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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SC5087YTE85LF	-	RFQ	9624	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-61AA	2SC5087		150MW	smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000				13DB																				12V	80mA		NPN		120 @ 20mA，10v	7GHz			1.1db @ 1GHz
U20DL2C48A（TE24L，Q	-	RFQ	3820	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	U20DL2	标准		TO-220SM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	20a	980 mv @ 10 a	35 ns	50 µA @ 200 V	-
HN3C10FUTE85LF	0.5600	RFQ	101	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN3C10		200MW	US6	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000				11.5db																				12V	80mA		2 NPN （双）		80 @ 20mA，10v	7GHz			1.1db @ 1GHz
2SC3668-Y，T2WNLF（j	-	RFQ	8244	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																								50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC2235-O（F，F，M）	-	RFQ	9631	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																								120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
tpc8129，lq（s	0.5600	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8129	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	22mohm @ 4.5A，10V	2V @ 200µA	39 NC @ 10 V	+20V，-25V	1650 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN2417，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2417		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	4.7科姆斯
RN2967（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2967		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
1SS361FV，L3F	0.2000	RFQ	6067	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	1SS361	标准		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
RN2964（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2964		100MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms
2SC2229-O（米蒂夫，M）	-	RFQ	1047	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																								150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
SSM6K406TU，LF	0.5200	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K406	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		30 V	4.4a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 2a，10v	2.5V @ 1mA	12.4 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
SSM6L820R，LXHF	0.5800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L820	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	6-TSOP-F	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道				30V，20V	4A（ta）		39.1MOHM @ 2A，4.5V，45MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 1MA，1.2V @ 1MA	3.2nc @ 4.5V，6.7nc @ 4.5V		310pf @ 15V，480pf @ 10V	-
TK12A60D（sta4，Q，m）	3.0200	RFQ	45	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	12a（12a）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	45W（TC）
2SC5198-O（s1，e	-	RFQ	4257	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SC5198		100 W	to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC5198-O （S1E	Ear99	8541.29.0075	25																								140 v	10 a	5µA（ICBO）	NPN	2V @ 700mA，7a	55 @ 1A，5V	30MHz
2SA1930，onkq（j。	-	RFQ	7793	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1930		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																								180 v	2 a	5µA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
2SC2229-y t6san2fm	-	RFQ	7037	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2229YT6SAN2FM	Ear99	8541.21.0075	1																								150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
2SA1163-gr，LF	0.3000	RFQ	16	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1163		150兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																								120 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
RN1106，LF（ct	0.2300	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1106		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
SSM6J512NU，LF	0.4800	RFQ	31	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J512	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		12 v	10a（10a）	1.8V，8V	16.2MOHM @ 4A，8V	1V @ 1mA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1400 pf @ 6 V	-	1.25W（TA）
TK9A60D（sta4，Q，m）	2.0200	RFQ	49	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	9a（9a）	10V	830MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
CCS15S40，L3F	0.3800	RFQ	48	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，没有铅	CCS15S40	肖特基		CST2C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		550 MV @ 1.5 A		200 µA @ 40 V	125°c （最大）	1.5a	170pf @ 0v，1MHz
TPCA8051-H （T2L1，VM	-	RFQ	9874	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8051	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		80 V	28a（28a）	4.5V，10V	9.4mohm @ 14a，10v	2.3V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
RN1406，LXHF	0.0645	RFQ	7373	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1406		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RN1111MFV，L3F	0.1800	RFQ	1755年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1111		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		10 kohms
1SS307E，L3F	0.1900	RFQ	98	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	1SS307	标准		SC-79	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														80 V		1.3 V @ 100 mA		10 na @ 80 V	150°C （最大）	100mA	6pf @ 0v，1MHz
TK39J60W5，S1VQ	12.2700	RFQ	3287	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK39J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25			n通道		600 v	38.8A（TA）	10V	65mohm @ 19.4a，10v	3.7V @ 1.9mA	135 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	270W（TC）
TPCC8067-H，LQ s	-	RFQ	6291	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8067	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	700MW（TA），15W（（（（（（（（（（（
2SA1972，T6WNLF（j	-	RFQ	9783	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1972		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																								400 v	500 MA	10µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	140 @ 20mA，5V	35MHz
RN1964TE85LF	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1964		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²