分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SSM3K15ACT(TPL3)	0.0672	询价	1826年	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	100毫W（塔）
2SA1837(PAIO,F,M)	-	询价	8587	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					230伏	1A			1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫
TK560P60Y,RQ	1.4700	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK560P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
TK17E65W,S1X	3.2100	询价	3783	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK17E65	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	17.3A（塔）	10V	200毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W（温度）
RN1608(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1608		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TK18E10K3,S1X(S	-	询价	第1444章	东芝半导体和存储	U-MOSIV	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK18E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	18A（塔）		42mOhm@9A，10V	-	33nC@10V			-	-
RN2407,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2407		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
2SC5201(TE6,F,M)	-	询价	1063	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																					600伏	50毫安			1μA（ICBO）	NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
TK5A60W5,S5VX	1.5900	询价	7625	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	4.5A（塔）	10V	950毫欧@2.3A，10V	4.5V@230μA	11.5nC@10V	±30V	370 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TPC8111(TE12L、Q、M)	-	询价	7612	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8111	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	11A（塔）	4V、10V	12毫欧@5.5A，10V	2V@1mA	107nC@10V	±20V	5710pF@10V	-	1W（塔）
CMF03(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMF03	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													900伏	2.5V@500mA	100纳秒	900V时为50μA	-40℃～125℃	500毫安	-
1SS416CT，L3F	0.3000	询价	69	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-882	1SS416	肖特基		CST2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													30V	500 毫伏 @ 100 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）	100毫安	15pF @ 0V、1MHz
TK35E10K3(S1SS-Q)	-	询价	8927	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3	TK35E10	-		TO-220	-	符合RoHS标准	1（无限制）	TK35E10K3S1SSQ	EAR99	8541.29.0095	50		-			-		-	-				-	-
TJ9A10M3,S4Q	-	询价	3753	东芝半导体和存储	U-MOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TJ9A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-			264-TJ9A10M3S4Q	EAR99	8541.29.0095	50		P沟道		100伏	9A（塔）	10V	170毫欧@4.5A，10V	4V@1mA	47nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	19W（温度）
2SA1182-Y,LF	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1182		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					30V	500毫安			100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	200兆赫
2SC5065-O(TE85L,F)	-	询价	8403	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5065		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			-																		12V	30毫安				NPN		80@10mA，5V	7GHz			1dB@500MHz
TPWR7904PB,L1XHQ	2.9900	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPWR7904	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	150A（塔）	6V、10V	0.79毫欧@75A，10V	3V@1mA	85nC@10V	±20V	6650pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK10A60W5,S5VX	2.0400	询价	32	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	9.7A（塔）	10V	450毫欧@4.9A，10V	4.5V@500μA	25nC@10V	±30V	720 pF @ 300 V	-	30W（温度）
RN1111MFV,L3F	0.1800	询价	1755	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1111		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																					50V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		10欧姆
RN1911FETE85LF	-	询价	8032	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1911		100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
2SK879-GR(TE85L,F)	0.4200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK879		100毫W	USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道									8.2pF@10V												2.6毫安@10伏	400毫伏@100纳安
TPH1R204PB,L1Q	1.5500	询价	31	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R204	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	150A（温度）	6V、10V	1.2毫欧@50A，10V	3V@500μA	62nC@10V	±20V	5855pF@20V	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
2SK2231(TE16R1,NQ)	-	询价	第1483章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2231	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	5A（塔）	4V、10V	160毫欧@2.5A，10V	2V@1mA	12nC@10V	±20V	370pF@10V	-	20W（温度）
2SC3326-B，LF	0.4000	询价	205	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3326		150毫W	TO-236	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					20V	300毫安			100nA（ICBO）	NPN	100毫伏@3毫安，30毫安	350@4mA，2V	30兆赫兹
TK65S04K3L(T6L1,NQ	-	询价	5095	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK65S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		40V	65A（塔）	6V、10V	4.5毫欧@32.5A，10V	3V@1mA	63nC@10V	±20V	2800pF@10V	-	88W（温度）
TK190A65Z,S4X	3.0000	询价	12	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK190A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	15A（塔）	10V	190毫欧@7.5A，10V	4V@610μA	25nC@10V	±30V	1370 pF @ 300 V	-	40W（温度）
SSM6K517NU，LF	0.4100	询价	829	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K517	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	6A（塔）	1.8V、4.5V	39.1毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	3.2nC@4.5V	+12V、-8V	15V时为310pF	-	1.25W（塔）
SSM5H08TU,LF	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5H08	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	1.5A（塔）	2.5V、4V	160mOhm@750mA，4V	1.1V@100μA		±12V	125pF@10V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
TK8A45DA(STA4,Q,M)	1.6400	询价	6704	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	-	通孔	TO-220-3全包	TK8A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		450伏	7.5A（温度）		-	-				-	-
RN4981FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4981		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²