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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RN1908FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1908		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
TPCC8093，L1Q	-	RFQ	7998	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8093	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件		TPCC8093L1Q	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	20 v	21a（21a）	2.5V，4.5V	5.8mohm @ 10.5a，4.5V	1.2V @ 500µA	16 NC @ 5 V	±12V	1860 pf @ 10 V	-	1.9W（TA），30W（tc）
2SD2695，T6F （M	-	RFQ	9931	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD2695		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																						60 V	2 a	10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	100MHz
RN1905 （T5L，F，T）	0.3400	RFQ	51	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1905		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
1SS250（TE85L，F）	0.0964	RFQ	9531	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS250	标准		SC-59	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													200 v		1.2 V @ 100 ma	60 ns	1 µA @ 200 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
TDTC144E，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC144		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	77 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯
RN1107，LXHF（ct	0.3300	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1107		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
RN2969（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2969		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	22KOHMS
HN3C51F-BL（TE85L，f	-	RFQ	9019	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN3C51		300MW	SM6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																						120V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
TK10S04K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	6481	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK10S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	10a（10a）	6V，10V	28mohm @ 5a，10v	3V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 10 V	-	25W（TC）
1SS388（tl3，f，d）	-	RFQ	7479	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-79，SOD-523	1SS388	肖特基		ESC键	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	4,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													45 v		600 mv @ 50 mA		5 µA @ 10 V	-40°C〜100°C	100mA	18pf @ 0v，1MHz
RN1404S，LF	-	RFQ	8748	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1404		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
SSM6K810R，LXHF	0.7000	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K810	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP-F	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（ta）	4.5V，10V	69mohm @ 2a，10v	2.5V @ 100µA	3.2 NC @ 4.5 V	±20V	430 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
CRZ20 （TE85L，Q，M）	0.4900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ20		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 200 MA		10 µA @ 14 V							20 v	30欧姆
RN4988FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4988		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	22KOHMS	47kohms
SSM3K303T（TE85L，F）	-	RFQ	5500	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K303	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.9a（ta）	4V，10V	83MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	3.3 NC @ 4 V	±20V	180 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TRS12N65D，S1F	-	RFQ	6487	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	TRS12N	肖特基		TO-247	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	650 v	6A（DC）	1.7 V @ 6 A		90 µA @ 650 V	175°c （最大）
TK4R1A10PL，S4X	2.0400	RFQ	40	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		175°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK4R1A10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	104 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 50 V	-	54W（TC）
CMS10I40A （TE12L，QM	0.5800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMS10	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		450 MV @ 1 A		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	1a	62pf @ 10V，1MHz
RN1904，LXHF（ct	0.3600	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1904		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
RN1611（TE85L，F）	0.4700	RFQ	325	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN1611		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
TK90S06N1L，LQ	2.2100	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK90S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	90A（ta）	4.5V，10V	3.3MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 500µA	81 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 10 V	-	157W（TC）
TK18A30D，S5X	1.7900	RFQ	50	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	18A（18A）	10V	139mohm @ 9a，10v	3.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 100 V	-	45W（TC）
RN1904FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1904		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
TJ50S06M3L （T6L1，NQ	1.9400	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ50S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50a（ta）	6V，10V	13.8mohm @ 25a，10v	3V @ 1mA	124 NC @ 10 V	+10V，-20V	6290 pf @ 10 V	-	90W（TC）
2SC3665-y，T2F（j	-	RFQ	2388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3665		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																						120 v	800 MA	100NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
TK18E10K3，S1X（s	-	RFQ	1444	东芝半导体和存储	U-Mosiv	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK18E10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	18A（18A）		42MOHM @ 9A，10V	-	33 NC @ 10 V			-	-
TK33S10N1Z，LQ	1.5500	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK33S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	33A（TA）	10V	9.7MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 500µA	28 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	125W（TC）
HN1C01FU-Y，LF	0.2600	RFQ	39	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1C01		200MW	US6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	150mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
TPH4R003NL，L1Q	1.0700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 200µA	14.8 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	1.6W（TA），36W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²