXYS DSSK28-0045A -
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 DSSK28 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 15a 670 mv @ 15 A 500 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
DSEP30-03A IXYS DSEP30-03A -
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 DSEP30 标准 TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 150 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.55 V @ 30 A 25 ns 250 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 30a -
IXTA220N075T7 IXYS IXTA220N075T7 -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta220 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 220A（TC） 10V 4.5MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 25 V - 480W（TC）
DMA10IM1200UZ-TUB IXYS DMA10IM1200UZ-TUB 1.3781
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMA10 标准 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA10IM1200UZ-TUB Ear99 8541.10.0080 70 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.26 V @ 10 A 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 4pf @ 400V，1MHz
MCC225-18IO1 IXYS MCC225-18IO1 155.9433
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCC225 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.8 kV 400 a 2 v 8000a，8500a 150 ma 221 a 2 scr
MCC700-14IO1W IXYS MCC700-14IO1W -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 WC-500 MCC700 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1 1.4 kV 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 2 scr
MCMA85PD1200TB IXYS MCMA85PD1200TB 29.6222
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA85 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.2 kV 135 a 1.5 v 1500a，1620a 95 MA 85 a 1 sc，1二极管
IXGP16N60B2D1 IXYS IXGP16N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP16 标准 150 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，12A，22OHM，15V 30 ns pt 600 v 40 a 100 a 1.95V @ 15V，12A 160µJ（在）上，120µJ（120µJ） 24 NC 18NS/73NS
IXGH20N120IH IXYS IXGH20N120IH -
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH20 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
HTZ260G16K IXYS HTZ260G16K -
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 ixys htz260g 盒子 积极的 底盘安装 模块 HTZ260 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 16800 v 4.7a 16 V @ 12 A 500 µA @ 16800 V
VMO1600-02P IXYS VMO1600-02P -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 ixys Polarht™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 y3-li VMO MOSFET （金属 o化物） y3-li 下载 （1 （无限） 到达不受影响 VMO160002P Ear99 8541.29.0095 2 n通道 200 v 1900a（TC） 10V 1.7MOHM @ 1600A，10V 5V @ 5mA 2900 NC @ 10 V ±20V - -
IXFT30N60Q IXYS IXFT30N60Q -
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft30 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 30A（TC） 10V 230MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 125 NC @ 10 V ±20V 4700 PF @ 25 V - 500W（TC）
DPG30C200HB IXYS DPG30C200HB 3.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DPG30C200 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 15a 1.25 V @ 15 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
IXFH28N60P3 IXYS IXFH28N60P3 7.5200
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH28 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 28a（TC） 10V 260mohm @ 14a，10v 5V @ 2.5mA 50 NC @ 10 V ±30V 3560 pf @ 25 V - 695W（TC）
IXGH12N60BD1 IXYS IXGH12N60BD1 -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH12 标准 100 W TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，12a，18onm，15v 35 ns - 600 v 24 a 48 a 2.1V @ 15V，12A 500µJ（脱离） 32 NC 20N/150NS
IXTH72N20T IXYS IXTH72N20T -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXTH72 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 72A（TC） - - - -
DSSK50-0025B IXYS DSSK50-0025B -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK50 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 25 v 25a 510 MV @ 25 A 12 ma @ 25 V -55°C〜150°C
VUB120-12NO2 IXYS VUB120-12NO2 -
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v2-pak VUB120 标准 v2-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 2.7 V @ 30 A 500 µA @ 1200 V 188 a （（（） 1.2 kV
IXFK120N25 IXYS IXFK120N25 -
RFQ
 ECAD 6617 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 250 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 400 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 560W（TC）
FMD21-05QC IXYS FMD21-05QC -
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMD21 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 21a（TC） 10V 220MOHM @ 15A，10V 4.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V - -
MDMA210UB1600P-PC IXYS MDMA210UB1600P-PC 99.3439
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MDMA210 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA210UB1600P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - -
IXFR140N20P IXYS IXFR140N20P 18.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR140 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 90A（TC） 10V 22mohm @ 45a，10v 5V @ 4mA 240 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTQ90N15T IXYS IXTQ90N15T -
RFQ
 ECAD 5710 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ90 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 90A（TC） 10V 20mohm @ 45a，10v 4.5V @ 1mA 80 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 25 V - 455W（TC）
IXFN24N100F IXYS IXFN24N100F -
RFQ
 ECAD 1936年 0.00000000 ixys Hiperrf™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN24 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 24A（TC） 10V 390MOHM @ 12A，10V 5.5V @ 8mA 195 NC @ 10 V ±20V 6600 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXGT32N60BD1 IXYS IXGT32N60BD1 -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT32 标准 200 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，32a，4.7Ohm，15V 25 ns - 600 v 60 a 120 a 2.3V @ 15V，32a 600µJ（离） 110 NC 25n/100n
IXTT360N055T2 IXYS IXTT360N055T2 12.1500
RFQ
 ECAD 9224 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT360 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtt360N055T2 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 360a（TC） 10V 2.4MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 330 NC @ 10 V ±20V 20000 PF @ 25 V - 935W（TC）
MUBW10-06A6K IXYS MUBW10-06A6K -
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E1 mubw10 50 W 三相桥梁整流器 E1 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 npt 600 v 11 a 3.3V @ 15V，10a 65 µA 是的 220 pf @ 25 V
IXTA6N50P IXYS ixta6n50p -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta6 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 6A（TC） 10V 1.1OHM @ 3A，10V 5V @ 50µA 14.6 NC @ 10 V ±30V 740 pf @ 25 V - 100W（TC）
DSEP30-06BR IXYS DSEP30-06BR 7.3300
RFQ
 ECAD 7034 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS247™ DSEP30 标准 ISOPLUS247™（BR） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 dsep3006br Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.51 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 30a -
IXTA42N15T IXYS ixta42n15t 2.3137
RFQ
 ECAD 5368 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta42 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta42n15t Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 42A（TC） 10V 45mohm @ 21a，10v 4.5V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 1880 pf @ 25 V - 200W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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