SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFH10N100 IXYS IXFH10N100 12.3737
RFQ
 ECAD 1523年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH10 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFH10N100-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A（TC） 10V 1.2OHM @ 5A，10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFN200N07 IXYS IXFN200N07 -
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN200 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFN200N07-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 70 v 200a（TC） 10V 6mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 480 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXTA3N120 IXYS ixta3n120 8.4500
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 3A（TC） 10V 4.5OHM @ 1.5A，10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXFK36N60 IXYS IXFK36N60 -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK36 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 IXFK36N60-NDR Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 36a（TC） 10V 180mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 8mA 325 NC @ 25 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFX180N07 IXYS IXFX180N07 -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX180 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 70 v 180a（TC） 10V 6mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 420 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 568W（TC）
VII75-06P1 IXYS VII75-06P1 -
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vii 208 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 半桥 npt 600 v 69 a 2.8V @ 15V，75a 800 µA 是的 2.8 nf @ 25 V
DSA20C150PB IXYS DSA20C150pb 1.8200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSA20C150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 10a 880 mv @ 10 a 300 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
N3165HA260 IXYS N3165HA260 -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N3165 W79 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3165HA260 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2.6 kV 6230 a 3 V 40000A @ 50Hz 300 MA 1.3 v 3165 a 150 ma 标准恢复
IXSH30N60B2D1 IXYS IXSH30N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 1581年 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 250 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 IXSH30N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 30 400V，24A，5OHM，15V 30 ns pt 600 v 48 a 90 a 2.5V @ 15V，24a （550µJ） 50 NC 30NS/130NS
IXSK35N120AU1 IXYS IXSK35N120AU1 -
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXSK35 标准 300 w TO-264AA（IXSK） 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 960V，35A，2.7OHM，15V 60 ns - 1200 v 70 a 140 a 4V @ 15V，35a 10MJ（（） 150 NC 80NS/400NS
MIAA20WE600TMH IXYS MIAA20WE600TMH -
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Minipack2 MIAA20W 100 W 单相桥梁整流器 Minipack2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 20 三期逆变器 npt 600 v 29 a 2.7V @ 15V，20A 1.1 MA 是的 900 pf @ 25 V
IXSP10N60B2D1 IXYS IXSP10N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXSP10 标准 100 W TO-220-3 下载 不适用 到达不受影响 IXSP10N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 50 480V，10a，30ohm，15V 25 ns pt 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V，10a （430µJ）） 17 NC 30NS/180NS
IXGH32N60C IXYS IXGH32N60C -
RFQ
 ECAD 4159 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH32 标准 200 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 IXGH32N60C-NDR Ear99 8541.29.0095 30 480V，32a，4.7Ohm，15V - 600 v 60 a 120 a 2.5V @ 15V，32a 320µJ（离） 110 NC 25NS/85NS
VMO650-01F IXYS VMO650-01F 215.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB VMO650 MOSFET （金属 o化物） Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 n通道 100 v 690a（TC） 10V 1.8mohm @ 500mA，10v 6V @ 130mA 2300 NC @ 10 V ±20V 59000 PF @ 25 V - 2500W（TC）
IXFP56N30X3 IXYS IXFP56N30x3 8.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP56 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 56A（TC） 10V 27mohm @ 28a，10v 4.5V @ 1.5mA 56 NC @ 10 V ±20V 3750 PF @ 25 V - 320W（TC）
VHF15-14IO5 IXYS VHF15-14IO5 -
RFQ
 ECAD 2867 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 PWS-E1 VHF15 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.4 kV 15 a 1 V 190a，210a 65 ma 2 scr，2个二极管
IXFC36N50P IXYS IXFC36N50P -
RFQ
 ECAD 1655年 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC36N50 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 19a（tc） 10V 190mohm @ 18a，10v 5V @ 4mA 93 NC @ 10 V ±30V 5500 PF @ 25 V - 156W（TC）
IXTN21N100 IXYS IXTN21N100 -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixtn21 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 IXTN21N100-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 21a（TC） 10V 550MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 500µA 250 NC @ 10 V ±20V 8400 PF @ 25 V - 520W（TC）
VIO130-06P1 IXYS VIO130-06P1 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vio 379 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 600 v 121 a 2.9V @ 15V，130a 1.2 ma 不 4.2 NF @ 25 V
IXTH13N110 IXYS IXTH13N110 -
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth13 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 不适用 IXTH13N110-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1100 v 13A（TC） 10V 920MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 5650 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFH15N80 IXYS IXFH15N80 -
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH15 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 IXFH15N80-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 15A（TC） 10V 600MOHM @ 7.5A，10V 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4870 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXBH42N170 IXYS IXBH42N170 29.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Bimosfet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH42 标准 360 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.32 µs - 1700 v 80 a 300 a 2.8V @ 15V，42a - 188 NC -
VIO100-06P1 IXYS VIO100-06P1 -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vio 294 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 600 v 93 a 2.8V @ 15V，100a 1.4 MA 不 4.2 NF @ 25 V
IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P 38.5700
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN60 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 53A（TC） 10V 140mohm @ 30a，10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 18000 PF @ 25 V - 1040W（TC）
IXB200I600NA IXYS IXB200I600NA -
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXB200 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 - NPT，Pt 600 v 300 a - - -
MDA950-14N1W IXYS MDA950-14N1W -
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDA950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1400 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
IXFP30N25X3 IXYS IXFP30N25X3 6.7000
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP30 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 30A（TC） 10V 60mohm @ 15a，10v 4.5V @ 500µA 21 NC @ 10 V ±20V 1450 pf @ 25 V - 176W（TC）
IXFX250N10P IXYS IXFX250N10P 21.3943
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX250 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 250A（TC） 10V 6.5MOHM @ 50a，10V 5V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 16000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
FMM150-0075X2F IXYS FMM150-0075X2F 23.7500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ FMM150 MOSFET （金属 o化物） 170W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 75V 120a 5.8MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 178nc @ 10V 10500pf @ 25V -
IXGR39N60BD1 IXYS IXGR39N60BD1 -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr39 标准 140 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，4.7OHM，15V 25 ns - 600 v 66 a 152 a 1.8V @ 15V，39a （4MJ）） 125 NC 25NS/250NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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