SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFK50N85X IXYS IXFK50N85X 19.0400
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK50 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 850 v 50A（TC） 10V 105mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±30V 4480 pf @ 25 V - 890W（TC）
MCC700-16IO1W-T IXYS MCC700-16IO1W-T -
RFQ
 ECAD 3972 0.00000000 ixys * 托盘 过时的 - rohs3符合条件 238-MCC700-16IO1W-T Ear99 8541.30.0080 1
IXFV30N60P IXYS IXFV30N60P -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 IXFV30 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 30A（TC） 10V 240mohm @ 15a，10v 5V @ 4mA 82 NC @ 10 V ±30V 4000 pf @ 25 V - 500W（TC）
CMA40E1600HR IXYS CMA40E1600小时 11.1600
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 ixys CMA40E1600小时 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 CMA40 ISO247 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CMA40E1600HR Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.6 kV 63 a 1.5 v 550a，595a 50 mA 1.23 v 40 a 标准恢复
IXTH86N25T IXYS IXTH86N25T 7.6917
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth86 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixth86n25t Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 86A（TC） 10V 37MOHM @ 43A，10V 5V @ 1mA 105 NC @ 10 V ±30V 5330 PF @ 25 V - 540W（TA）
IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M -
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 IXKP20 MOSFET （金属 o化物） TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7.6A（TC） 10V 200mohm @ 10a，10v 3.5V @ 1.1mA 30 NC @ 10 V ±20V 1520 PF @ 100 V - -
IXTA32P05T IXYS ixta32p05t 2.8200
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta32 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 50 V 32A（TC） 10V 39mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±15V 1975 pf @ 25 V - 83W（TC）
MDO500-20N1 IXYS MDO500-20N1 172.5150
RFQ
 ECAD 3260 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDO500 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2000 v 1.3 V @ 1200 A 30 ma @ 2000 V 560a 576pf @ 700V，1MHz
IXGH50N120C3 IXYS IXGH50N120C3 17.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH50 标准 460 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，2ohm，15V pt 1200 v 75 a 250 a 4.2V @ 15V，40a 2.2mj（在）上，630µJ（630µJ） 196 NC 20N/123NS
IXGA7N60C IXYS IXGA7N60C -
RFQ
 ECAD 2300 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixga7 标准 54 w TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V，7A，22OHM，15V pt 600 v 14 a 30 a 2.7V @ 15V，7a （70µJ）（在120µJ上） 25 NC 9NS/65NS
IXFR20N120P IXYS IXFR20N120P 27.9590
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixfr20 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 13A（TC） 10V 630mohm @ 10a，10v 6.5V @ 1mA 193 NC @ 10 V ±30V 11100 PF @ 25 V - 290W（TC）
MIXA225RF1200TSF IXYS MIXA225RF1200TSF -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 Mixa225 1100 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3 单身的 pt 1200 v 360 a 2.1V @ 15V，225a 300 µA 是的
CS45-08IO1 IXYS CS45-08IO1 4.4545
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜140°C 通过洞 TO-247-3 CS45 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 800 v 75 a 1.5 v 520a，560a 100 ma 1.64 v 48 a 5 ma 标准恢复
IXTP7N60P IXYS IXTP7N60P -
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp7 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A（TC） 10V 1.1OHM @ 3.5A，10V 5.5V @ 100µA 20 nc @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTA86N20T IXYS ixta86n20t 6.4600
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta86 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixta86n20t Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 86A（TC） 10V 29mohm @ 500mA，10v 5V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXSH30N60B IXYS IXSH30N60B -
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V pt 600 v 55 a 110 a 2V @ 15V，30a 1.5mj（（） 100 NC 30NS/150NS
IXYH75N65C3D1 IXYS IXYH75N65C3D1 15.3200
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh75 标准 750 w TO-247（IXYH） - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-IXYH75N65C3D1 Ear99 8541.29.0095 30 400V，60a，3ohm，15V 65 ns pt 650 v 175 a 360 a 2.3V @ 15V，60a 2MJ（在）上，950µJ（OFF） 122 NC 26NS/93NS
IXFK21N100Q IXYS IXFK21N100Q -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK21 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 21a（TC） 10V 500mohm @ 10.5a，10v 5.5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W（TC）
DSEP29-06A IXYS DSEP29-06A 4.2700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DSEP29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSEP2906A Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.61 V @ 30 A 35 ns 250 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 30a -
DS17-08A IXYS DS17-08A -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 DS17 雪崩 do-203aa 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.36 V @ 55 A 4 ma @ 800 V -40°C〜180°C 25a -
MCMA65P1600TA IXYS MCMA65P1600TA 36.1400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA65 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.6 kV 105 a 1.5 v 1150a，1240a 95 MA 65 a 2 scr
DSB60C30PB IXYS DSB60C30PB -
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSB60C30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 30a 550 mv @ 30 a 20 µA @ 30 V -55°C〜150°C
IXBH10N300HV IXYS IXBH10N300HV 67.9210
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXBH10 标准 180 w TO-263HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，10a，10ohm，15V 1.6 µs - 3000 v 34 a 88 a 2.8V @ 15V，10a - 46 NC 36NS/100NS
IXTA32N20T IXYS ixta32n20t -
RFQ
 ECAD 7581 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta32 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 32A（TC） 10V 72MOHM @ 16a，10v 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1760 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXXH140N65C4 IXYS IXXH140N65C4 18.5723
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 1200 w TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixxh140n65c4 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，4.7OHM，15V 90 ns pt 650 v 320 a 730 a 2.3V @ 15V，120a 4.9MJ（在）上，1.7MJ（OFF） 250 NC 43NS/240NS
IXTA3N50D2 IXYS ixta3n50d2 4.3100
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 3A（TC） - 1.5OHM @ 1.5A，0V - 40 NC @ 5 V ±20V 1070 pf @ 25 V 耗尽模式 125W（TC）
IXXN200N60C3H1 IXYS IXXN200N60C3H1 50.7490
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXXN200 780 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 200 a 2.1V @ 15V，100a 50 µA 不 9.9 NF @ 25 V
DSA60C150PB IXYS DSA60C150pb 2.9200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSA60C150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 150 v 30a 930 MV @ 30 A 450 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
IXFX30N110P IXYS IXFX30N110P -
RFQ
 ECAD 3440 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX30 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1100 v 30A（TC） 10V 360mohm @ 15a，10v 6.5V @ 1mA 235 NC @ 10 V ±30V 13600 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXFR36N60P IXYS IXFR36N60P 15.3800
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR36 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A（TC） 10V 200mohm @ 18a，10v 5V @ 4mA 102 NC @ 10 V ±30V 5800 pf @ 25 V - 208W（TC）
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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