分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SC3672-O(T2ASH,FM	-	询价	7881	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3672		1W	MSTM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1																							300伏	100毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@2mA、20mA	30@20mA，10V	80兆赫
1SS306TE85LF	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-61AA	1SS306	标准		SC-61B	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													2 独立	200V	100毫安	1.2V@100mA	60纳秒	1μA@200V	125℃（最高）
RN2305,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2305		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
HN1C01FU-GR,LF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
2SA1972,T6WNLF(J	-	询价	9783	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1972		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	1																							400V	500毫安	10μA（ICBO）	国民党	1V@10mA，100mA	140@20mA，5V	35兆赫
SSM3J332R，LF	0.4500	询价	181	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J332	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	6A（塔）	1.8V、10V	42mOhm@5A，10V	1.2V@1mA	8.2nC@4.5V	±12V	560pF@15V	-	1W（塔）
2SA1837,TOA1F(J	-	询价	8224	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1																							230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫
MT3S111P(TE12L,F)	0.3863	询价	3458	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	MT3S111		1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1,000			10.5分贝																				6V	100毫安		NPN		200@30mA，5V	8GHz			1.25dB@1GHz
SSM6J825R，LF	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J825	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	4V、10V	45mOhm@4A，10V	2V@250μA	6.2nC@4.5V	+10V，-20V	492pF@10V	-	1.5W（塔）
TPH5200FNH,L1Q	2.9500	询价	11	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH5200	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		250伏	26A（温度）	10V	52毫欧@13A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200 pF @ 100 V	-	78W（温度）
SSM3J35AFS，LF	0.2600	询价	15	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3J35	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA		±10V	10V时为42pF	-	150毫W（塔）
TK750A60F,S4X	1.7600	询价	968	东芝半导体和存储	U-MOSIX	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK750A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	10A（塔）	10V	750mOhm@5A，10V	4V@1mA	30nC@10V	±30V	1130 pF @ 300 V	-	40W（温度）
RN2962FE(TE85L,F)	-	询价	8234	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2962		100毫W	ES6	-		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	1千欧姆
RN1406,LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1406		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
RN2911FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2911		100毫W	ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TK8P65W,RQ	1.9100	询价	8048	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	7.8A（塔）	10V	670毫欧@3.9A，10V	3.5V@300μA	16nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	80W（温度）
SSM3K59CTB，L3F	0.4200	询价	2492	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，无铅	SSM3K59	MOSFET（金属O化物）		CST3B	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	10,000		N沟道		40V	2A（塔）	1.8V、8V	215mOhm@1A，8V	1.2V@1mA	1.1nC@4.2V	±12V	130pF@10V	-	1W（塔）
TPCC8093，L1Q	-	询价	7998	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8093	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准			TPCC8093L1Q	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		20V	21A（塔）	2.5V、4.5V	5.8毫欧@10.5A，4.5V	1.2V@500μA	16nC@5V	±12V	1860pF@10V	-	1.9W（Ta）、30W（Tc）
2SC2229-O(T6MIT1FM	-	询价	3344	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		2SC2229OT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1																							150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
1SS379，LF	0.4200	询价	20	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS379	标准		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	80V	100毫安	1.3V@100mA		80V时为10nA	125℃（最高）
TK90S06N1L,LQ	2.2100	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK90S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	90A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@45A，10V	2.5V@500μA	81nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	157W（温度）
HN1B04FU-Y(T5L,F,T	-	询价	1894年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B04		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	150兆赫
CRH01(TE85L,Q,M)	0.5200	询价	54	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRH01	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														200V		980毫伏@1安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	1A	-
RN4904，LF	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4904		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK15S04N1L,LXHQ	0.9600	询价	3131	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK15S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		40V	15A（塔）	4.5V、10V	17.8毫欧@7.5A，10V	2.5V@100μA	10nC@10V	±20V	610pF@10V	-	46W（温度）
TK12A50E,S5X	-	询价	5246	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	12A（塔）	10V	520毫欧@6A，10V	4V@1.2mA	40nC@10V	±30V	1300pF@25V	-	45W（温度）
TPHR9003NL,L1Q	2.2100	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR9003	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	60A（温度）	4.5V、10V	0.9毫欧@30A，10V	2.3V@1mA	74nC@10V	±20V	6900pF@15V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
TK16A60W5,S4VX	2.9700	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK16A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@1.5mA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	40W（温度）
2SA1298-Y，LF	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1298		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																							25V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	400毫伏@20毫安、500毫安	160@100mA，1V	120兆赫
RN4985,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4985		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²