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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SSM6P35FE（TE85L，F）	0.4400	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6P35	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）			20V	100mA		8ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA	-		12.2pf @ 3V	逻辑级别门
TJ30S06M3L （T6L1，NQ	0.7102	RFQ	2570	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ30S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	60 V	30a（TA）	6V，10V	21.8mohm @ 15a，10v	3V @ 1mA	80 NC @ 10 V	+10V，-20V	3950 pf @ 10 V	-	68W（TC）
tta008b，q	0.6600	RFQ	250	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.5 w	to-126n	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	250																				80 V	2 a			100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，2V	100MHz
SSM3J114TU （T5L，T）	-	RFQ	2761	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J114	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	1.8A（ta）	1.5V，4V	149mohm @ 600mA，4V	1V @ 1mA	7.7 NC @ 4 V	±8V	331 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
TK055U60Z1，RQ	5.5900	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		收费	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	600 v	40a（ta）	10V	55mohm @ 15a，10v	4V @ 1.69mA	65 NC @ 10 V	±30V	3680 pf @ 300 V	-	270W（TC）
JDV2S09FSTPL3	0.0766	RFQ	7473	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	2-SMD，平坦的铅	JDV2S09			FSC	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0070	10,000																			11.1pf @ 1V，1MHz			单身的	10 v							2.1	C1/C4	-
SSM6N55NU，LF	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6N55	MOSFET （金属 o化物）	1W	6 µdfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	4a		46mohm @ 4A，10V	2.5V @ 100µA	2.5NC @ 4.5V		280pf @ 15V	逻辑级别门
TK4K1A60F，S4X	0.8300	RFQ	8560	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK4K1A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	2A（TA）	10V	4.1OHM @ 1A，10V	4V @ 190µA	8 nc @ 10 V	±30V	270 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK22A65X，S5X	3.8400	RFQ	188	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK22A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	22a（22a）	10V	150mohm @ 11a，10v	3.5V @ 1.1mA	50 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TK380A65Y，S4X	1.8300	RFQ	95	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK380A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	9.7a（TC）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nc @ 10 V	±30V	590 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TPN5R203PL，LQ	0.6400	RFQ	9	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPN5R203	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 19a，10v	2.1V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	1975 pf @ 15 V	-	610MW（610MW），61W（61W）TC）
TK28N65W5，S1F	6.6700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-3	TK28N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	130MOHM @ 13.8A，10V	4.5V @ 1.6mA	90 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
TPH1R405PL，L1Q	1.5800	RFQ	9110	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R405	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	45 v	120A（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2.4V @ 500µA	74 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 22.5 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
TPWR6003PL，L1Q	3.0600	RFQ	458	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powerwdfn	TPWR6003	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.6MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 15 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK28V65W，LQ	5.2600	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK28V65	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	120MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
TPH3R70APL，L1Q	1.6400	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R70	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	90A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 50 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPH1R306PL，L1Q	2.0800	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R306	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.34mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 30 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPH1500CNH，L1Q	1.9800	RFQ	7	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1500	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	150 v	38A（TC）	10V	15.4mohm @ 19a，10v	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 75 V	-	1.6W（TA），78W（tc）
TK10A50W，S5X	1.9200	RFQ	144	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	500 v	9.7A（ta）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK28V65W5，LQ	5.5700	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK28V65	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	140MOHM @ 13.8A，10V	4.5V @ 1.6mA	90 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
XPH6R30ANB，L1XHQ	1.8400	RFQ	9	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-SOIC （0.197英寸，5.00mm宽度）	XPH6R30	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	45A（TA）	6V，10V	6.3MOHM @ 22.5A，10V	3.5V @ 500µA	52 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 10 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
CuHS15S40，H3F	0.4800	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，平坦的铅	CUHS15	肖特基		US2H	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	510 MV @ 1.5 A	200 µA @ 40 V	150°C （最大）	1.5a	170pf @ 0v，1MHz
TDTC124E，LM	0.1800	RFQ	4840	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC124		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	49 @ 5mA，5v	250 MHz	22 KOHMS
TW030Z120C，S1F	30.4100	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	1200 v	60a（TC）	18V	41mohm @ 30a，18v	5V @ 13mA	82 NC @ 18 V	+25V，-10V	2925 PF @ 800 V	-	249W（TC）
SSM3K35MFV（TPL3）	-	RFQ	8872	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K35	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	8,000			n通道	20 v	180mA（TA）	1.2V，4V	3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA		±10V	9.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
TK160F10N1L，LQ	2.8400	RFQ	1592年	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK160F10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM（W）	下载	rohs3符合条件	3（168））	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	100 v	160a（ta）	6V，10V	2.4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 10 V	-	375W（TC）
tpca8011-h（TE12LQM	-	RFQ	5101	东芝半导体和存储	U-Mosiii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8011	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	40a（ta）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 20a，4.5V	1.3V @ 200µA	32 NC @ 5 V	±12V	2900 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
TK40E10N1，S1X	1.9900	RFQ	3520	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK40E10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	100 v	90A（TC）	10V	8.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	126W（TC）
SSM3J307T（TE85L，F）	-	RFQ	9193	东芝半导体和存储	U-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J307	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	31MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1170 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TK2P60D（TE16L1，NQ）	-	RFQ	2671	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK2P60	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	600 v	2A（TA）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	4.4V @ 1mA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	60W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²