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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
ixta64n10l2	13.9200	RFQ	6479	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta64		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta64n10l2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	64A（TC）	10V	32mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	3620 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXTA110N055P	-	RFQ	4675	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta110		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	110A（TC）	10V	13.5mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFT54N65X3HV	9.3158	RFQ	8150	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的				IXFT54							-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixft54n65x3hv	Ear99	8541.29.0095	30
DNA30E2200PZ-TRL	5.2100	RFQ	5	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	DNA30E2200		标准				TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					2200 v		1.26 V @ 30 A		40 µA @ 2200 V	-55°C〜150°C	30a	7pf @ 700V，1MHz
DSEP29-03A	-	RFQ	6199	ixys	Hiperfred™	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	DSEP29		标准				TO-220AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					300 v		1.26 V @ 30 A	30 ns	10 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	30a	-
IXXX100N60B3H1	19.0680	RFQ	7026	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX100	标准		695 w			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					360V，70a，2ohm，15V																					140 ns						pt	600 v	200 a	440 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
IXFV12N80PS	-	RFQ	2027	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV12		MOSFET （金属 o化物）				加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	12A（TC）	10V	850MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 2.5mA	51 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXYH30N120C3	12.1100	RFQ	175	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		500 w			TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，30a，10ohm，15V																											-	1200 v	75 a	145 a	3.3V @ 15V，30a	2.6MJ（在）上，1.1MJ off）	69 NC	19NS/130NS
IXFX24N100F	-	RFQ	8168	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFX24		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXGQ96N30TCD1	-	RFQ	8381	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ96	标准					to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					-																											沟	320 v	96 a		-	-		-
IXTL2N450	128.4100	RFQ	8995	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixtl2		MOSFET （金属 o化物）				isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	627941	Ear99	8541.29.0095	25			n通道			4500 v	2A（TC）	10V	23ohm @ 1A，10V	6V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	220W（TC）
DSEI30-12A	5.8400	RFQ	8417	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DSEI30		标准				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1200 v		2.55 V @ 30 A	60 ns	750 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	26a	-
ixtv26n50p	-	RFQ	7511	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv26		MOSFET （金属 o化物）				加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	460W（TC）
DSA50C150HB	4.3500	RFQ	28	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSA50C150		肖特基				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	150 v	25a	880 mv @ 25 A		500 NA @ 150 V	-55°C 〜175°C
IXFH24N60X	6.6020	RFQ	7478	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH24		MOSFET （金属 o化物）				TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	24A（TC）	10V	175mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.5mA	47 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	400W（TC）
MUBW50-17T8	171.0620	RFQ	7482	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw50			290 w		三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器																															沟	1700 v	74 a		2.4V @ 15V，50a				400 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
DHG50X600NA	-	RFQ	8504	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DHG50		标准				SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				2独立	600 v	50a
IXFM1766	-	RFQ	3010	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	IXFM17		-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			-				-	-	-	-		-		-	-
DMA10IM1600PZ-TRL	1.8599	RFQ	2136	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	DMA10		标准				TO-263HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DMA10IM1600PZ-TRLTR	Ear99	8541.10.0080	800		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1600 v		1.26 V @ 10 A		10 µA @ 1600 V	-55°C 〜175°C	10a	4pf @ 400V，1MHz
IXFV12N120P	-	RFQ	4909	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV12		MOSFET （金属 o化物）				加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			1200 v	12A（TC）	10V	1.35ohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	543W（TC）
DSEI120-12AZ-TUB	13.8300	RFQ	1498年	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	DSEI120		标准				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DSEI120-12AZ-TUB	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1200 v		1.8 V @ 70 A	60 ns	3 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C	109a	-
DSEP30-12B	6.9100	RFQ	15	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DSEP30		标准				TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DSEP30-12B	Ear99	8541.10.0080	30		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1200 v		3.75 V @ 30 A		100 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	30a	12pf @ 600V，1MHz
DSA300I100NA	-	RFQ	8308	ixys	-	管子	过时的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSA300		肖特基				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					100 v		990 mv @ 300 A		3 mA @ 100 V	-40°C〜150°C	300A	4860pf @ 12V，1MHz
IXFT24N90P	17.5000	RFQ	300	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			900 v	24A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IXGC16N60C2	-	RFQ	9842	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXGC16	标准		63 W			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，12A，22OHM，15V																											pt	600 v	20 a	100 a	3V @ 15V，12A	60µJ（离）	32 NC	25NS/60NS
IXFJ32N50	-	RFQ	7476	ixys	-	管子	过时的				IXFJ32							-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30							-
mee95-06da	33.8500	RFQ	36	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	TO-240AA	mee95		标准				TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	36		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对系列连接	600 v	95a	1.55 V @ 100 A	300 ns	2 ma @ 600 V	-40°C〜150°C
VCO180-12IO7	36.5180	RFQ	7747	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜130°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VCO180				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 MA												1.2 kV	280 a	1.5 v	4500A，4900A	300 MA	180 a										1 scr
IXTP450P2	4.8100	RFQ	156	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP450		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp450p2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			500 v	16A（TC）	10V	330mohm @ 8a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2530 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXXX140N65B4H1	19.3227	RFQ	4582	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX140	标准		1200 w			加上247™-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，100A，4.7OHM，15V																					105 ns						-	650 v	340 a	840 a	1.9V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，2.67mj off）	250 NC	54NS/270NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²