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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 电流 -最大 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 电阻 @ if，f 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） （ID） - 最大
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8031 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a（11a） 13.3MOHM @ 5.5A，10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V 2150 pf @ 10 V - -
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL（TE85L，F） 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK880 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 6 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL，LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TP89R103 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 15A（TC） 4.5V，10V 9.1MOHM @ 7.5A，10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 15 V - 1W（TC）
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-y te85l，f） 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK208 100兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 1.2 ma @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W，S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK8Q65 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 75 n通道 650 v 7.8A（ta） 10V 670MOHM @ 3.9A，10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 pf @ 300 V - 80W（TC）
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，RF（d -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 （1 （无限） SSM6N48FURF（d Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V 逻辑水平门，2.5V
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30，L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CBS05F30 肖特基 CST2B - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 500mA 118pf @ 0v，1MHz
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL，L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH7R006 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 60a（TC） 4.5V，10V 13.5MOHM @ 10a，4.5V 2.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1875 PF @ 30 V - 81W（TC）
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16（TE12L，Q，M） 0.5400
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 CMZ16 2 w M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11 V 16 V 30欧姆
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ39 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 31.2 V 39 v 35欧姆
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV，L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3K35 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 250mA（ta） 1.2V，4.5V 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 V ±10V 36 pf @ 10 V - 500MW（TA）
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL，RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK4R4P06 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 58A（TC） 4.5V，10V 4.4mohm @ 29a，10v 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 pf @ 30 V - 87W（TC）
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3完整包 TK16A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 16a 270MOHM @ 8A，10V - - -
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA（sta4，Q，m） 1.2500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 5.5A（ta） 10V 1.35ohm @ 2.8a，10v 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - -
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA（STA4，Q，m） 1.4000
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 6.5A（TA） 10V 1.2OHM @ 3.3a，10v 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 540 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D（sta4，Q，m） 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 7a（ta） 10V 1.25OHM @ 3.5A，10V 4.4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L（T6L1，NQ -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK80S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 80a（ta） 6V，10V 3.1MOHM @ 40a，10v 3V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 4340 pf @ 10 V - 100W（TC）
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage tpc8a05-h te12l，QM -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8A05 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 13.3MOHM @ 5A，10V 2.3V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 10 V （（（） 1W（ta）
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U（Q，M） -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 190mohm @ 10a，10v 5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 pf @ 10 V - 45W（TC）
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SJ610 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 250 v 2A（TA） 10V 2.55ohm @ 1A，10V 3.5V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W（TA）
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91（TE85L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±10％ -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F Cry91 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 5.5 V 9.1 v 30欧姆
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE（TE85L，f -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J206 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.8V，4V 130MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA ±8V 335 pf @ 10 V - 500MW（TA）
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK50P04 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 50a（ta） 4.5V，10V 8.7MOHM @ 25A，10V 2.3V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 10 V - 60W（TC）
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D（sta4，Q，m） 2.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 8a（8a） 10V 840MOHM @ 4A，10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W（TC）
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H te85lfm -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8103 MOSFET （金属 o化物） PS-8（2.9x2.4） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 40 V 4.8A（ta） 4.5V，10V 40mohm @ 2.4a，10v 2V @ 1mA 19 nc @ 10 V ±20V 800 pf @ 10 V - 840MW（TA）
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） SC-76，SOD-323 南加州大学 下载 （1 （无限） 264-1SS315 [u/d] tr Ear99 8541.10.0070 3,000 30 ma 0.06pf @ 200mv，1MHz 肖特基 -单身 5V -
SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU，LXHF 0.5500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.4a（ta） 1.5V，4.5V 25.8mohm @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 24.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 1800 pf @ 10 V - 500MW（TA）
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4984 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911，LXHF（ct 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1911 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 10KOHMS -
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909，LXHF（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1909 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 22KOHMS
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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