分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SD2695(T6CANO,A,F	-	询价	9225	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2695		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					60V	2A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA，1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN2904(T5L,F,T)	-	询价	4954	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1401,LF	0.2200	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1401		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SC4793(女、男)	-	询价	5677	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	500																					230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
RN4905T5LFT	0.1000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4905		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
2SD2129,LS4ALPSQ(M	-	询价	5024	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2129		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																					100伏	3A	100μA（ICBO）	NPN	2V@12mA，3A	2000@1.5A，3V	-
RN4988FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4988		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SC3668-O,T2CLAF(J	-	询价	9779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TTC009,F(中	-	询价	2791	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TTC009		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					80V	3A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	100@500mA，5V	150兆赫
CMS06(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	60	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS06	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	370毫伏@2安		3毫安@30伏	-40℃～125℃	2A	130pF@10V、1MHz
RN1101MFV,L3F(CT	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1101		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																					50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
TPCC8003-H(TE12LQM	-	询价	5379	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	13A（塔）	4.5V、10V	16.9毫欧@6.5A，10V	2.3V@200μA	17nC@10V	±20V	1300pF@10V	-	700mW（Ta）、22W（Tc）
2SA1020-Y(T6CN,A,F	-	询价	6615	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK12A80W,S4X	3.1200	询价	4351	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK12A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	800V	11.5A（塔）	10V	450毫欧@5.8A，10V	4V@570μA	23nC@10V	±20V	1400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TK33S10N1L,LXHQ	1.3200	询价	2353	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK33S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	100伏	33A（塔）	4.5V、10V	9.7毫欧@16.5A，10V	2.5V@500μA	33nC@10V	±20V	2250pF@10V	-	125W（温度）
RN1313，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1313		100毫W	USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	47欧姆
TRS6E65F,S1Q	2.7600	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	TRS6E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)												650伏	1.6V@6A	0纳秒	650V时为30μA	175℃（最高）	6A	22pF@650V，1MHz
TRS2E65H,S1Q	1.5500	询价	300	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS2E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)												650伏	1.35V@2A	0纳秒	40μA@650V	175℃	2A	135pF@1V、1MHz
SSM3K310T(TE85L,F)	-	询价	6188	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K310	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	5A（塔）	1.5V、4V	28毫欧@4A、4V	-	14.8nC@4V	±10V	1120pF@10V	-	700毫W（塔）
2SC2655-Y(T6ND1,AF	-	询价	5882	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN4904(T5L,F,T)	-	询价	第1192章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4904		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN2112,LXHF(CT	0.0624	询价	9359	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2112		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
RN2904FE,LF	0.2600	询价	4593	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK35A65W,S5X	6.5000	询价	8817	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK35A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	35A（塔）	10V	80毫欧@17.5A，10V	3.5V@2.1mA	100nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	50W（温度）
CES521，L3F	0.1800	询价	64	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	CES521	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	500毫伏@200毫安		30V@30μA	125℃（最高）	200毫安	26pF @ 0V、1MHz
RN2404，LF	0.0289	询价	6844	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
SSM6L61NU，LF	0.4500	询价	132	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6L61	MOSFET（金属O化物）	-	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			20V	4A		-	-	-		-	-
SSM6J50TU,LF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J50	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	2.5A（塔）	2V、4.5V	64毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@200μA		±10V	800pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3K7002BF,LF	-	询价	3538	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		SC-59	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	60V	200mA（塔）	4.5V、10V	2.1欧姆@500mA，10V	-		±20V	17pF@25V	-	200毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²