RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK7E80W，S1X	2.8500	RFQ	8245	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	TK7E80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	6.5A（TA）	10V	950MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 280µA	13 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 300 V	-	110W（TC）
CRZ30 （TE85L，Q，M）	0.4900	RFQ	9098	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ30		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000														1 V @ 200 MA	10 µA @ 21 V							30 V	30欧姆
TPC8221-H，LQ（s	-	RFQ	1370	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8221	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-sop	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6a		25mohm @ 3a，10v	2.3V @ 100µA	12nc @ 10V		830pf @ 10V	-
RN2109，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN2109		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma			500NA				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
RN1116，LF（ct	0.2000	RFQ	170	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1116		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma			500NA				npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
2SC4738-gr，LXHF	0.3300	RFQ	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-75，SOT-416			120兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	150 ma			100NA（ICBO）				NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
1SS381，L3F	0.0540	RFQ	6469	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		125°C（TJ）		SC-79，SOD-523	1SS381			ESC键	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000			100 ma													1.2pf @ 6V，1MHz			PIN-单	30V				900MOHM @ 2mA，100MHz
TPH1400ANH，L1Q	1.5000	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1400	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	24A（TC）	10V	13.6mohm @ 12a，10v	4V @ 300µA	22 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 50 V	-	1.6W（TA），48W（tc）
SSM6K504NU，LF	0.3800	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K504	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	19.5mohm @ 4A，10V	2.5V @ 100µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	620 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
RN2408，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2408		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma			500NA				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
RN1701JE（TE85L，F）	0.4700	RFQ	12	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-553	RN1701		100MW	ESV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																	50V	100mA			100NA（ICBO）				2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	4.7kohms
TK12E80W，S1X	3.6100	RFQ	4687	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	TK12E80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	11.5A（TA）	10V	450MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 570µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 300 V	-	165W（TC）
TK560A60Y，S4X	1.5300	RFQ	1059	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK560A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7A（TC）	10V	560MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 240µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W
RN2424（TE85L，F）	0.4100	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2424		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	800 MA			500NA				pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，50mA	90 @ 100mA，1V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
TJ30S06M3L （T6L1，NQ	0.7102	RFQ	2570	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ30S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		60 V	30a（TA）	6V，10V	21.8mohm @ 15a，10v	3V @ 1mA	80 NC @ 10 V	+10V，-20V	3950 pf @ 10 V	-	68W（TC）
2SC6042，t2wnlq（j	-	RFQ	6294	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC6042		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																	375 v	1 a			100µA（ICBO）				NPN	1V @ 100mA，800mA	100 @ 100mA，5V	-
tpcc8a01-h（TE12LQM	-	RFQ	4142	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPCC8A01	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	21a（21a）	4.5V，10V	9.9mohm @ 10.5a，10v	2.3V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	700MW（TA），30W（TC）
RN2113，LXHF（ct	0.0624	RFQ	9067	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN2113		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma			100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	47科姆斯
2SA1020-Y，T6KeHF（m	-	RFQ	1707年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																	50 V	2 a			1µA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
rn4984fe，lf（Ct	0.2800	RFQ	70	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4984		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																	50V	100mA			100NA（ICBO）				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
2SA1020-y，t6wnlf（j	-	RFQ	2798	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SA1020-YT6WNLF（j	Ear99	8541.21.0075	1																	50 V	2 a			1µA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN1907FE，LF（ct	0.2700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1907		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																	50V	100mA			100NA（ICBO）				2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	47kohms
SSM6J501NU，LF	0.4900	RFQ	123	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J501	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	10a（10a）	1.5V，4.5V	15.3MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	29.9 NC @ 4.5 V	±8V	2600 PF @ 10 V	-	1W（ta）
TK14A45D（sta4，Q，m）	3.0300	RFQ	4530	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		450 v	14a		340MOHM @ 7A，10V	-				-	-
2SA965-y，f（j	-	RFQ	3433	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA965		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																	120 v	800 MA			100NA（ICBO）				PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
TK7A60W，S4VX	1.9200	RFQ	1040	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK7A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7a（ta）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	3.7V @ 350µA	15 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 300 V	-	30W（TC）
RN2711（TE85L，F）	-	RFQ	1334	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN2711		200MW	5-SSOP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA			100NA（ICBO）				2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	400 @ 1mA，5V	200MHz	10KOHMS	-
RN2708JE（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-553	RN2708		100MW	ESV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																	50V	100mA			100NA（ICBO）				2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	47kohms
2SA1721OTE85LF	0.1207	RFQ	5444	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1721		150兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																	300 v	100 ma			100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 20mA，10v	50MHz
2SC2229-y t6mit1fm	-	RFQ	1667年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2229YT6MIT1FM	Ear99	8541.21.0075	1																	150 v	50 mA			100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²