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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SSM6N39TU，LF	0.4900	RFQ	7160	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N39	MOSFET （金属 o化物）	500MW	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	1.6a（ta）		119MOHM @ 1A，4V	1V @ 1mA	7.5nc @ 4V		260pf @ 10V	-
2SC4793（f，m）	-	RFQ	5677	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	500																							230 v	1 a	1µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
rn4981fe，lf（ct	0.2600	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4981		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	4.7kohms
2SA1020-O，f（j	-	RFQ	1486年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
HN1C01FYTE85LF	0.3300	RFQ	3827	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN1C01		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	150mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
2SC2482（T6TOJS，f，m	-	RFQ	3501	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2482		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																							300 v	100 ma	1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1mA，10mA	30 @ 20mA，10v	50MHz
HN2D01JE（TE85L，F）	0.4100	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-553	HN2D01	标准		ESV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2独立	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	1.6 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
RN1908FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1908		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
HN1B04FU-Y（t5l，f，t	-	RFQ	1894年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B04		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	150mA	100NA（ICBO）			NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	150MHz
2SC2229-O （T6SHP1FM	-	RFQ	4278	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2229OT6SHP1FM	Ear99	8541.21.0075	1																							150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
TPCC8093，L1Q	-	RFQ	7998	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8093	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件		TPCC8093L1Q	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	20 v	21a（21a）	2.5V，4.5V	5.8mohm @ 10.5a，4.5V	1.2V @ 500µA	16 NC @ 5 V	±12V	1860 pf @ 10 V	-	1.9W（TA），30W（tc）
RN2967FE（TE85L，F）	-	RFQ	6068	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2967		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
2SD2695，T6F （M	-	RFQ	9931	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD2695		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							60 V	2 a	10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	100MHz
RN1905 （T5L，F，T）	0.3400	RFQ	51	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1905		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
RN1111ACT（TPL3）	-	RFQ	3758	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN1111		100兆	CST3	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							50 V	80 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		10 kohms
1SS250（TE85L，F）	0.0964	RFQ	9531	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS250	标准		SC-59	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													200 v		1.2 V @ 100 ma	60 ns	1 µA @ 200 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
TDTC144E，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC144		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	77 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯
RN1107，LXHF（ct	0.3300	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1107		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
RN2969（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2969		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	22KOHMS
SSM3J132TU，LF	0.5200	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J132	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	12 v	5.4A（ta）	1.2V，4.5V	17mohm @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	33 NC @ 4.5 V	±6V	2700 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
2SC5201（te6，f，m）	-	RFQ	1063	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5201		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																							600 v	50 mA	1µA（ICBO）			NPN	1V @ 500mA，20mA	100 @ 20mA，5V	-
HN3C51F-BL（TE85L，f	-	RFQ	9019	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN3C51		300MW	SM6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							120V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
TK10S04K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	6481	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK10S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	40 V	10a（10a）	6V，10V	28mohm @ 5a，10v	3V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 10 V	-	25W（TC）
1SS388（tl3，f，d）	-	RFQ	7479	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-79，SOD-523	1SS388	肖特基		ESC键	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													45 v		600 mv @ 50 mA		5 µA @ 10 V	-40°C〜100°C	100mA	18pf @ 0v，1MHz
2SB1457（t6cno，A，f）	-	RFQ	2426	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SB1457		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																							100 v	2 a	10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	50MHz
RN4610（TE85L，F）	0.4700	RFQ	80	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN4610		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
RN1404S，LF	-	RFQ	8748	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1404		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
SSM6K810R，LXHF	0.7000	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K810	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP-F	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	100 v	3.5A（ta）	4.5V，10V	69mohm @ 2a，10v	2.5V @ 100µA	3.2 NC @ 4.5 V	±20V	430 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
CRZ20 （TE85L，Q，M）	0.4900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ20		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1 V @ 200 MA		10 µA @ 14 V							20 v	30欧姆
RN4988FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4988		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	22KOHMS	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²