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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 获得 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电阻 @ if，f 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1D03 标准 US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2对CA + CC 80 V 80mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大）
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B （TE85L，F） 0.1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1C03 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 100mv @ 3mA，30mA 350 @ 4mA，2V 30MHz
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4902 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 1SS362 标准 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-y te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1A01 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-y，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC4915 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23dB 30V 20mA NPN 100 @ 1mA，6v 550MHz 2.3db〜5dB @ 100MHz
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage JDP4P02AT（TE85L） -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 4-SMD，没有铅 JDP4P02 CST4（1.2x0.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 4,000 50 mA 0.4pf @ 1V，1MHz 引脚-2独立 30V 1.5OHM @ 10mA，100MHz
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301，LF 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 1SS301 标准 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大）
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1D02 标准 SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜125°C
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN1705 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN1511 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 10KOHMS -
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2704 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2707 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2708 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN2504 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe，lf（Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4984 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE（TE85L，F） 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1908 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1971 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 10KOHMS -
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1673 300MW US6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V - 47kohms -
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 （T5L，F，T） 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1909 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 22KOHMS
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1911 100MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1968 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1970 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973（TE85L，F） 0.0753
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1973 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V - 47kohms -
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2904 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe（te85l，f） 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2911 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2965fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2965 100MW ES6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2966fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2966 100MW ES6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2970 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms 10KOHMS
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN2607 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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