分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK1K0A60F,S4X	1.1100	询价	68	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包	TK1K0A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	7.5A（塔）	10V	1欧姆@3.8A，10V	4V@770μA	24nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	40W（温度）
2SA1244-Y(T6L1,NQ)	0.9600	询价	8236	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				1W	PW-模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000																								50V	5A					1μA（ICBO）			国民党	400mV@150mA，3A	70@1A、1V	60兆赫
2SA1930(ONK,Q,M)	-	询价	2894	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								180伏	2A					5μA（ICBO）			国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
2SA1971(TE12L,F)	0.6500	询价	900	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				500毫W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1,000																								400V	500毫安					10μA（ICBO）			国民党	1V@10mA，100mA	140@100mA，5V	35兆赫
TK4R3A06PL,S4X	1.3300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4R3A06		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	68A（温度）	4.5V、10V	7.2毫欧@15A，4.5V	2.5V@500μA	48.2nC@10V	±20V	3280pF@30V	-	36W（温度）
XPH4R10ANB,L1XHQ	2.2600	询价	34	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-SOIC（0.197英寸，5.00毫米宽）	XPH4R10		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100伏	70A（塔）	6V、10V	4.1毫欧@35A，10V	3.5V@1mA	75nC@10V	±20V	4970pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
CLS01(TE16R,Q)	-	询价	4086	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS01		肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		470毫伏@10安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
2SD1407A-Y(F)	-	询价	9090	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD1407			30W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50																								100伏	5A					100μA（ICBO）			NPN	2V@400mA，4A	120@1A，5V	12兆赫兹
2SA1832-GR,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	SC-75、SOT-416				120毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安					100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK19A50W,S5X	2.7800	询价	9378	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	18.5A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	40W（温度）
TK5P60W,RVQ	1.8600	询价	10	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK5P60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	5.4A（塔）	10V	900毫欧@2.7A，10V	3.7V@270μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
CRZ18(TE85L,Q)	-	询价	4043	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	CRZ18			700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																	1V@200mA		13V时为10μA												18V	30欧姆
TPH9R506PL,LQ	0.8300	询价	112	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH9R506		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	34A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@17A，10V	2.5V@200μA	21nC@10V	±20V	1910pF@30V	-	830mW（Ta）、81W（Tc）
SSM3J66MFV，L3F	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-723	SSM3J66		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		P沟道		20V	800mA（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	1V@1mA	1.6nC@4.5V	+6V、-8V	100pF@10V	-	150毫W（塔）
1SS361FV，L3F	0.2000	询价	6067	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	1SS361		标准		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
TK7R7P10PL,RQ	1.0700	询价	27	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7R7P10		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	55A（温度）	4.5V、10V	7.7毫欧@27.5A，10V	2.5V@500μA	44nC@10V	±20V	2800pF@50V	-	93W（温度）
1SS413CT，L3F	0.3000	询价	32	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-882	1SS413		肖特基		SOD-882	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度														20V		550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	-55℃～125℃	50毫安	3.9pF @ 0V、1MHz
GT60N321(Q)	-	询价	5273	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	GT60N321	标准		170W	TO-3P(左)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	100			-															2.5微秒					-	1000伏	60A	120A	2.8V@15V，60A	-	330纳秒/700纳秒
TPCA8052-H(T2L1,VM	1.1300	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8052		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	264-TPCA8052-H(T2L1VMTR)	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	20A（塔）	4.5V、10V	11.3毫欧@10A、10V	2.3V@200μA	25nC@10V	±20V	10V时为2110pF	-	1.6W（Ta）、30W（Tc）
2SK2866(女)	-	询价	3399	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2SK2866		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	10A（塔）	10V	750mOhm@5A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2040pF@10V	-	125W（温度）
CRS10I30C(TE85L,QM	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS10I30		肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		360毫伏@1安		30V时为100μA	150℃（最高）	1A	82pF@10V、1MHz
TPC8035-H(TE12L,QM	-	询价	2642	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8035		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	3.2毫欧@9A，10V	2.3V@1mA	82nC@10V	±20V	7800pF@10V	-	1W（塔）
TK22A65X5,S5X	4.1200	询价	78	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包	TK22A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	22A（塔）	10V	160毫欧@11A，10V	4.5V@1.1mA	50nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TDTC143E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC143			320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安					500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TK3R9E10PL,S1X	2.3700	询价	100	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3	TK3R9E10		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	100A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	6320pF@50V	-	230W（温度）
SSM6J215FE(TE85L,F	0.4600	询价	87	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J215		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	3.4A（塔）	1.5V、4.5V	59毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	±8V	630pF@10V	-	500毫W（塔）
HN2C01FE-GR(T5L,F)	-	询价	第1551章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2C01			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	150毫安					100nA（ICBO）			2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	60兆赫
RN2705，LF	0.3000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2705			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安					500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN1963(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1963			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安					100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
2SA1873-Y(TE85L,F)	0.3500	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	2SA1873			200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安					100nA（ICBO）			2 PNP（双）匹配，共极输出	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²