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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O，f（j -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8401 MOSFET （金属 o化物） 1W PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V，12V 100mA，5.5a 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V 逻辑级别门
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-gr，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1586 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K324 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 1.8V，4.5V 55MOHM @ 4A，4.5V - ±12V 190 pf @ 30 V - 1W（ta）
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2910 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
2SC2235-O(T6ASN,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O （T6ASN，FM -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W，S4VX 2.1100
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 5.4A（ta） 10V 900MOHM @ 2.7a，10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 30W（TC）
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 366 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSII 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J117 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 117MOHM @ 1A，10V 2.6V @ 1mA ±20V 280 pf @ 15 V - 500MW（TA）
2SC2655-O(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O （ND1，AF） -
RFQ
 ECAD 1084 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4908 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 22KOHMS 47kohms
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A （TE85L，f 0.4400
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1C03 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 100mv @ 3mA，30mA 200 @ 4mA，2V 30MHz
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F，S4X 1.7600
RFQ
 ECAD 968 0.00000000 东芝半导体和存储 u-mosix 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK750A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10a（10a） 10V 750MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1130 PF @ 300 V - 40W（TC）
TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1，RQ -
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK65G10 MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 65A（TA） 10V 4.5mohm @ 32.5a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 50 V - 156W（TC）
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV，L3F（ct 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2101 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056（TE85L，F） 0.1275
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA2056 625兆 TSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 33mA，1a 200 @ 300mA，2V -
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN2602 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W，RVQ（s -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK12P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK12P60WRVQ s Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
2SC4215-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-O（TE85L，f） 0.0946
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 40 @ 1mA，6v 550MHz 5DB @ 100MHz
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837，toa1f（j -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1837 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） PNP 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 70MHz
TK4P60DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DA（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK4P60 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK4P60DAT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 3.5A（ta） 10V 2.2OHM @ 1.8A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2110 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01（TE12L，Q，M） 0.7300
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMH01 标准 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 3 a 100 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 3a -
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2104 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y，LF -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5108 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 11DB 10V 30mA NPN 120 @ 5mA，5V 6GHz -
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1963 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y t6onk1，FM -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA949 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） PNP 800mv @ 1mA，10a 70 @ 10mA，5V 120MHz
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2106 100兆 CST3 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH，L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH4R50 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 60a（TC） 10V 4.5mohm @ 30a，10v 4V @ 1mA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 1.6W（TA），78W（tc）
SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J332R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J332 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 6a（6a） 1.8V，10V 42MOHM @ 5A，10V 1.2V @ 1mA 8.2 NC @ 4.5 V ±12V 560 pf @ 15 V - 1W（ta）
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P（TE12L，F） 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 20 v 表面安装 TO-243AA RFM01U7 520MHz MOSFET PW-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1a 100 ma 1.2W 10.8db - 7.2 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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