分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC2655-Y(T6CANOFM	-	询价	8697	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2655YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1																							50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J114TU(T5L,T)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J114	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	1.8A（塔）	1.5V、4V	149毫欧@600mA，4V	1V@1mA	7.7nC@4V	±8V	10V时为331pF	-	500毫W（塔）
TPCA8045-H(T2L1,VM	-	询价	3369	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8045	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	40V	46A（塔）	4.5V、10V	3.6毫欧@23A，10V	2.3V@1mA	90nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TPN11003NL,LQ	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	11A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	10V时为7.5nC	±20V	660pF@15V	-	700mW（Ta）、19W（Tc）
2SK2962,T6F(J	-	询价	4247	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1					1A（Tj）
1SS360，LJ（CT）	0.2300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS360	标准		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TRS8E65F,S1Q	3.7200	询价	4	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	TRS8E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.6V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃（最高）	8A	28pF@650V，1MHz
RN2422TE85LF	0.4200	询价	4270	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2422		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	65@100mA，1V	200兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
TPH6400ENH,L1Q	1.7300	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH6400	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	200V	13A（塔）	10V	64毫欧@6.5A，10V	4V@300μA	11.2nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
CUS10I40A(TE85L,QM	-	询价	第1671章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10I40	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准		CUS10I40A(TE85LQM	EAR99	8541.10.0080	4,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		490 毫伏 @ 700 毫安		60μA@40V	150℃（最高）	1A	35pF@10V，1MHz
TK14A65W5,S5X	2.8900	询价	4496	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK14A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	40W（温度）
RN2605(TE85L,F)	0.4700	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2605		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK1K2A60F,S4X	1.0400	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSIX	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK1K2A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	6A（塔）	10V	1.2欧姆@3A，10V	4V@630μA	21nC@10V	±30V	740 pF @ 300 V	-	35W（温度）
TW015N120C,S1F	68.0400	询价	2613	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	1200伏	100A（温度）	18V	20毫欧@50A，18V	5V@11.7mA	158nC@18V	+25V，-10V	6000 pF @ 800 V	-	431W（温度）
SSM3K35MFV(TPL3)	-	询价	8872	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道	20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	150毫W（塔）
RN1309(TE85L,F)	0.2700	询价	895	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
TK6A80E,S4X	1.8900	询价	15	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	800V	6A（塔）	10V	1.7欧姆@3A，10V	4V@600μA	32nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
2SC3665-Y,T2NSF(J	-	询价	3531	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																							120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
1SS389，L3F	0.2000	询价	3437	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS389	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	40pF @ 0V、1MHz
TPCA8A02-H(TE12LQM	-	询价	8734	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A02	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	34A（塔）	4.5V、10V	5.3毫欧@17A，10V	2.3V@1mA	36nC@10V	±20V	10V时为3430pF	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK290P60Y,RQ	1.7400	询价	1946年	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK290P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	600伏	11.5A（温度）	10V	290毫欧@5.8A，10V	4V@450μA	25nC@10V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W（温度）
2SA1244-Y(Q)	-	询价	第1152章	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA1244		1W	PW-模具	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200																							50V	5A	1μA（ICBO）	国民党	400mV@150mA，3A	120@1A，1V	60兆赫
SSM6P816R，LF	0.4900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P816	MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	6A（塔）		30.1毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	16.6nC@4.5V		1030pF@10V	逻辑电平门，1.8V驱动
SSM6P15FE(TE85L,F)	0.4200	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P15	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			30V	100毫安		12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA	-		9.1pF@3V	逻辑电平门
SSM3K16CT(TPL3)	0.0571	询价	2573	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K16	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道	20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	100毫W（塔）
RN4989FE,LF(CT	0.2400	询价	8519	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4989		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																							50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TPN6R003NL,LQ	0.8800	询价	9982	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN6R003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	27A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@13.5A，10V	2.3V@200μA	17nC@10V	±20V	1400pF@15V	-	700mW（Ta）、32W（Tc）
SSM6L16FETE85LF	0.3800	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150℃（TA）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6L16	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 和 P 沟道			20V	100毫安		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
2SD2257(CANO,A,Q)	-	询价	7754	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																							100V	3A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
BAS316、H3F	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	BAS316	标准		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													100V		1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）	250毫安	0.35pF @ 0V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²