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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SA1020-O，CKF（j	-	RFQ	2405	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN1902FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1902		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
tpc8408，lq（s	0.4700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8408	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道			40V	6.1a，5.3a		32MOHM @ 3.1A，10V	2.3V @ 100µA	24NC @ 10V		850pf @ 10V	逻辑级别门
CRS09 （TE85L，Q，M）	0.5000	RFQ	174	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F	CRS09	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		460 mv @ 1.5 A		50 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	1.5a	90pf @ 10V，1MHz
CRS20I40B （TE85L，QM	0.5000	RFQ	8276	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		520 mv @ 2 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	62pf @ 10V，1MHz
TK12A80W，S4X	3.1200	RFQ	4351	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	800 v	11.5A（TA）	10V	450MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 570µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 300 V	-	45W（TC）
2SA1020-y（M）（m）	-	RFQ	9152	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SA1586-y t5lnd，f）	-	RFQ	5318	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			100兆	SC-70	下载		（1 （无限）	264-2SA1586-Y（T5LNDF）TR	Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
RN2311，LXHF	0.3900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2311		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
RN4909FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4909		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	47kohms	22KOHMS
2SC5171，Q（j	-	RFQ	7250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5171		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							180 v	2 a	5µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
TK35S04K3L （T6L1，NQ	1.4100	RFQ	5894	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK35S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	40 V	35A（TA）	6V，10V	10.3MOHM @ 17.5A，10V	3V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	1370 pf @ 10 V	-	58W（TC）
2SC2655-Y，T6F j	-	RFQ	7873	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
TK13A60D（sta4，Q，m）	-	RFQ	6841	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	13A（TA）	10V	430mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TK20N60W5，S1VF	3.9200	RFQ	4257	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK20N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	600 v	20A（TA）	10V	175mohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
SSM3J134TU，LF	0.4100	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J134	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	93mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 1mA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	290 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TRS10V65H，LQ	2.8900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	4-VSFN暴露垫		SIC （碳化硅）		4-DFN-EP（8x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.35 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 650 V	175°C	10a	649pf @ 1V，1MHz
HN1D02FU （T5L，F，T）	0.4700	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1D02	标准		ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
SSM6G18NU，LF	0.4900	RFQ	8410	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6G18	MOSFET （金属 o化物）		6 µdfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	112MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1W（ta）
TK31E60W，S1VX	8.2200	RFQ	3779	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK31E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 15.4a，10v	3.7V @ 1.5mA	86 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
TJ8S06M3L，LXHQ	0.9500	RFQ	8204	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ8S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	60 V	8a（8a）	6V，10V	104mohm @ 4A，10V	3V @ 1mA	19 nc @ 10 V	+10V，-20V	890 pf @ 10 V	-	27W（TC）
2SA1020-y t6toj，FM	-	RFQ	9874	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
TK4A53D（sta4，Q，m）	-	RFQ	7821	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	525 v	4A（ta）	10V	1.7OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	35W（TC）
RN1104，LXHF（ct	0.3300	RFQ	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1104		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
2SK4016（Q）	-	RFQ	1323	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4016	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	13A（TA）	10V	500mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TK20A60W5，S5VX	3.2700	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK20A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	20A（TA）	10V	175mohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TPWR8503NL，L1Q	2.7600	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TPWR8503	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 50a，10V	2.3V @ 1mA	74 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 15 V	-	800MW（TA），142W （TC）
TPW1R005PL，L1Q	3.0300	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powerwdfn	TPW1R005	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	45 v	300A（TC）	4.5V，10V		2.4V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 22.5 V	-	960MW（TA），170W（tc）
RN2302，LXHF	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2302		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
1SS361，lj（ct	0.2700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	1SS361	标准		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²