SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MCD255-18IO1 IXYS MCD255-18IO1 171.2767
RFQ
 ECAD 7197 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y1-CU MCD255 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3 150 ma 1.8 kV 450 a 2 v 9000a，9600a 150 ma 250 a 1 sc，1二极管
FBE22-06N1 IXYS FBE22-06N1 14.8800
RFQ
 ECAD 6561 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FBE22 标准 ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FBE2206N1 Ear99 8541.10.0080 25 2.13 V @ 11 A 60 µA @ 600 V 20 a 单相 600 v
HTZ240F12K IXYS HTZ240F12K -
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 ixys htz240f 盒子 积极的 底盘安装 模块 HTZ240 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 12000 v 1.7a 10 V @ 2 A 500 µA @ 12000 V
IXFN180N07 IXYS IXFN180N07 -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN180 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 70 v 180a（TC） 10V 7mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 480 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXFX32N50 IXYS IXFX32N50 -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX32 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 32A（TC） 10V 150mohm @ 15a，10v 4V @ 4mA 300 NC @ 10 V ±20V 5450 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXGH40N60B IXYS IXGH40N60B -
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH40 标准 250 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，4.7Ohm，15V - 600 v 75 a 150 a 2.1V @ 15V，40a 2.7MJ（） 116 NC 25NS/180NS
IXTH3N100P IXYS IXTH3N100P 4.5697
RFQ
 ECAD 2088 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth3 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 3A（TC） 10V 4.8OHM @ 1.5A，10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W（TC）
DSEI60-12A IXYS DSEI60-12A 7.7500
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DSEI60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.55 V @ 60 A 60 ns 2.2 ma @ 1200 V -40°C〜150°C 52a -
CLA60MT1200NTZ-TUB IXYS CLA60MT1200NTZ-TUB 9.3100
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA CLA60 TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 单身的 60 ma 标准 1.2 kV 66 a 1.3 v 380a，410a 60 ma
IXBH42N170A IXYS IXBH42N170A 30.1600
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH42 标准 357 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，21a，1ohm，15V 330 ns - 1700 v 42 a 265 a 6V @ 15V，21a 3.43mj（在）上，430µJ off） 188 NC 19NS/200NS
IXTR40P50P IXYS IXTR40P50P 20.5440
RFQ
 ECAD 4692 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTR40 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 22a（TC） 10V 260mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 25 V - 312W（TC）
IXTH30N50 IXYS IXTH30N50 -
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth30 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 170MOHM @ 500mA，10V 4V @ 250µA 227 NC @ 10 V ±20V 5680 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFC12N80P IXYS IXFC12N80P -
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC12N80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7A（TC） 10V 930mohm @ 6a，10v 5.5V @ 2.5mA 51 NC @ 10 V ±30V 2800 PF @ 25 V - 120W（TC）
R0633YC12E IXYS R0633YC12E -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK R0633 W58 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-R0633YC12E Ear99 8541.30.0080 6 1 a 1.2 kV 1268 a 3 V 6900a @ 50Hz 200 MA 1.85 v 633 a 60 ma 标准恢复
DSA30C45PC-TUB IXYS DSA30C45PC-TUB -
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 ixys DSA30C45PC 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB DSA30C45 肖特基 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSA30C45PC-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 15a 750 MV @ 15 A 250 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
IXGN82N120C3H1 IXYS IXGN82N120C3H1 47.9000
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn82 595 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 130 a 3.9V @ 15V，82a 50 µA 不 7.9 NF @ 25 V
IXFX48N60P IXYS IXFX48N60P 13.6427
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX48 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 48A（TC） 10V 135mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8860 pf @ 25 V - 830W（TC）
IXTX600N04T2 IXYS ixtx600N04T2 20.9960
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx600 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 40 V 600A（TC） 10V 1.5MOHM @ 100A，10V 3.5V @ 250µA 590 NC @ 10 V ±20V 40000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXGT15N120B IXYS IXGT15N120B -
RFQ
 ECAD 8674 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT15 标准 180 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，15a，10ohm，15V pt 1200 v 30 a 60 a 3.2V @ 15V，15a 1.75MJ（） 69 NC 25NS/180NS
MIXA80WB1200TEH IXYS MIXA80WB1200TEH 123.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 Mixa80 390 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 pt 1200 v 120 a 2.2V @ 15V，77a 200 µA 是的
DMA30P1200HB IXYS DMA30P1200HB 4.5800
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DMA30 标准 TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA30P1200HB Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.26 V @ 30 A 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 30a 11pf @ 400V，1MHz
DSS20-01AC IXYS DSS20-01AC -
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 ISOPLUS220™ DSS20 肖特基 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 800 mv @ 10 a 300 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 20a -
IXTM5N100A IXYS IXTM5N100A -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 ixtm5 MOSFET （金属 o化物） TO-204AA（IXTM） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 1000 v 5A（TC） 10V 2ohm @ 2.5a，10v 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 180W（TC）
FDM21-05QC IXYS FDM21-05QC -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FDM21 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 n通道 500 v 21a（TC） 10V 220MOHM @ 15A，10V 4.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V - -
IXST30N60CD1 IXYS IXST30N60CD1 -
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXST30 标准 200 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 55 a 110 a 2.5V @ 15V，30a （700µJ）（离） 100 NC 30NS/90NS
MDNA140P2200TG IXYS MDNA140P2200TG 45.3850
RFQ
 ECAD 2869 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDNA140 标准 TO-240AA - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-MDNA140P2200TG Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 2200 v 140a 1.18 V @ 140 A 100 µA @ 2200 V -40°C〜150°C
IXGT64N60B3 IXYS IXGT64N60B3 -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT64 标准 460 w TO-268 - 238-ixgt64n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v 41 ns pt 600 v 64 a 400 a 1.8V @ 15V，50a 1.5mj（在）上，1MJ（1MJ） 168 NC 25NS/138NS
VBO88-18NO7 IXYS VBO88-18NO7 -
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VBO88 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.13 V @ 50 A 500 µA @ 1800 V 92 a 单相 1.8 kV
IXFR100N25 IXYS IXFR100N25 -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR100 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 87A（TC） 10V 27mohm @ 50a，10v 4V @ 8mA 300 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTQ60N30T IXYS IXTQ60N30T -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ60 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 60a（TC） - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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