分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	当前 - 最大	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
JDH2S01FSTPL3	-	询价	7312	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）		2-SMD，写入	JDH2S01			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000			25毫安																			0.6pF@0.2V，1MHz			肖特基 - 单	4V							-
TRS12N65FB,S1Q	4.9600	询价	55	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-247-3	TRS12N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS12N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)													1对共轴线	650伏	6A（室外）	1.6V@6A	0纳秒	650V时为30μA	175℃
RN2115,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2115		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安						500纳安				PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
1SV282TPH3F	0.0886	询价	第1657章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV282			ESC键	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000																						3pF@25V，1MHz			单身的	34V														12.5	C2/C25	-
TK3R2A10PL,S4X	2.9400	询价	99	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3全包	TK3R2A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	100A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	161nC@10V	±20V	9500pF@50V	-	54W（温度）
HN1D02FU,LF	0.4400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1D02	标准		美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													2对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
CMF05(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMF05	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	4（72小时）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1000伏		2.7V@500mA	100纳秒	800V时为50μA	-40℃～125℃	500毫安	-
RN1903,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安						500纳安				2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK2P90E,RQ	1.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		900伏	2A（塔）	10V	5.9欧姆@1A，10V	4V@200μA	12nC@10V	±30V	500pF@25V	-	80W（温度）
SSM6J216FE,LF	0.4900	询价	2168	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J216	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		12V	4.8A（塔）	1.5V、4.5V	32毫欧@3.5A，4.5V	1V@1mA	12.7nC@4.5V	±8V	1040pF@12V	-	700毫W（塔）
2SJ438,Q(J	-	询价	2689	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1					5A（Tj）
CRZ47(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	4033	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ47		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																	1V@200mA		10μA@37.6V												47V	65欧姆
SSM6J206FE(TE85L,F	-	询价	3596	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J206	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	2A（塔）	1.8V、4V	130mOhm@1A，4V	1V@1mA		±8V	10V时为335pF	-	500毫W（塔）
2SA1362-GR，LF	0.4000	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1362		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							15V	800毫安						100nA（ICBO）				国民党	200mV@8mA、400mA	200@100mA，1V	120兆赫
TJ40S04M3L,LXHQ	1.0800	询价	9632	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ40S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		40V	40A（塔）	6V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3V@1mA	83nC@10V	+10V，-20V	10V时为4140pF	-	68W（温度）
CMZ16(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4384	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ16		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																	1.2V@200mA		11V时为10μA												16V	30欧姆
RN2304,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2304		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安						500纳安				PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
RN2904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安						500纳安				2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN4984(T5L,F,T)	0.1400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4984		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安						100μA（ICBO）				1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SC4935-Y,Q(J	-	询价	8469	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4935		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																							50V	3A						1μA（ICBO）				NPN	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	80兆赫
2SC2383-O(T6OMI,FM	-	询价	4250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2383		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							160伏	1A						1μA（ICBO）				NPN	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	100兆赫兹
2SD2257,Q(J	-	询价	9453	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																							100伏	3A						10μA（ICBO）				NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
2SC2229-Y(T6ONK1FM	-	询价	8244	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6ONK1FM	EAR99	8541.21.0075	1																							150伏	50毫安						100nA（ICBO）				NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
TK090Z65Z,S1F	6.3200	询价	25	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极		150℃	通孔	TO-247-4		MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L(T)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		650伏	30A（塔）	10V	90毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（温度）
2SK880-BL(TE85L,F)	0.5900	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK880		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道									13pF@10V																50V	6毫安@10伏	1.5V@100nA
2SC5354,TOJSQ(O	-	询价	2914	东芝半导体和存储	*	管子	的积极					2SC5354				下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50
TK160F10N1,LXGQ	3.8300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	不适合新设计		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.21.0095	1,000		N沟道		100伏	160A（塔）	10V	2.4毫欧@80A，10V	4V@1mA	121nC@10V	±20V	10V时为8510pF	-	375W（温度）
TPN3300ANH、LQ	0.9000	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN3300	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	9.4A（温度）	10V	33毫欧@4.7A，10V	4V@100μA	11nC@10V	±20V	880pF@50V	-	700mW（Ta）、27W（Tc）
1SV229TPH3F	0.3800	询价	9260	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV229			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000																						6.5pF@10V、1MHz			单身的	15V														2.5	C2/C10	-
XPN7R104NC,L1XHQ	1.2500	询价	9396	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPN7R104	MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	20A（塔）	4.5V、10V	7.1毫欧@10A、10V	2.5V@200μA	21nC@10V	±20V	1290pF@10V	-	840mW（Ta）、65W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²