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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SSM3K329R，LF	0.4300	RFQ	28	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K329	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	3.5A（ta）	1.8V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	1.5 NC @ 4 V	±12V	123 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RN2302，LXHF	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2302		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
2SC5549，T6F（j	-	RFQ	5131	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5549		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																							400 v	1 a	100µA（ICBO）			NPN	1V @ 25mA，200mA	20 @ 40mA，5V	-
2SA1837，YHF （M	-	RFQ	1662	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							230 v	1 a	1µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
RN2304（TE85L，F）	-	RFQ	1220	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2304		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
2SC2705-y te6，f，m）	-	RFQ	4824	东芝半导体和存储	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2705		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	1V @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	200MHz
RN4985，LXHF（ct	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4985		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	2.2kohms	47kohms
2SC2383-O，T6ALPF （M	-	RFQ	6758	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2383		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							160 v	1 a	1µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	100MHz
XPQR3004PB，LXHQ	6.7900	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSIX-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powerbsfn	XPQR3004	MOSFET （金属 o化物）		L-TOGL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	400a（TA）	6V，10V	0.3MOHM @ 200a，10v	3V @ 1mA	295 NC @ 10 V	±20V	26910 PF @ 10 V	-	750W（TC）
TRS4E65F，S1Q	2.3700	RFQ	174	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	TRS4E65	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-				Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.6 V @ 4 A	0 ns	20 µA @ 650 V	175°c （最大）	4a	16pf @ 650V，1MHz
tpc8036-h te12l，QM	-	RFQ	8992	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8036	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 9A，10V	2.3V @ 1mA	49 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 10 V	-	1W（ta）
SSM6J412TU，LF	0.3700	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J412	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	42.7MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN1305，LXHF	0.3900	RFQ	6080	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1305		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
CUHS15S30，H3F	0.3700	RFQ	50	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅	CUHS15	肖特基		US2H	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		430 MV @ 1.5 A		500 µA @ 30 V	150°C	1.5a	200pf @ 0v，1MHz
1SS306TE85LF	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-61AA	1SS306	标准		SC-61B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2独立	200 v	100mA	1.2 V @ 100 ma	60 ns	1 µA @ 200 V	125°c （最大）
TRS8V65H，LQ	2.7700	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-VSFN暴露垫		SIC （碳化硅）		4-DFN-EP（8x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.35 V @ 8 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°C	8a	520pf @ 1V，1MHz
RN1905FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1905		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
RN1104MFV，L3XHF（ct	0.3400	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN1104		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
CLS10F40，L3F	0.4800	RFQ	93	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	0402（（1006公制）	CLS10F40	肖特基		Cl2e	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		570 mv @ 1 a		25 µA @ 40 V	150°C	1a	130pf @ 0v，1MHz
CMC02（TE12L，Q，M）	-	RFQ	9346	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-128	CMC02	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	CMC02（TE12LQM）	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
CMF03（TE12L，Q，M）	0.5300	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMF03	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													900 v		2.5 V @ 500 mA	100 ns	50 µA @ 900 V	-40°C〜125°C	500mA	-
2SK4021（Q）	-	RFQ	5729	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	2SK4021	MOSFET （金属 o化物）		PW-mold2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	200			n通道	250 v	4.5A（ta）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	3.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	20W（TC）
SSM6L35FU（TE85L，F）	0.4000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6L35	MOSFET （金属 o化物）	200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	180mA，100mA		3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA	-		9.5pf @ 3V	逻辑级别门，1.2V驱动器
RN2413，LF	0.0309	RFQ	2205	东芝半导体和存储	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		264-RN2413，LFTR			3,000
RN2111CT（tpl3）	-	RFQ	9861	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN2111		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							20 v	50 mA	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		10 kohms
SSM3J135TU，LF	0.3700	RFQ	20	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J135	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPN13008NH，L1Q	1.0600	RFQ	656	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN13008	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	80 V	18A（TC）	10V	13.3mohm @ 9a，10v	4V @ 200µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 PF @ 40 V	-	700MW（TA），42W（TC）
RN1113，LXHF（ct	0.0618	RFQ	7774	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1113		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
CRZ47（TE85L，Q）	-	RFQ	3679	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ47		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ47TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	1 V @ 200 MA		10 µA @ 37.6 V							47 V	65欧姆
TRS24N65FB，S1F（s	-	RFQ	9125	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	TRS24N65	SIC （碳化硅）		TO-247	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	trs24n65fbs1f（s	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）												1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²