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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
MIO1200-33E11	-	RFQ	9929	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E11	mio					标准	E11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																																		npt	3300 v	1200 a		3.1V @ 15V，1200A				120 MA	不
MDD950-22N1W	-	RFQ	5726	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	MDD950		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	2200 v	950a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 ma @ 2200 V	-40°C〜150°C
DCG10P1200HR	-	RFQ	5887	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	DCG10		SIC （碳化硅）				ISO247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DCG10P1200HR	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1200 v		1.8 V @ 10 A		250 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	12.5a	755pf @ 0v，1MHz
ixtk250n10	-	RFQ	7931	ixys	Megamos™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk250		MOSFET （金属 o化物）				TO-264（IXTK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			100 v	250A（TC）	10V	5MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	430 NC @ 10 V	±20V	12700 PF @ 25 V	-	730W（TC）
MIO1500-25E10	-	RFQ	8168	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	mio					标准	E10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																																		npt	2500 v	1500 a		2.7V @ 15V，1500A				100 ma	不
IXFR24N50Q	-	RFQ	3481	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	22a（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
W1185LC450	156.1400	RFQ	3	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，B-PUK	W1185		标准				W4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W1185LC450	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								4500 v		2.4 V @ 2420 A		30 ma @ 4500 V	-55°C〜160°C	1185a	-
DSS2X200-0008D	-	RFQ	2110	ixys	-	管子	过时的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSS2		肖特基				SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	8 V	200a	340 mv @ 100 a		400 ma @ 8 V
IXFX26N120P	1997年228日	RFQ	5446	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX26		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1200 v	26a（TC）	10V	500MOHM @ 13A，10V	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	16000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
DPG30IM300pc-tub	2.9074	RFQ	7612	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	DPG30IM300		标准				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DPG30IM300PC-TUB	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								300 v		1.35 V @ 30 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	30a	42pf @ 150V，1MHz
A1237NC240	-	RFQ	5928	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC，K-PUK	A1237						W11	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-A1237NC240	Ear99	8541.30.0080	6				1 a												2.4 kV	2555 a	3 V	18000a @ 50Hz	400 MA	2.7 v	1237 a	60 ma	标准恢复
IXFX120N60X3	20.0813	RFQ	8670	ixys	-	管子	积极的				IXFX120							-				238-ixfx120n60x3			30
DSEP12-12A	3.0000	RFQ	724	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DSEP12		标准				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1200 v		2.75 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	15a	-
IXFH98N60X3	17.5500	RFQ	7191	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH98		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh98n60x3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	98A（TC）	10V	30mohm @ 49a，10v	5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	6250 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFA8N65X2	2.5451	RFQ	1852年	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA8N65		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa8n65x2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	790 pf @ 25 V	-	150W（TA）
IXTK120N25P	16.0200	RFQ	15	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）				TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			250 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5V @ 500µA	185 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
DSEC16-12A	2.8100	RFQ	5858	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DSEC16		标准				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	1200 v	10a	2.94 V @ 10 A	40 ns	60 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
ixta60n20t-trl	3.7630	RFQ	6209	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta60		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta60n20t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			200 v	60a（TC）	10V	40mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	4530 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MCC550-16IO1	-	RFQ	4370	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr			-	rohs3符合条件			238-MCC550-16IO1	Ear99	8541.30.0080	1				1 a												1.6 kV	1318 a	3 V	18000a，19800a	300 MA		550 a												2 scr
IXTQ120N15T	-	RFQ	1828年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ120		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			150 v	120A（TC）		16mohm @ 500mA，10v	-	150 NC @ 10 V		4900 PF @ 25 V	-	-
DSB10P60PN	-	RFQ	3051	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3完整包	DSB10P60		肖特基				TO-220ABFP	-				238-DSB10P60PN	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								60 V		690 mv @ 10 A		4 mA @ 60 V	-55°C〜150°C	10a	149pf @ 12V，1MHz
IXTC180N055T	-	RFQ	7142	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC180		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	-		-	-				-	-
IXGH30N60BU1	-	RFQ	5310	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		200 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，30a，4.7Ohm，15V																								50 ns						-	600 v	60 a	120 a	1.8V @ 15V，30a	1MJ （关闭）	110 NC	25NS/130NS
MCB20P1200LB-TRR	-	RFQ	1558年	ixys	MCB20P1200LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	MCB20P1200		（SIC）	-			9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCB20P1200LB-TRRTR	Ear99	8541.29.0095	200	4（n n 通道（半桥）					1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
IXYK100N120C3	26.3100	RFQ	81	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixyk100	标准		1150 w			TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixyk100N120C3	Ear99	8541.29.0095	25					600V，100A，1OHM，15V																														-	1200 v	188 a	490 a	3.5V @ 15V，100a	6.5MJ（在）上，2.9MJ off）	270 NC	32NS/123NS
DSS2-60AT2AP	-	RFQ	4477	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	DSS2		肖特基				TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								60 V					-40°C〜175°C	2a	-
MDNA50P2200TG	31.6378	RFQ	5421	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	TO-240AA	MDNA50		标准				TO-240AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDNA50P2200TG	Ear99	8541.10.0080	36		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	2200 v	50a	1.13 V @ 50 A		50 µA @ 2200 V	-40°C〜150°C
MIXA30WB1200	78.7650	RFQ	5493	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa30			150 w		三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																																		pt	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a				1.5 ma	是的
MTI145WX100GD-SMD	43.9085	RFQ	1138	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	ISOPLUS-DIL™	MTI145		MOSFET （金属 o化物）	-			ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTI145WX100GD-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）					100V	190a（TC）		2.2MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 275µA	155nc @ 10V		11100pf @ 50V	-
IXYH30N65B3D1	-	RFQ	9822	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		270 w			TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYH30N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	30					400V，30a，10ohm，15V																								38 ns						pt	650 v	70 a	160 a	2.1V @ 15V，30a	（830µJ）（在640µJ上）	45 NC	17ns/87ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²