分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC4944-Y(TE85L,F)	0.3500	询价	第557章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	2SC4944		200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	150毫安	100nA（ICBO）			2 NPN（双）匹配，共发射极	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
CRY82(TE85L,Q,M)	-	询价	3176	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	哭82		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0050	3,000															1V@200mA		4.9V时为10μA							8.2V	30欧姆
RN2416，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2416		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	10欧姆
TRS2E65F,S1Q	1.0500	询价	第1763章	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2	TRS2E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)												650伏	1.6V@2A	0纳秒	650V时为20μA	175℃（最高）	2A	8.7pF@650V，1MHz
RN4990FE,LF(CT	0.2600	询价	6683	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4990		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
RN4908FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4908		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
1SS307E，L3F	0.1900	询价	98	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS307	标准		SC-79	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												80V	1.3V@100mA		80V时为10nA	150℃（最高）	100毫安	6pF@0V、1MHz
SSM3J328R，LF	0.4100	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J328	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	±8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
SSM3J134TU，LF	0.4100	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J134	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	±8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3K15ACT，L3F	0.3400	询价	32	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN2108(T5L,F,T)	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
RN1102MFV,L3F	0.2400	询价	30	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1102		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																					50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V		10欧姆	10欧姆
2SA965-O,F(J	-	询价	9399	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																					120V	800毫安	100nA（ICBO）			国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SK2962(T6CANO,F,M	-	询价	2604	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1					1A（Tj）
RN2511(TE85L,F)	0.0865	询价	5376	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2511		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
2SK2962(T6CANO,A,F	-	询价	8525	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1					1A（Tj）
TPC6109-H(TE85L,FM	-	询价	6133	东芝半导体和存储	U-MOSIII-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6109	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	30V	5A（塔）	4.5V、10V	59毫欧@2.5A，10V	1.2V@200μA	12.3nC@10V	±20V	490pF@10V	-	700毫W（塔）
HN4C06J-BL(TE85L,F	0.1088	询价	3999	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	HN4C06		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																					120V	100毫安	100nA（ICBO）			2 NPN（双）共发射极	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
RN1314，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1314		100毫W	USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
SSM6P49NU，LF	0.4200	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6P49	MOSFET（金属O化物）	1W	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	4A		45毫欧@3.5A，10V	1.2V@1mA	6.74nC@4.5V		480pF@10V	逻辑电平门
SSM6J412TU，LF	0.3700	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J412	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	42.7毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	±8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
2SC2235-O(T6ASN,FM	-	询价	2868	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																					120V	800毫安	100nA（ICBO）			NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN2309(TE85L,F)	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2309		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2701,LF	0.3000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2701		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
TPC8014(TE12L,Q,M)	-	询价	2019年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8014	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	11A（塔）	4.5V、10V	14毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	39nC@10V	±20V	1860pF@10V	-	1W（塔）
SSM6J414TU，LF	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J414	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	22.5毫欧@6A，4.5V	1V@1mA	23.1nC@4.5V	±8V	1650pF@10V	-	1W（塔）
RN1509(TE85L,F)	0.0865	询价	2966	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN1509		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SC3328-Y,HOF(M	-	询价	3114	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC3328		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																					80V	2A	1μA（ICBO）			NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2103ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2103		100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																					50V	80毫安	500纳安			PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
TK55S10N1,LXHQ	1.6800	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK55S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	100伏	55A（塔）	10V	6.5毫欧@27.5A，10V	4V@500μA	49nC@10V	±20V	3280pF@10V	-	157W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²