分立半导体产品(84)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
XP161A1265PR-G	0.3578	询价	第1575章	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	TO-243AA	XP161A	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	20V	4A（塔）	2.5V、4.5V	55mOhm@2A，4.5V	1.4V@1mA		±12V	10V时为320pF	-	2W（塔）
XBS306S19R-G	0.3212	询价	4261	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS306S19	肖特基	SMA-XG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												60V	660 毫伏 @ 3 安	55纳秒	60V时为300μA	125℃	3A	195pF@1V、1MHz
XP162A12A6PR-G	0.8500	询价	1	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	XP162A	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	170毫欧@1.5A，4.5V	-		±12V	10V时为310pF	-	2W（塔）
XBS104S14R-G	0.1597	询价	8206	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123	XBS104S14	肖特基	SOD-123A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	540毫伏@1安	25纳秒	40V时为200μA	125℃（最高）	1A	35pF@10V，1MHz
XBS013V1DR-G	-	询价	8978	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	0201（0603 公制）		肖特基	2-USP-B01 (0.6x0.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	370毫伏@10毫安		10V时为7μA	150℃	100毫安	-
XBS013S15R-G	0.1242	询价	8724	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	XBS013S15	肖特基	SOD-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	1V@100mA	2纳秒	2μA@25V	125℃（最高）	100毫安	6pF@0V、1MHz
XP152A11E5MR-G	0.2279	询价	第1387章	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP152A	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	700mA（塔）	4.5V、10V	250mOhm@400mA，10V	-		±20V	160pF@10V	-	500毫W（塔）
XBS304S19R-G	0.3110	询价	1165	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS304S19	肖特基	SMA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	510毫伏@3安	82纳秒	40V时为300μA	125℃（最高）	3A	180pF@1V、1MHz
XP232N03013R-G	0.0630	询价	2980	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	XP232	MOSFET（金属O化物）	SOT-323-3A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	300mA（塔）	4.5V、10V	2欧姆@100mA，10V	2.5V@250μA	10V时为0.36nC	±20V	22pF@10V	-	350毫W（塔）
XBS013S1CR-G	-	询价	6514	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	0302（0805 公制）		肖特基	2-USP-B02 (0.8x0.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	1V@100mA		2μA@25V	125℃	100毫安	-
XP202A0003MR-G	0.3715	询价	1051	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP202A	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	5A（Tj）	4V、10V	45毫欧@1.5A，10V	2.6V@1mA	10nC@10V	±20V	435pF@10V	-	1W
XBS024S15R-G	0.1043	询价	4771	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	XBS024S15	肖特基	SOD-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												40V	600 毫伏 @ 200 毫安	4纳秒	2μA@40V	125℃（最高）	200毫安	5pF@10V，1MHz
XBF10A20S-G	-	询价	3307	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	DO-221AC，SMA 光纤	XBF10A20	标准	SMAF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V	950毫伏@1安	35纳秒	1μA@200V	150℃	1A	15pF @ 4V，1MHz
XP261N70023R-G	0.0531	询价	8433	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	XP261	MOSFET（金属O化物）	SOT-323-3A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	150mA（塔）	4.5V、10V	5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	10V时为0.38nC	±20V	18pF@20V	-	350毫W（塔）
XP151A13A0MR	0.2284	询价	7043	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP151A	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	1A（塔）	1.5V、4.5V	100mOhm@500mA，4.5V	-		±8V	220pF@10V	-	500毫W（塔）
XP232P0501TR-G	0.3700	询价	9	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP232	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	893-XP232P0501TR-GTR	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	450mA（塔）	2.5V、4.5V	1.25欧姆@200mA，4.5V	1.1V@250μA		±8V	56pF@10V	-	400毫W（塔）
XP151A12A2MR-G	0.2664	询价	2335	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP151A	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	1A（塔）	2.5V、4.5V	100mOhm@500mA，4.5V	1.4V@1mA		±12V	180pF@10V	-	500毫W（塔）
XBW21P0204-G	0.0498	询价	9272	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	XBW21P0204	标准	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												75V	1.25V@150mA	4纳秒	25V时为30nA	150℃	150毫安	1.5pF @ 0V、1MHz
XP231N02013R-G	0.0604	询价	8219	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	XP231	MOSFET（金属O化物）	SOT-323-3A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	200mA（塔）	2.5V、4.5V	5欧姆@10mA，4.5V	1.8V@250μA	10V时为0.18nC	±20V	6.5pF@10V	-	350毫W（塔）
XBS204S17R-G	-	询价	3851	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	DO-214AC、SMA		肖特基	SMA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,500人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	540毫伏@2安	51纳秒	40V时为200μA	125℃（最高）	2A	180pF@1V、1MHz
XP235N2001TR-G	0.1021	询价	5751	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP235	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	2A（塔）	4.5V、10V	110毫欧@1A，10V	2.4V@250μA	10V时为3.6nC	±20V	220pF@10V	-	400毫W（塔）
XBF10A40S-G	-	询价	7171	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	DO-221AC，SMA 光纤	XBF10A40	标准	SMAF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												400V	1.25V@1A	35纳秒	400V时为1μA	150℃	1A	15pF @ 4V，1MHz
XP234N0801TR-G	0.0630	询价	第1465章	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP234	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	800mA（塔）	4.5V、10V	290毫欧@400毫安，10伏	2.6V@250μA	1.32nC@10V	±20V	64pF@10V	-	400毫W（塔）
XP202A0003PR-G	0.4099	询价	9429	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-243AA	XP202A	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	30V	5A（Tj）	4V、10V	59毫欧@3A，10V	2.6V@1mA		±20V	450pF@10V	-	1.5W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(84)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²