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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L，LXHQ 1.2000
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TJ30S06 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 30a（TA） 6V，10V 21.8mohm @ 15a，10v 3V @ 1mA 80 NC @ 10 V +10V，-20V 3950 pf @ 10 V - 68W（TC）
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL，L1Q 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN2R703 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 45A（TC） 4.5V，10V 2.7MOHM @ 22.5A，10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 700MW（TA），42W（TC）
TK155E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E65Z，S1X 3.2600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 18A（18A） 10V 155mohm @ 9a，10v 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ±30V 1635 PF @ 300 V - 150W（TC）
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-y，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1182 150兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 100NA（ICBO） PNP 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 100mA，1V 200MHz
RN2908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2908 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1，S1X 2.9200
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK65E10 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 148a（ta） 10V 4.8mohm @ 32.5a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 50 V - 192W（TC）
CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S30，L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CBS10S30 肖特基 CST2B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 450 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V 125°c （最大） 1a 135pf @ 0v，1MHz
RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403，LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2403 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TK55S10N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1，LQ 2.9700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK55S10 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 55A（ta） 10V 6.5MOHM @ 27.5A，10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3280 pf @ 10 V - 157W（TC）
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y t6nd2，af -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6P49 MOSFET （金属 o化物） 1W 6-udfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4a 45MOHM @ 3.5A，10V 1.2V @ 1mA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V 逻辑级别门
RN1411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411，LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1411 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-O（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8403 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5065 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA，5V 7GHz 1dB @ 500MHz
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120，LQ（厘米 -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8120 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 45A（TA） 4.5V，10V 3mohm @ 22.5a，10v 2V @ 1mA 190 NC @ 10 V +20V，-25V 7420 PF @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF 0.5600
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN3C10 200MW US6 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 11.5db 12V 80mA 2 NPN （双） 80 @ 20mA，10v 7GHz 1.1db @ 1GHz
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y，T2WNLF（j -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC3668 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8129，lq（s 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8129 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a（9a） 4.5V，10V 22mohm @ 4.5A，10V 2V @ 200µA 39 NC @ 10 V +20V，-25V 1650 pf @ 10 V - 1W（ta）
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417，LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2417 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2967 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
1SS361FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361FV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 1SS361 标准 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2964 100MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU，LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K406 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4.4a（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 2a，10v 2.5V @ 1mA 12.4 NC @ 10 V ±20V 490 pf @ 15 V - 500MW（TA）
SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R，LXHF 0.5800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L820 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 4A（ta） 39.1MOHM @ 2A，4.5V，45MOHM @ 3.5A，10V 1V @ 1MA，1.2V @ 1MA 3.2nc @ 4.5V，6.7nc @ 4.5V 310pf @ 15V，480pf @ 10V -
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D（sta4，Q，m） 3.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 12a（12a） 10V 550MOHM @ 6A，10V 4V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 45W（TC）
2SC5198-O(S1,E Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5198-O（s1，e -
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SC5198 100 W to-3p n（n） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC5198-O （S1E Ear99 8541.29.0075 25 140 v 10 a 5µA（ICBO） NPN 2V @ 700mA，7a 55 @ 1A，5V 30MHz
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930，onkq（j。 -
RFQ
 ECAD 7793 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1930 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA（ICBO） PNP 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V 200MHz
2SC2229-Y(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y t6san2fm -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SC2229YT6SAN2FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-gr，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1163 150兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106，LF（ct 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1106 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J512 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 10a（10a） 1.8V，8V 16.2MOHM @ 4A，8V 1V @ 1mA 19.5 NC @ 4.5 V ±10V 1400 pf @ 6 V - 1.25W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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