分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK22A65X5,S5X	4.1200	询价	78	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃		通孔	TO-220-3全包	TK22A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	22A（塔）	10V	160毫欧@11A，10V	4.5V@1.1mA	50nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TDTC143E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC143		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TK3R9E10PL,S1X	2.3700	询价	100	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃		通孔	TO-220-3	TK3R9E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		100伏	100A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	6320pF@50V	-	230W（温度）
SSM6J215FE(TE85L,F	0.4600	询价	87	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J215	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			P沟道		20V	3.4A（塔）	1.5V、4.5V	59毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	±8V	630pF@10V	-	500毫W（塔）
HN2C01FE-GR(T5L,F)	-	询价	第1551章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2C01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	60兆赫
RN2705，LF	0.3000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2705		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN1963(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1963		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
2SA1873-Y(TE85L,F)	0.3500	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	2SA1873		200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 PNP（双）匹配，共极输出	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
CRF03A,LQ(M	-	询价	5905	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极				表面贴装	SOD-123F		标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载				EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														600伏		2V@700mA	100纳秒	50μA@600V	150℃	700毫安	-
RN1964TE85LF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1964		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
HN2D01JE(TE85L,F)	0.4100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-553	HN2D01	标准		ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													2 独立	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
TK31A60W,S4VX	7.4700	询价	7047	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包	TK31A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	30.8A（塔）	10V	88毫欧@15.4A，10V	3.7V@1.5mA	86nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TPW1R005PL,L1Q	3.0300	询价	14	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃		表面贴装	8-PowerWDFN	TPW1R005	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		45V	300A（温度）	4.5V、10V		2.4V@1mA	122nC@10V	±20V	9600pF@22.5V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
XPN6R706NC,L1XHQ	1.4200	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃		表面贴装	8-PowerVDFN	XPN6R706	MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		60V	40A（塔）	4.5V、10V	6.7毫欧@20A，10V	2.5V@300μA	35nC@10V	±20V	2000pF@10V	-	840mW（Ta）、100W（Tc）
1SS413，L3M	0.2700	询价	101	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	2-SMD，写入	1SS413	肖特基		森林管理委员会	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														20V		550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.9pF @ 0V、1MHz
TK7R0E08QM,S1X	1.4500	询价	172	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极		175℃		通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		80V	64A（温度）	6V、10V	7毫欧@32A，10V	3.5V@500μA	39nC@10V	±20V	2700pF@40V	-	87W（温度）
TPCP8F01(TE85L,F,M	-	询价	3838	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	20V		负载开关	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8			PS-8	下载	符合RoHS标准		TPCP8F01(TE85LFM	EAR99	8541.21.0095	3,000				3A																							PNP、N沟道
RN1113ACT(TPL3)	0.3400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1113		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																								50V	80毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		47欧姆
RN1313，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1313		100毫W	USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	47欧姆
TRS6E65F,S1Q	2.7600	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极				通孔	TO-220-2	TRS6E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.6V@6A	0纳秒	650V时为30μA	175℃（最高）	6A	22pF@650V，1MHz
SSM6L61NU，LF	0.4500	询价	132	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-		表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6L61	MOSFET（金属O化物）	-	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道				20V	4A		-	-	-		-	-
SSM6J50TU,LF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃		表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J50	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	2.5A（塔）	2V、4.5V	64毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@200μA		±10V	800pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM6L56FE,LM	0.3800	询价	45	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃		表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6L56	MOSFET（金属O化物）	150毫W（塔）	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 和 P 沟道				20V	800mA（塔）		235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V	1V@1mA	1nC@10V		55pF@10V，100pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
2SC4793,WNLF(J	-	询价	2420	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SC6135，LF	0.4700	询价	41	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	3-SMD，写入	2SC6135		500毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	1A	100nA（ICBO）	NPN	120mV@6mA、300mA	400@100mA，2V	-
RN4986FE,LF(CT	0.2600	询价	4319	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4986		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN2112CT(TPL3)	-	询价	9368	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																								20V	50毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		22欧姆
RN2701,LF	0.3000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2701		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SC2482(T6TOJS,F,M	-	询价	3501	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2482		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																								300伏	100毫安	1μA（ICBO）	NPN	1V@1mA、10mA	30@20mA，10V	50兆赫
2SC4793(PAIO,F,M)	-	询价	2353	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²