分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA1428-Y,T2F(J	-	询价	9599	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TJ50S06M3L(T6L1,NQ	1.9400	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ50S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			P沟道	60V	50A（塔）	6V、10V	13.8毫欧@25A，10V	3V@1mA	124nC@10V	+10V，-20V	6290pF@10V	-	90W（温度）
2SC4116-GR，LF	0.1800	询价	39	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
SSM6K406TU，LF	0.5200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K406	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	30V	4.4A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@2A，10V	2.5V@1mA	12.4nC@10V	±20V	490pF@15V	-	500毫W（塔）
2SC2235-Y,T6ASHF(J	-	询价	1248	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TPC8014(TE12L,Q,M)	-	询价	2019年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8014	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	11A（塔）	4.5V、10V	14毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	39nC@10V	±20V	1860pF@10V	-	1W（塔）
TK33S10N1L,LXHQ	1.3200	询价	2353	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK33S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	100伏	33A（塔）	4.5V、10V	9.7毫欧@16.5A，10V	2.5V@500μA	33nC@10V	±20V	2250pF@10V	-	125W（温度）
TTC009,F(中	-	询价	2791	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TTC009		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				80V	3A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	100@500mA，5V	150兆赫
TK12A80W,S4X	3.1200	询价	4351	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK12A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	800V	11.5A（塔）	10V	450毫欧@5.8A，10V	4V@570μA	23nC@10V	±20V	1400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
2SC3668-O,T2CLAF(J	-	询价	9779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SD2129,LS4ALPSQ(M	-	询价	5024	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2129		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																				100伏	3A	100μA（ICBO）	NPN	2V@12mA，3A	2000@1.5A，3V	-
CMS06(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	60	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS06	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	370毫伏@2安	3毫安@30伏	-40℃～125℃	2A	130pF@10V、1MHz
RN4988FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4988		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
SSM6K404TU，LF	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K404	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	3A（塔）	1.5V、4V	55mOhm@2A，4V	1V@1mA	5.9nC@4V	±10V	400pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2101CT(TPL3)	-	询价	5357	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2101		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																				20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
ULN2803APG,CN	-	询价	1735	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ULN2803		1.47W	18-DIP	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	800																				50V	500毫安	-	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
TK33S10N1Z,LQ	1.5500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK33S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	100伏	33A（塔）	10V	9.7毫欧@16.5A，10V	4V@500μA	28nC@10V	±20V	2050pF@10V	-	125W（温度）
TK9A60D(STA4,Q,M)	2.0200	询价	49	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	9A（塔）	10V	830毫欧@4.5A，10V	4V@1mA	24nC@10V	±30V	1200pF@25V	-	45W（温度）
RN2110,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2110		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
2SA1182-GR,LF	0.3200	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1182		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	200@100mA，1V	200兆赫
2SA1586-GR,LXHF	0.3300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	SC-70、SOT-323			200毫W	USM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK4P60DA(T6RSS-Q)	-	询价	2953	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK4P60	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK4P60DAT6RSSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	600伏	3.5A（塔）	10V	2.2欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	80W（温度）
RN1909FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1909		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
CLS01(TE16L、PAS、Q)	-	询价	8647	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	470毫伏@10安	1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
2SC4793(PAIO,F,M)	-	询价	2353	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
TDTA114Y,LM	0.1800	询价	8079	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA114		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	90@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
TPCC8003-H(TE12LQM	-	询价	5379	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	13A（塔）	4.5V、10V	16.9毫欧@6.5A，10V	2.3V@200μA	17nC@10V	±20V	1300pF@10V	-	700mW（Ta）、22W（Tc）
RN1101MFV,L3F(CT	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1101		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
SSM6J412TU，LF	0.3700	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J412	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	42.7毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	±8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
SSM6P49NU，LF	0.4200	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6P49	MOSFET（金属O化物）	1W	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	4A		45毫欧@3.5A，10V	1.2V@1mA	6.74nC@4.5V		480pF@10V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²