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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SD2695（t6cano，A，f	-	RFQ	9225	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD2695		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							60 V	2 a	10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	100MHz
SSM6P35FE，LM	-	RFQ	2051	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6P35	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）			20V	100mA		8ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA	-		12.2pf @ 3V	-
TK6A60D（sta4，Q，m）	-	RFQ	7254	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK6A60DSTA4QM	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	6a（6a）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
U20DL2C48A（TE24L，Q	-	RFQ	3820	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	U20DL2	标准		TO-220SM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	20a	980 mv @ 10 a	35 ns	50 µA @ 200 V	-
RN2111，LXHF（ct	0.3300	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN2111		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
TK190E65Z，S1X	2.7800	RFQ	156	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	15A（TA）	10V	190MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 610µA	25 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 300 V	-	130W（TC）
RN4981FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4981		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	4.7kohms
TPH1R204PB，L1Q	1.5500	RFQ	31	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R204	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	40 V	150a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	3V @ 500µA	62 NC @ 10 V	±20V	5855 pf @ 20 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
2SJ681（Q）	-	RFQ	9057	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	2SJ681	MOSFET （金属 o化物）		PW-mold2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	200			P通道	60 V	5A（5A）	4V，10V	170MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 10 V	-	20W（TA）
2SA1930（onk，Q，m）	-	RFQ	2894	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1930		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							180 v	2 a	5µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
RN2101CT（tpl3）	-	RFQ	5357	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN2101		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							20 v	50 mA	500NA			pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	4.7科姆斯
SSM6P39TU，LF	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6P39	MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	1.5A（TA）		213MOHM @ 1A，4V	1V @ 1mA	6.4NC @ 4V		250pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
1SS387，L3F	0.2300	RFQ	107	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	1SS387	标准		ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													80 V		1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	0.5pf @ 0v，1MHz
RN49A1（TE85L，F）	-	RFQ	3359	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN49A1		200MW	US6	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	2.2KOHM，22KOHM	47kohms
CMG02（TE12L，Q，M）	-	RFQ	8363	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-128	CMG02	标准		M-Flat（2.4x3.8）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	CMG02（TE12LQM）	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1.1 V @ 2 A		10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	2a	-
RN1905，LF（ct	0.2800	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1905		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
RN2416，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2416		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
2SA1382，T6MIBF（j。	-	RFQ	4486	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1382		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500MV @ 33mA，1a	150 @ 500mA，2V	110MHz
2SC2229-O（shp，f，m）	-	RFQ	6232	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
2SA1586-gr，LF	0.1800	RFQ	18	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1586		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
TK20A60W，S5VX	2.9800	RFQ	84	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK20A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	45W（TC）
RN2309（TE85L，F）	0.2700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2309		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
CRZ10（TE85L，Q）	-	RFQ	1889年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ10		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ10TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	1 V @ 200 MA		10 µA @ 6 V							10 v	30欧姆
RN4903 （T5L，F，T）	-	RFQ	4486	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4903		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	22KOHMS
RN2106ACT（TPL3）	0.0527	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN2106		100兆	CST3	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							50 V	80 ma	500NA			pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	47科姆斯
2SA1869-y jkt，Q，m）	-	RFQ	5990	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1869		10 W	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							50 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	600mv @ 200mA，2a	70 @ 500mA，2V	100MHz
TRS2E65H，S1Q	1.5500	RFQ	300	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TRS2E65H，S1Q	Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.35 V @ 2 A	0 ns	40 µA @ 650 V	175°C	2a	135pf @ 1V，1MHz
RN4990 （T5L，F，T）	-	RFQ	4976	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4990		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100µA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
tk430a60f，s4x（s	-	RFQ	5192	东芝半导体和存储	u-mosix	大部分	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	13A（TA）	10V	430mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1.75mA	48 NC @ 10 V	±30V	1940 pf @ 300 V	-	45W（TC）
SSM3K17FU，LF	0.3300	RFQ	62	东芝半导体和存储	π-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SSM3K17	MOSFET （金属 o化物）		USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	50 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA		±7V	7 pf @ 3 V	-	150MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²