分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK90S06N1L,LQ	2.2100	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK90S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	90A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@45A，10V	2.5V@500μA	81nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	157W（温度）
HN1B04FU-Y(T5L,F,T	-	询价	1894年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B04		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	150兆赫
CRH01(TE85L,Q,M)	0.5200	询价	54	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRH01	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													200V		980毫伏@1安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	1A	-
RN4904，LF	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4904		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK15S04N1L,LXHQ	0.9600	询价	3131	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK15S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	15A（塔）	4.5V、10V	17.8毫欧@7.5A，10V	2.5V@100μA	10nC@10V	±20V	610pF@10V	-	46W（温度）
TK12A50E,S5X	-	询价	5246	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	12A（塔）	10V	520毫欧@6A，10V	4V@1.2mA	40nC@10V	±30V	1300pF@25V	-	45W（温度）
TPHR9003NL,L1Q	2.2100	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR9003	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	0.9毫欧@30A，10V	2.3V@1mA	74nC@10V	±20V	6900pF@15V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
TK16A60W5,S4VX	2.9700	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK16A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@1.5mA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	40W（温度）
2SA1298-Y，LF	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1298		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						25V	800毫安	100nA（ICBO）			国民党	400毫伏@20毫安、500毫安	160@100mA，1V	120兆赫
RN4985,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4985		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN1402S,LF	-	询价	4581	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1402		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
TK12P60W,RVQ(S	-	询价	2958	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK12P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK12P60WRVQ(S	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	11.5A（塔）	10V	340毫欧@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（温度）
1SS361，LJ（CT）	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS361	标准		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TK55S10N1,LQ	2.9700	询价	6	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK55S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100伏	55A（塔）	10V	6.5毫欧@27.5A，10V	4V@500μA	49nC@10V	±20V	3280pF@10V	-	157W（温度）
CRZ43(TE85L,Q,M)	-	询价	6678	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ43		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准		CRZ43(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0050	3,000																1V@200mA		10μA@34.4V							43V	40欧姆
TRS10V65H,LQ	2.8900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘		SiC（碳化硅）肖特基		4-DFN-EP (8x8)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.35V@10A	0纳秒	650V时为100μA	175℃	10A	649pF @ 1V、1MHz
SSM3K301T(TE85L,F)	-	询价	3756	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K301	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	3.5A（塔）	1.8V、4V	56mOhm@2A，4V	-	4.8nC@4V	±12V	10V时为320pF	-	700毫W（塔）
RN1109,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1109		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
SSM3K15CT，L3F	-	询价	3038	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	100毫W（塔）
TPC6111(TE85L,F,M)	-	询价	3219	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6111	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	5.5A（塔）	1.5V、4.5V	40毫欧@2.8A，4.5V	1V@1mA	10nC@5V	±8V	700pF@10V	-	700毫W（塔）
CMZ24(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ24		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																1.2V@200mA		17V时为10μA							24V	30欧姆
CVJ10F30,LF	0.3800	询价	129	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	CVJ10F30	肖特基		超短波病毒	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												2 独立	30V	1A	570毫伏@1安		30V时为50μA	125℃（最高）
RN2962(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2962		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
1SS309(TE85L,F)	0.4100	询价	第385章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74A、SOT-753	1SS309	标准		SMV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												4共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TPCA8055-H,LQ(M	-	询价	2518	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8055	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	56A（塔）	4.5V、10V	1.9毫欧@28A，10V	2.3V@1mA	91nC@10V	±20V	7700pF@10V	-	1.6W（Ta）、70W（Tc）
TK14E65W,S1X	3.0500	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK14E65	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	250毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
TK110Z65Z,S1F	6.4000	询价	25	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极		150℃	通孔	TO-247-4		MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L(T)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	650伏	24A（塔）	10V	110毫欧@12A，10V	4V@1.02mA	40nC@10V	±30V	2250 pF @ 300 V	-	190W（温度）
2SC2655-Y(T6STL,FM	-	询价	第1155章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						50V	2A	1μA（ICBO）			NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1105MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1105		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
2SA1761,T6F(中	-	询价	8519	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1761		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						50V	3A	100nA（ICBO）			国民党	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²