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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
T2N7002AK，LM	0.1500	RFQ	29	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	T2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	3.9ohm @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.35 NC @ 4.5 V	±20V	17 pf @ 10 V	-	320MW（TA）
RN2902，LF（ct	0.2800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2902		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	500NA			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
HN2C01FE-gr（t5l，f）	-	RFQ	1551年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN2C01		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	150mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	60MHz
SSM6P41FE（TE85L，F）	0.4200	RFQ	22	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6P41	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）			20V	720mA		300MOHM @ 400mA，4.5V	1V @ 1mA	1.76NC @ 4.5V		110pf @ 10V	逻辑级别门
2SA1020-Y，T6NSF（j	-	RFQ	2103	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SA1020-YT6NSF（j	Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SK2962（t6cano，f，m	-	RFQ	2604	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2962			to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1					1A（TJ）
2SK3128（Q）	-	RFQ	4970	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK3128	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	30 V	60a（ta）	10V	12mohm @ 30a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	150W（TC）
TK62J60W，S1VQ	16.3700	RFQ	20	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK62J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25			n通道	600 v	61.8A（TA）	10V	38mohm @ 30.9a，10V	3.7V @ 3.1mA	180 NC @ 10 V	±30V	6500 PF @ 300 V	-	400W（TC）
CRS09 （TE85L，Q，M）	0.5000	RFQ	174	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS09	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	460 mv @ 1.5 A	50 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	1.5a	90pf @ 10V，1MHz
TK12A80W，S4X	3.1200	RFQ	4351	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	800 v	11.5A（TA）	10V	450MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 570µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 300 V	-	45W（TC）
2SC5201（t6muratafm	-	RFQ	5065	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5201		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC5201T6MURATAFM	Ear99	8541.21.0095	1																				600 v	50 mA	1µA（ICBO）			NPN	1V @ 500mA，20mA	100 @ 20mA，5V	-
CRS20I40B （TE85L，QM	0.5000	RFQ	8276	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	520 mv @ 2 a	100 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	62pf @ 10V，1MHz
SSM3J356R，LXHF	0.4900	RFQ	7563	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-SSM3J356R，LXHFCT	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	2A（TA）	4V，10V	300MOHM @ 1A，10V	2V @ 1mA	8.3 NC @ 10 V	+10V，-20V	330 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN4909FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4909		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	47kohms	22KOHMS
RN1318（TE85L，F）	0.2800	RFQ	470	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1318		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	10 kohms
RN1509（TE85L，F）	0.0865	RFQ	2966	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74A，SOT-753	RN1509		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
CRZ43 （TE85L，Q，M）	-	RFQ	6678	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ43		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	Rohs符合条件		CRZ43（TE85LQM）	Ear99	8541.10.0050	3,000															1 V @ 200 MA	10 µA @ 34.4 V							43 V	40欧姆
tpc8213-h（TE12LQ，m	-	RFQ	7881	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8213	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	5a		50MOHM @ 2.5A，10V	2.3V @ 1mA	11NC @ 10V		625pf @ 10V	逻辑级别门
2SC2383-y t6dns，FM	-	RFQ	8306	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2383		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				160 v	1 a	1µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	100MHz
RN2108 （T5L，F，T）	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN2108		100兆	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
1SS417CT，L3F	0.3000	RFQ	12	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅	1SS417	肖特基		FSC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												40 V	620 MV @ 100 mA	5 µA @ 40 V	125°c （最大）	100mA	15pf @ 0v，1MHz
SSM6N16FUTE85LF	0.5000	RFQ	600	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N16	MOSFET （金属 o化物）	200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	100mA		3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA	-		9.3pf @ 3V	-
2SC2655-y t6nd1，af	-	RFQ	5882	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN2311，LXHF	0.3900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2311		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
2SA1586-y t5lnd，f）	-	RFQ	5318	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			100兆	SC-70	下载		（1 （无限）	264-2SA1586-Y（T5LNDF）TR	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
TPCC8066-H，LQ（s	-	RFQ	6818	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8066	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.3V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	700MW（TA），17W（17W）TC）
TPH4R003NL，L1Q	1.0700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 200µA	14.8 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	1.6W（TA），36W（tc）
2SJ438（植物，A，Q）	-	RFQ	3224	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438			TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1					5A（TJ）
RN2310，LXHF	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2310		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
TK12J60U（f）	-	RFQ	9902	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK12J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	144W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²