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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
CLS01（TE16L，PAS，Q）	-	RFQ	8647	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面安装	l-flat™	CLS01	肖特基		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		470 mv @ 10 A		1 ma @ 30 V	-40°C〜125°C	10a	530pf @ 10V，1MHz
TPH1500CNH1，LQ	1.6600	RFQ	9158	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-POWERTDFN	TPH1500	MOSFET （金属 o化物）		8 SOP Advance（5x5.75）	下载		（1 （无限）				5,000		n通道	150 v	（74a）（TA），38A （TC）	10V	15.4mohm @ 19a，10v	4V @ 1mA		±20V	2200 PF @ 75 V	-	2.5W（TA），170W（tc）
1SS193S，LF（d	-	RFQ	7822	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS193	标准		S-Mini	下载		（1 （无限）	1SS193SLF（d	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													80 V		1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
2SA965-Y，T6KOJPF（j	-	RFQ	5039	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA965		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																						120 v	800 MA	100NA（ICBO）	PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
TK7S10N1Z，LXHQ	0.8900	RFQ	7428	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK7S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	7a（ta）	10V	48mohm @ 3.5A，10V	4V @ 100µA	7.1 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 10 V	-	50W（TC）
TK14C65W，S1Q	-	RFQ	2199	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TK14C65	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	250mohm @ 6.9a，10v	3.5V @ 690µA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	130W（TC）
RN2132MFV，L3F	0.1800	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2132		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	120 @ 1mA，5V		200 kohms
2SC4213-A te85l，f）	0.0742	RFQ	4305	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4213		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						20 v	300 MA	100NA（ICBO）	NPN	100mv @ 3mA，30a	200 @ 4mA，2V	30MHz
RN1113ACT（TPL3）	0.3400	RFQ	9	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1113		100兆	CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																						50 V	80 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		47科姆斯
TRS12N65FB，S1F（s	-	RFQ	3099	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	TRS12N65	SIC （碳化硅）		TO-247	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	trs12n65fbs1f（s	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）												1对普通阴极	650 v	6A（DC）	1.7 V @ 6 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）
RN2963（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2963		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	22KOHMS
RN2907 （T5L，F，T）	-	RFQ	1143	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2907		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
SSM3K59CTB，L3F	0.4200	RFQ	2492	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	SSM3K59	MOSFET （金属 o化物）		CST3B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	40 V	2A（TA）	1.8V，8V	215MOHM @ 1A，8V	1.2V @ 1mA	1.1 NC @ 4.2 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SC2229-y，f（j	-	RFQ	5348	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																						150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
SSM3K36MFV，L3F	0.4000	RFQ	358	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K36	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.5V，5V	630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23 NC @ 4 V	±10V	46 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
2SC5233BTE85LF	-	RFQ	8582	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5233		100兆	USM	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																						12 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，200mA	500 @ 10mA，2V	130MHz
TBAT54S，LM	0.2100	RFQ	95	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对系列连接	30 V	200mA	580 mv @ 100 ma	1.5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
TK12A50E，S5X	-	RFQ	5246	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	12a（12a）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4V @ 1.2mA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	45W（TC）
RN1909FE（TE85L，F）	0.3500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1909		100MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
HN1D01FE（TE85L，F）	0.4500	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1D01	标准		ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	4,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	1.6 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
2SC3303-y t6l1，NQ）	1.3500	RFQ	206	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC3303		1 w	PW-MOLD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,000																						80 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	120 @ 1A，1V	120MHz
TK750A60F，S4X	1.7600	RFQ	968	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK750A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	10a（10a）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 300 V	-	40W（TC）
RN2110MFV，L3F	0.2000	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2110		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		4.7科姆斯
TK22A65X5，S5X	4.1200	RFQ	78	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK22A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	22a（22a）	10V	160mohm @ 11a，10v	4.5V @ 1.1mA	50 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	45W（TC）
2SC2235-y，T6ASHF（j	-	RFQ	1248	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																						120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
TK065Z65Z，S1F	7.8900	RFQ	4529	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	38a（ta）	10V	65mohm @ 19a，10v	4V @ 1.69mA	62 NC @ 10 V	±30V	3650 PF @ 300 V	-	270W（TC）
TK19A50W，S5X	2.7800	RFQ	9378	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	18.5a（ta）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	40W（TC）
2SK2231（TE16R1，NQ）	-	RFQ	1483	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK2231	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	5A（5A）	4V，10V	160MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 10 V	-	20W（TC）
RN1105MFV，L3F	-	RFQ	5453	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1105		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																						50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V		2.2 kohms	47科姆斯
RN4606（TE85L，F）	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN4606		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	100µA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²