RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RN2606（TE85L，F）	0.4800	RFQ	910	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN2606		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
HN1C01FE-gr，LF	0.3000	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1C01		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	150mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
CRH01（TE85L，Q，M）	0.5200	RFQ	54	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRH01	标准		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	980 mv @ 1 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	1a	-
CLH01（TE16L，Q）	-	RFQ	6230	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面安装	l-flat™	CLH01	标准		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	980 mv @ 3 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	3a	-
TTA1713-gr，LF	0.3100	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TTA1713		200兆	S-Mini	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				45 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，1V	80MHz
TK155A65Z，S4X	3.1400	RFQ	7428	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK155A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	18A（18A）	10V	155mohm @ 9a，10v	4V @ 730µA	29 NC @ 10 V	±30V	1635 PF @ 300 V	-	40W（TC）
CRG09A，LQ（M	-	RFQ	8559	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRG09	标准		S-Flat（1.6x3.5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	CRG09ALQ（m	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1.1 V @ 700 mA		5 µA @ 400 V	150°C （最大）	1a	-
1SS413，L3M	0.2700	RFQ	101	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅	1SS413	肖特基		FSC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												20 v	550 mv @ 50 mA		500 na @ 20 V	125°c （最大）	50mA	3.9pf @ 0v，1MHz
2SC3668-O，T2CLAF（j（	-	RFQ	9779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
Cry82 （TE85L，Q，m）	-	RFQ	3176	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	Cry82		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000														1 V @ 200 MA		10 µA @ 4.9 V							8.2 v	30欧姆
2SK2967（f）	-	RFQ	8942	东芝半导体和存储	-	托盘	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2967	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	30a（TA）	10V	68mohm @ 15a，10v	3.5V @ 1mA	132 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 10 V	-	150W（TC）
RN2108MFV，L3F	0.2000	RFQ	3075	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2108		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
2SK3670（t6cano，A，f	-	RFQ	5777	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK3670			to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1				670mA（TJ）
RN1109，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1109		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
SSM3K7002KF，LF	0.3300	RFQ	31	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K7002	MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	1.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	40 pf @ 10 V	-	270MW（TA）
RN1412TE85LF	0.3000	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1412		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
TK55S10N1，LQ	2.9700	RFQ	6	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK55S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	55A（ta）	10V	6.5MOHM @ 27.5A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 10 V	-	157W（TC）
SSM3K333R，LF	0.4500	RFQ	86	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6a（6a）	4.5V，10V	28mohm @ 5a，10v	2.5V @ 100µA	3.4 NC @ 4.5 V	±20V	436 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RN4901FE，LF（ct	0.2400	RFQ	350	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4901		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000																				50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	4.7kohms
2SC2655-y t6nd2，af	-	RFQ	3741	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC3668-Y，T2WNLF（j	-	RFQ	8244	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
TK40P03M1（T6RDS-Q）	-	RFQ	6022	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK40P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK40P03M1T6RDSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	40a（ta）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.3V @ 100µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 10 V	-	-
RN2421（TE85L，F）	0.0906	RFQ	3541	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2421		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	800 MA	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 2mA，50mA	60 @ 100mA，1V	200 MHz	1 kohms	1 kohms
2SA1837 lbsan，F，M）	-	RFQ	2923	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																				230 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
RN1108CT （TPL3）	-	RFQ	5255	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN1108		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																				20 v	50 mA	500NA			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 10mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
RN2964（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2964		100MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms
2SC2229-O（米蒂夫，M）	-	RFQ	1047	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
RN2967（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2967		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
SSM6K406TU，LF	0.5200	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K406	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	4.4a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 2a，10v	2.5V @ 1mA	12.4 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 15 V	-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²