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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
1SS378（te85l，f）	0.3400	RFQ	55	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	1SS378	肖特基		SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	10 v	100mA	500 mv @ 100 ma	20 µA @ 10 V	125°c （最大）
XPH3R114MC，L1XHQ	2.2500	RFQ	2968	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPH3R114	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道		40 V	100A（TA）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 1mA	230 NC @ 10 V	+10V，-20V	9500 PF @ 10 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPCA8064-H，LQ（CM	-	RFQ	1484	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8064	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	23 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），32W（（ta）
2SB1495，Q （M	-	RFQ	9800	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SB1495		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																							100 v	3 a	10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 1.5mA，1.5a	2000 @ 2a，2v	-
2SA1837（PAIO，F，M）	-	RFQ	8587	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							230 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
RN1106ACT（TPL3）	-	RFQ	1344	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN1106		100兆	CST3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							50 V	80 ma	500NA			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	47科姆斯
tpca8008-h te12l，q	-	RFQ	6043	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8008	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		250 v	4A（ta）	10V	580MOHM @ 2A，10V	4V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
CUS02（TE85L，Q，M）	-	RFQ	2445	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-76，SOD-323	CUS02	肖特基		US-FLAT（1.25x2.5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														30 V		470 mv @ 1 a	100 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	1a	-
2SD1407A-y f）	-	RFQ	9090	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SD1407		30 W	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50																							100 v	5 a	100µA（ICBO）			NPN	2V @ 400mA，4a	120 @ 1A，5V	12MHz
2SA1837 lbsan，F，M）	-	RFQ	2923	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							230 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
RN2603（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3159	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN2603		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	22KOHMS
RN1308，LF	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1308		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
2SC2713-BL，LF	0.3100	RFQ	17	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2713		150兆	TO-236	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							120 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
SSM6J422TU，LF	0.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J422	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	42.7MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SC3303-y t6l1，NQ）	1.3500	RFQ	206	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC3303		1 w	PW-MOLD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,000																							80 V	5 a	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 150mA，3a	120 @ 1A，1V	120MHz
CLS02（TE16R，Q）	-	RFQ	9054	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面安装	l-flat™	CLS02	肖特基		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		550 mv @ 10 a	1 mA @ 40 V	-40°C〜125°C	10a	420pf @ 10V，1MHz
TK20A60W，S5VX	2.9800	RFQ	84	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK20A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	45W（TC）
SSM3J328R，LF	0.4100	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J328	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SC4915-O，LF	0.5000	RFQ	9220	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4915		100MW	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000				17db〜23dB																			30V	20mA				NPN		70 @ 1mA，6v	550MHz			2.3db〜5dB @ 100MHz
SSM6P36FE，LM	0.4300	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6P36	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）				20V	330mA		1.31OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	1.2nc @ 4V		43pf @ 10V	逻辑级别门
HN4C06J-bl（TE85L，f	0.1088	RFQ	3999	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	HN4C06		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							120V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）常见发射极	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
RN4990FE，LF（ct	0.2600	RFQ	6683	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4990		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
HN4A56JU（TE85L，F）	0.0616	RFQ	4855	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	HN4A56		200MW	USV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	150mA	100NA（ICBO）			2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	60MHz
RN1303，LF	0.1800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1303		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
RN1313，LXHF	0.3900	RFQ	8975	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1313		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
TK8A55DA （STA4，Q，m）	1.7700	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		550 v	7.5A（ta）	10V	1.07OHM @ 3.8A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
2SA1162-O，LF	0.1700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1162		150兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
CVJ10F30，LF	0.3800	RFQ	129	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	CVJ10F30	肖特基		UFV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													2独立	30 V	1a	570 mv @ 1 a	50 µA @ 30 V	125°c （最大）
TK20N60W，S1VF	6.4300	RFQ	8750	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK20N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
CRZ22 （TE85L，Q，M）	-	RFQ	8634	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ22		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	Rohs符合条件		CRZ22（TE85LQM）	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1 V @ 200 MA	10 µA @ 16 V							22 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²