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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
RN4901FE，LF（ct	0.2400	RFQ	350	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4901		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000																					50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	4.7kohms
2SC3324-bl（TE85L，f	-	RFQ	9331	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC3324		150兆	TO-236	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					120 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
TRS4V65H，LQ	1.8500	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-VSFN暴露垫		SIC （碳化硅）		4-DFN-EP（8x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.34 V @ 4 A	0 ns	55 µA @ 650 V	175°C	4a	263pf @ 1V，1MHz
RN2507（TE85L，F）	0.4800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74A，SOT-753	RN2507		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100NA（ICBO）			2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
CRZ15（TE85L，Q，M）	0.4800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ15		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000															1 V @ 200 MA		10 µA @ 10 V							15 v	30欧姆
RN2906 （T5L，F，T）	-	RFQ	4115	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2906		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
2SA1832-gr，LXHF	0.3900	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-75，SOT-416			120兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SA1721RTE85LF	-	RFQ	7347	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1721		150兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					300 v	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 20mA，10v	50MHz
TK20N60W，S1VF	6.4300	RFQ	8750	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK20N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
tpcc8003-h te12lqm	-	RFQ	5379	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPCC8003	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	13A（TA）	4.5V，10V	16.9mohm @ 6.5a，10v	2.3V @ 200µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	700MW（TA），22W（22W）TC）
CRZ22 （TE85L，Q，M）	-	RFQ	8634	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ22		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	Rohs符合条件		CRZ22（TE85LQM）	Ear99	8541.10.0050	3,000															1 V @ 200 MA		10 µA @ 16 V							22 v	30欧姆
2SK3132（Q）	-	RFQ	6621	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	to-3pl	2SK3132	MOSFET （金属 o化物）		到3p（l）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	50a（ta）	10V	95mohm @ 25a，10v	3.4V @ 1mA	280 NC @ 10 V	±30V	11000 PF @ 10 V	-	250W（TC）
2SK2963（TE12L，F）	-	RFQ	5608	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SK2963	MOSFET （金属 o化物）		PW-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道		100 v	1A（1A）	4V，10V	700mohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	6.3 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2SK2744（f）	-	RFQ	1975年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2744	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		50 V	45A（TA）	10V	20mohm @ 25a，10v	3.5V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	125W（TC）
TK65E10N1，S1X	2.9200	RFQ	6537	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK65E10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	148a（ta）	10V	4.8mohm @ 32.5a，10v	4V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	192W（TC）
CBS10S30，L3F	0.4300	RFQ	9	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	CBS10S30	肖特基		CST2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v	450 MV @ 1 A		500 µA @ 30 V	125°c （最大）	1a	135pf @ 0v，1MHz
TK155A65Z，S4X	3.1400	RFQ	7428	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK155A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	18A（18A）	10V	155mohm @ 9a，10v	4V @ 730µA	29 NC @ 10 V	±30V	1635 PF @ 300 V	-	40W（TC）
2SK3670（t6cano，A，f	-	RFQ	5777	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK3670			to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1					670mA（TJ）
RN1412TE85LF	0.3000	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1412		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
TK55S10N1，LQ	2.9700	RFQ	6	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK55S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	55A（ta）	10V	6.5MOHM @ 27.5A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 10 V	-	157W（TC）
2SC2655-y t6nd2，af	-	RFQ	3741	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	2 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
Cry82 （TE85L，Q，m）	-	RFQ	3176	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	Cry82		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000															1 V @ 200 MA		10 µA @ 4.9 V							8.2 v	30欧姆
RN2108MFV，L3F	0.2000	RFQ	3075	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2108		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
TTA1713-gr，LF	0.3100	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TTA1713		200兆	S-Mini	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					45 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，1V	80MHz
RN1109，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1109		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
CRH01（TE85L，Q，M）	0.5200	RFQ	54	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRH01	标准		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v	980 mv @ 1 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	1a	-
2SC3668-O，T2CLAF（j（	-	RFQ	9779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																					50 V	2 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC5065-O（TE85L，F）	-	RFQ	8403	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5065		100MW	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			-																		12V	30mA				NPN		80 @ 10mA，5V	7GHz			1dB @ 500MHz
TPN2R703NL，L1Q	1.2100	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R703	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	45A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 22.5A，10V	2.3V @ 300µA	21 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	700MW（TA），42W（TC）
RN2908，LF（ct	0.2700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2908		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA	500NA			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²