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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
CuHS10F60，H3F	0.4300	RFQ	25	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，平坦的铅	CUHS10	肖特基		US2H	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V				40 µA @ 60 V	150°C （最大）	1a	130pf @ 0v，1MHz
TPN8R903NL，LQ	0.7400	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN8R903	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	2.3V @ 100µA	9.8 NC @ 4.5 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	700MW（TA），22W（22W）TC）
RN2101，lf（Ct	0.2000	RFQ	2719	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2101		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
TK33S10N1Z，LQ	1.5500	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK33S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	100 v	33A（TA）	10V	9.7MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 500µA	28 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	125W（TC）
2SC3668-Y，T2F（j	-	RFQ	3546	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
rn4986fe，lf（Ct	0.2600	RFQ	4319	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4986		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	47kohms
SSM3K121TU	-	RFQ	6715	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载			264-SSM3K121TU	Ear99	8541.21.0095	1			n通道	20 v	3.2A（ta）	1.5V，4V	48mohm @ 2A，4V	1V @ 1mA	5.9 NC @ 4 V	±10V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
RN4905FE，LF（ct	0.2700	RFQ	2228	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4905		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	2.2kohms	47kohms
tpca8052-h（T2L1，VM	1.1300	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8052	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	264-TPCA8052-H t2l1vmtr	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	40 V	20A（TA）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	2110 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
SSM6J401TU，LF	0.4900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J401	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	2.5a（ta）	4V，10V	73mohm @ 2a，10v	2.6V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
RN4990 （T5L，F，T）	-	RFQ	4976	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4990		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100µA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
CMS14（TE12L，Q，M）	0.5900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-128	CMS14	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		580 mv @ 2 a		200 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	2a	-
SSM6N56FE，LM	0.4700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N56	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）			20V	800mA		235mohm @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	1NC @ 4.5V		55pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
TPC8067-H，LQ（s	-	RFQ	9337	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8067	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN2303，LXHF	0.3900	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2303		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
1SS378（te85l，f）	0.3400	RFQ	55	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	1SS378	肖特基		SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	10 v	100mA	500 mv @ 100 ma		20 µA @ 10 V	125°c （最大）
SSM3J378R，LF	0.3800	RFQ	46	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J378	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SA1382，T6MIBF（j。	-	RFQ	4486	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1382		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500MV @ 33mA，1a	150 @ 500mA，2V	110MHz
2SC3324-bl（TE85L，f	-	RFQ	9331	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC3324		150兆	TO-236	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							120 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
2SC4213-A te85l，f）	0.0742	RFQ	4305	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4213		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							20 v	300 MA	100NA（ICBO）	NPN	100mv @ 3mA，30a	200 @ 4mA，2V	30MHz
RN2111CT（tpl3）	-	RFQ	9861	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2111		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							20 v	50 mA	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		10 kohms
rn2903fe（te85l，f）	0.3400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2903		100MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	22KOHMS
HN1C03FU-A （TE85L，f	0.4400	RFQ	9755	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1C03		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							20V	300mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	100mv @ 3mA，30mA	200 @ 4mA，2V	30MHz
RN2961（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2961		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	4.7kohms
2SK3128（Q）	-	RFQ	4970	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK3128	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	30 V	60a（ta）	10V	12mohm @ 30a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	150W（TC）
RN2906FE，LF（ct	0.2500	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2906		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000																							50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
SSM3K15CT（TPL3）	-	RFQ	8514	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	7.8 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
1SS352，H3F	0.1800	RFQ	236	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-76A	1SS352	标准		SC-76-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													80 V		1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
2SC2235-y，T6ASHF（j	-	RFQ	1248	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
CUHS20S40，H3F	0.3700	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，平坦的铅	CUHS20	肖特基		US2H	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		470 mv @ 2 a		300 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	290pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²