分立半导体产品(84)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)
XP264N0301TR-G	0.0604	询价	4830	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP264	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	4.5V、10V	1.6欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	10V时为0.72nC	±20V	30pF@20V	-	400毫W（塔）
XP233P1501TR-G	0.1040	询价	5416	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP233	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	1.5A（塔）	4.5V、10V	190毫欧@1A，10V	1.9V@250μA		±20V	160pF@10V	-	400毫W（塔）
XBW1SS400-G	0.0478	询价	4776	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	XBW1SS400	标准		SOD-523P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0070	5,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												80V	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为100nA	150℃	100毫安	0.5pF @ 0V、1MHz
XBS203V17R-G	-	询价	4477	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	DO-214AC、SMA		肖特基		SMA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	1,500人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	390毫伏@2安	70纳秒	3毫安@30伏	125℃（最高）	2A	280pF@1V、1MHz
XBS104S13R-G	0.4300	询价	16	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	XBS104S13	肖特基		SOD-323A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	540毫伏@1安	25纳秒	40V时为200μA	125℃（最高）	1A	35pF@10V，1MHz
XBS104P11R-G	0.1025	询价	8127	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123	XBS104P11	肖特基		SOD-123P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	560毫伏@1安		40V时为500μA	125℃	1A	230pF @ 0V、1MHz
XP162A11C0PR-G	0.2856	询价	1846年	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	XP162A	MOSFET（金属O化物）		SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	30V	2.5A（塔）	4.5V、10V	150mOhm@1.5A，10V	-		±20V	280pF@10V	-	2W（塔）
XBS206S19R-G	0.2550	询价	5714	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS206S19	肖特基		SMA-XG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												60V	665毫伏@2安	35纳秒	60V时为300μA	125℃	2A	120pF@1V、1MHz
XBS303V19R-G	0.2480	询价	2341	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS303V19	肖特基		SMA-XG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	390毫伏 @ 3安	90纳秒	3毫安@30伏	125℃	3A	385pF@1V、1MHz
XBF10A60S-G	-	询价	8890	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	DO-221AC，SMA 光纤	XBF10A60	标准		SMAF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												600伏	1.7V@1A	35纳秒	600V时为1μA	150℃	1A	15pF @ 4V，1MHz
XBZ12A120CR-G	-	询价	7116	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	0302（0805 公制）			137.5毫W	2-USP-B02 (0.8x0.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0050	10,000														1V@10mA		9.1V时为100nA						12V	25欧姆
XP262N70023R-G	0.0628	询价	5574	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	XP262	MOSFET（金属O化物）		SOT-323-3A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	4.5V、10V	1.6欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	10V时为0.72nC	±20V	30pF@20V	-	350毫W（塔）
XBS204S19R-G	0.2341	询价	7056	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS204S19	肖特基		SMA-XG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	540毫伏@2安	51纳秒	60V时为200μA	125℃	2A	180pF@1V、1MHz
XP161A11A1PR-G	0.2856	询价	6354	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	XP161A	MOSFET（金属O化物）		SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	30V	4A（塔）	4.5V、10V	65毫欧@2A，10V	-		±20V	270pF@10V	-	2W（塔）
XBS053V13R-G	0.1450	询价	7290	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	XBS053V13	肖特基		SOD-323A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												20V	470 毫伏 @ 500 毫安	8纳秒	100μA@20V	125℃（最高）	500毫安	12pF@10V，1MHz
XBS013R1DR-G	-	询价	8963	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	0201（0603 公制）		肖特基		2-USP-B01 (0.6x0.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	460 毫伏 @ 10 毫安		10V时为300nA	150℃	100毫安	-
XBZ02P0911-G	0.0667	询价	7932	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	XBZ02		200毫W	SOD-523P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0050	5,000																500nA@6V						9.1V	15欧姆
XBF20A20S-G	0.1875	询价	9151	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-221AA，SMB 纸张	XBF20A20	标准		SMBF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V	950毫伏@2安	35纳秒	1μA@200V	150℃	2A	30pF @ 4V、1MHz
XP233N0501TR-G	0.0604	询价	第1176章	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP233	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	500mA（塔）	2.5V、4.5V	1.5欧姆@100mA，4.5V	1.7V@250μA	10V时为0.78nC	±20V	40pF@10V	-	400毫W（塔）
XBS203V19R-G	0.1772	询价	7905	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS203V19	肖特基		SMA-XG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	390毫伏@2安	70纳秒	3毫安@30伏	125℃	2A	280pF@1V、1MHz
XP262N7002TR-G	0.3300	询价	4	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP262	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	4.5V、10V	1.6欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	10V时为0.72nC	±20V	30pF@20V	-	400毫W（塔）
XP234N08013R-G	0.0798	询价	第1783章	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	XP234	MOSFET（金属O化物）		SOT-323-3A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	800mA（塔）	4.5V、10V	290毫欧@400毫安，10伏	2.6V@250μA	1.32nC@10V	±20V	64pF@10V	-	350毫W（塔）
XBZ02P0751-G	0.0667	询价	8731	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	XBZ02		200毫W	SOD-523P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0050	5,000																5V时为1μA						7.5V	15欧姆
XBF20A60S-G	0.1875	询价	8340	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-221AA，SMB 纸张	XBF20A60	标准		SMBF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												600伏	1.7V@2A	35纳秒	600V时为1μA	150℃	2A	20pF@4V，1MHz
XBR12A8-G	0.2947	询价	4096	特瑞仕半导体有限公司	XBR12A	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，鸥翼式	XBR12A	标准		4-SDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	3,000														1.1V@1A		800V时为5μA		1.5A		单相	800V
XP236N2001TR-G	0.1040	询价	8983	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	XP236	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	2A（塔）	2.5V、4.5V	110毫欧@1A，4.5V	1.1V@250μA	4.1nC@6V	±8V	10V时为230pF	-	400毫W（塔）
XBS306P11R-G	0.1644	询价	7438	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS306P11	肖特基		SMA-PG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	1,800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												60V	750 毫伏 @ 3 安		60V时为100μA	150℃	3A	-
XBS053V15R-G	0.1412	询价	3702	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	XBS053V15	肖特基		SOD-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0070	8,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												20V	470 毫伏 @ 500 毫安	8纳秒	100μA@20V	125℃（最高）	500毫安	12pF@10V，1MHz
XBS303V29R-G	-	询价	5710	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	DO-214AC、SMA	XBS303V29	肖特基		SMA-XG	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	2,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	450毫伏 @ 3安		30V时为600μA	125℃	3A	-
XBZ02P1201-G	0.0667	询价	3815	特瑞仕半导体有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	XBZ02		200毫W	SOD-523P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0050	5,000																8V时为100nA						12V	25欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(84)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²