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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1，RQ -
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK65G10 MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 65A（TA） 10V 4.5mohm @ 32.5a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 50 V - 156W（TC）
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV，L3F（ct 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2101 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056（TE85L，F） 0.1275
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA2056 625兆 TSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 33mA，1a 200 @ 300mA，2V -
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN2602 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W，RVQ（s -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK12P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK12P60WRVQ s Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837，toa1f（j -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1837 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） PNP 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 70MHz
TK4P60DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DA（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK4P60 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK4P60DAT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 3.5A（ta） 10V 2.2OHM @ 1.8A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2110 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01（TE12L，Q，M） 0.7300
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMH01 标准 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 3 a 100 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 3a -
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2104 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y，LF -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5108 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 11DB 10V 30mA NPN 120 @ 5mA，5V 6GHz -
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1963 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y t6onk1，FM -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA949 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） PNP 800mv @ 1mA，10a 70 @ 10mA，5V 120MHz
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2106 100兆 CST3 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J332R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J332 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 6a（6a） 1.8V，10V 42MOHM @ 5A，10V 1.2V @ 1mA 8.2 NC @ 4.5 V ±12V 560 pf @ 15 V - 1W（ta）
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P（TE12L，F） 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 20 v 表面安装 TO-243AA RFM01U7 520MHz MOSFET PW-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1a 100 ma 1.2W 10.8db - 7.2 v
RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2108 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K333R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K333 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6a（6a） 4.5V，10V 28mohm @ 5a，10v 2.5V @ 100µA 3.4 NC @ 4.5 V ±20V 436 pf @ 15 V - 1W（ta）
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15（TE12L，Q，M） 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS15 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 580 mv @ 3 a 300 µA @ 60 V -40°C〜150°C 3a 102pf @ 10V，1MHz
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-gr，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1C01 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT（TPL3） 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1113 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 47科姆斯
CLS01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01（TE16R，Q） -
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS01 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 470 mv @ 10 A 1 ma @ 30 V -40°C〜125°C 10a 530pf @ 10V，1MHz
2SC2235-Y(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y t6fjt，FM -
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8052-h（T2L1，VM 1.1300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powervdfn TPCA8052 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） 264-TPCA8052-H t2l1vmtr Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 20A（TA） 4.5V，10V 11.3mohm @ 10a，10v 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 2110 PF @ 10 V - 1.6W（TA），30W（TC）
CMS05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS05（TE12L，Q，M） 0.7800
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS05 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 450 mv @ 5 a 800 µA @ 30 V -40°C〜150°C 5a 330pf @ 10V，1MHz
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE，LM 0.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L56 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 800mA（ta） 235MOHM @ 800mA，4.5V，390MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 1NC @ 10V 55pf @ 10V，100pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE，LF 0.2600
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2904 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-gr，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4116 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 2mA，6v 80MHz
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV（TPL3） 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2119 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 120 @ 1mA，5V 1 kohms
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK6A60DSTA4QM Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 6a（6a） 10V 1.25OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 40W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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