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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
tpc8036-h te12l，QM	-	RFQ	8992	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8036	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 9A，10V	2.3V @ 1mA	49 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 10 V	-	1W（ta）
RN1408，LF	0.1900	RFQ	3234	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1408		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
RN1412TE85LF	0.3000	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1412		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
1SS417CT，L3F	0.3000	RFQ	12	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅	1SS417	肖特基		FSC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												40 V	620 MV @ 100 mA		5 µA @ 40 V	125°c （最大）	100mA	15pf @ 0v，1MHz
1SS193S，LF（d	-	RFQ	7822	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS193	标准		S-Mini	下载		（1 （无限）	1SS193SLF（d	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												80 V	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
CMS05（TE12L，Q，M）	0.7800	RFQ	192	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMS05	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	450 mv @ 5 a		800 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	5a	330pf @ 10V，1MHz
CBS10S30，L3F	0.4300	RFQ	9	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	CBS10S30	肖特基		CST2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	450 MV @ 1 A		500 µA @ 30 V	125°c （最大）	1a	135pf @ 0v，1MHz
TK4A53D（sta4，Q，m）	-	RFQ	7821	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	525 v	4A（ta）	10V	1.7OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	35W（TC）
TK90S06N1L，LXHQ	1.7200	RFQ	9	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK90S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	90A（ta）	4.5V，10V	3.3MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 500µA	81 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 10 V	-	157W（TC）
tpcc8006-h（TE12LQM	-	RFQ	1620年	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPCC8006	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	22a（22a）	4.5V，10V	8mohm @ 11a，10v	2.3V @ 200µA	27 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 10 V	-	700MW（TA），27W（27W）TC）
CLS10F40，L3F	0.4800	RFQ	93	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	0402（（1006公制）	CLS10F40	肖特基		Cl2e	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	570 mv @ 1 a		25 µA @ 40 V	150°C	1a	130pf @ 0v，1MHz
2SA1680，T6F j	-	RFQ	4464	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1680		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 100mA，2V	100MHz
TPH6R30ANL，L1Q	1.1500	RFQ	7068	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH6R30	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	66A（TA），45A （TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 22.5A，10V	2.5V @ 500µA	55 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），54W（TC）
TK6P60W，RVQ	1.7400	RFQ	4404	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK6P60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	6.2a（ta）	10V	820MOHM @ 3.1A，10V	3.7V @ 310µA	12 nc @ 10 V	±30V	390 pf @ 300 V	-	60W（TC）
CRG09（TE85L，Q，M）	-	RFQ	9954	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123F	CRG09	标准		S-Flat（1.6x3.5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	CRG09（TE85LQM）	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1.1 V @ 700 mA		10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
TPC8111（TE12L，Q，M）	-	RFQ	7612	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8111	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	11a（11a）	4V，10V	12MOHM @ 5.5A，10V	2V @ 1mA	107 NC @ 10 V	±20V	5710 PF @ 10 V	-	1W（ta）
TK8P65W，RQ	1.9100	RFQ	8048	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	7.8A（ta）	10V	670MOHM @ 3.9A，10V	3.5V @ 300µA	16 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	80W（TC）
2SA1972，T6WNLF（j	-	RFQ	9783	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1972		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																				400 v	500 MA	10µA（ICBO）			PNP	1V @ 10mA，100mA	140 @ 20mA，5V	35MHz
2SD2129，LS4ALPSQ （M	-	RFQ	5024	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SD2129		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	3 a	100µA（ICBO）			NPN	2V @ 12mA，3a	2000 @ 1.5A，3V	-
TRS8V65H，LQ	2.7700	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-VSFN暴露垫		SIC （碳化硅）		4-DFN-EP（8x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）												650 v	1.35 V @ 8 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°C	8a	520pf @ 1V，1MHz
2SA1837，YHF（j	-	RFQ	3098	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																				230 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
TTC009，f（m	-	RFQ	2791	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TTC009		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																				80 V	3 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，5V	150MHz
TPCC8067-H，LQ s	-	RFQ	6291	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8067	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	700MW（TA），15W（（（（（（（（（（（
2SC2713-gr，LF	0.3000	RFQ	8061	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2713		150兆	TO-236	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				120 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
2SC2383-y t6dns，FM	-	RFQ	8306	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2383		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				160 v	1 a	1µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	100MHz
RN1967FE（TE85L，F）	-	RFQ	7266	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1967		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	47kohms
RN2119MFV（TPL3）	0.2700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2119		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	120 @ 1mA，5V		1 kohms
2SC5930（tpf2，f，m）	-	RFQ	9534	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC5930		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																				600 v	1 a	100µA（ICBO）			NPN	1V @ 75mA，600mA	40 @ 200ma，5V	-
CRZ47（TE85L，Q）	-	RFQ	3679	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ47		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ47TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000														1 V @ 200 MA		10 µA @ 37.6 V							47 V	65欧姆
2SD2206（t6cano，f，m	-	RFQ	8223	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD2206		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				100 v	2 a	10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²