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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 电流 -最大 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 电阻 @ if，f 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1，S4X 2.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK72A08 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 80a（ta） 10V 4.5mohm @ 40a，10v 4V @ 1mA 175 NC @ 10 V ±20V 8200 PF @ 10 V - 45W（TC）
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H （T2L1，VM -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8045 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 46a（ta） 4.5V，10V 3.6mohm @ 23A，10V 2.3V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±20V 7540 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8005-h te85l，f -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8005 MOSFET （金属 o化物） PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 11a（11a） 4.5V，10V 12.9mohm @ 5.5A，10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 840MW（TA）
DSF07S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF07S30U（tph3，f） -
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-76，SOD-323 DSF07 肖特基 南加州大学 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 450 mv @ 700 mA 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 700mA 170pf @ 0v，1MHz
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8028-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSIV-H （CT） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8028 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 50a（ta） 4.5V，10V 2.8mohm @ 25a，10v 2.3V @ 1mA 88 NC @ 10 V ±20V 7800 PF @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223（TE16L1，NQ） 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SD1223 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 80 V 4 a 20µA（ICBO） npn-达灵顿 1.5V @ 6mA，3a 1000 @ 3A，2V -
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360（f） -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SJ360 MOSFET （金属 o化物） PW-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 100 P通道 60 V 1A（1A） 4V，10V 730mohm @ 500mA，10v 2V @ 1mA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 V - 500MW（TA）
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SJ360 MOSFET （金属 o化物） PW-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1,000 P通道 60 V 1A（1A） 4V，10V 730mohm @ 500mA，10v 2V @ 1mA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 V - 500MW（TA）
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380（f） -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ380 MOSFET （金属 o化物） TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 12a（12a） 4V，10V 210mohm @ 6a，10v 2V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V - 35W（TC）
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SJ610 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 250 v 2A（TA） 10V 2.55ohm @ 1A，10V 3.5V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W（TA）
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544（f） -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 2SK2544 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 6a（6a） 10V 1.25OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 10 V - 80W（TC）
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845（TE16L1，Q） -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SK2845 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 900 v 1A（1A） 10V 9ohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 25 V - 40W（TC）
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SK3342 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 250 v 4.5A（ta） 10V 1欧姆 @ 2.5A，10V 3.5V @ 1mA 10 NC @ 10 V ±20V 440 pf @ 10 V - 20W（TC）
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662（f） -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK3662 MOSFET （金属 o化物） TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 35A（TA） 4V，10V 12.5MOHM @ 18A，10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 10 V - 35W（TC）
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700（f） 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK3700 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 5A（5A） 2.5OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 28 NC @ 10 V 1150 pf @ 25 V - 150W（TC）
2SK3844(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844（Q） -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK3844 MOSFET （金属 o化物） TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 45A（TA） 10V 5.8MOHM @ 23A，10V 4V @ 1mA 196 NC @ 10 V ±20V 12400 PF @ 10 V - 45W（TC）
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017（Q） -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK 2SK4017 MOSFET （金属 o化物） PW-mold2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 200 n通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 100mohm @ 2.5a，10v 2.5V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 730 pf @ 10 V - 20W（TC）
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91（TE85L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±10％ -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F Cry91 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 5.5 V 9.1 v 30欧姆
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8a02-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8A02 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 34A（ta） 4.5V，10V 5.3MOHM @ 17A，10V 2.3V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 3430 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
CRH01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01（TE85L） -
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 表面安装 SOD-123F CRH01 标准 S-Flat（1.6x3.5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 1a -
CRS08(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08（TE85L） -
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 表面安装 SOD-123F CRS08 肖特基 S-Flat（1.6x3.5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 360 mV @ 1.5 A 1 ma @ 30 V -40°C〜125°C 1.5a -
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207（TE12L） -
RFQ
 ECAD 4725 0.00000000 东芝半导体和存储 - Digi-Reel® 过时的 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8207 MOSFET （金属 o化物） 750MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6a 20mohm @ 4.8A，4V 1.2V @ 200µA 22nc @ 5V 2010pf @ 10V 逻辑级别门
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8010-h te12l，q -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8010 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 5.5A（ta） 10V 450MOHM @ 2.7A，10V 4V @ 1mA 10 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308（th3，f） -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 125°C（TJ） SC-79，SOD-523 1SV308 ESC键 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 4,000 50 mA 0.5pf @ 1V，1MHz PIN-单 30V 1.5OHM @ 10mA，100MHz
CCS15F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15F40，L3F 0.4800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CCS15F40 肖特基 CST2C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 640 mv @ 1.5 A 25 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0v，1MHz
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J353 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 150MOHM @ 2A，10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 V +20V，-25V 159 pf @ 15 V - 600MW（TA）
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT，L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3J56 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 20 v 1.4a（ta） 1.2V，4.5V 390MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 1.6 NC @ 4.5 V ±8V 100 pf @ 10 V - 500MW（TA）
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1117MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1117 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J351 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 3.5A（ta） 4V，10V 134mohm @ 1A，10V 2V @ 1mA 15.1 NC @ 10 V +10V，-20V 660 pf @ 10 V - 2W（TA）
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC，L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） CST3C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 3.6OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 V - 500MW（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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