RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK7R0E08QM，S1X	1.4500	RFQ	172	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的		175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	80 V	64A（TC）	6V，10V	7mohm @ 32a，10v	3.5V @ 500µA	39 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 40 V	-	87W（TC）
TPN7R506NH，L1Q	1.0200	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN7R506	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	60 V	26a（TC）	6.5V，10V	7.5MOHM @ 13A，10V	4V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 30 V	-	700MW（TA），42W（TC）
SSM6K204FE，LF	0.5400	RFQ	4982	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6K204	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000			n通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	3.4 NC @ 10 V	±10V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
RN2102，LXHF（ct	0.3300	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN2102		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
RN1302，LXHF	0.3900	RFQ	222	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1302		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RN1101MFV，L3XHF（ct	0.3400	RFQ	16	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN1101		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	30 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	4.7科姆斯
RN1418，LXHF	0.0645	RFQ	9319	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1418		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	10 kohms
RN4984FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4984		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	47kohms	47kohms
TJ90S04M3L，LQ	2.2100	RFQ	6460	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TJ90S04M3L，LQCT	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	40 V	90A（ta）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 45A，10V	2V @ 1mA	172 NC @ 10 V	+10V，-20V	7700 PF @ 10 V	-	180W（TC）
TDTA143E，LM	0.1800	RFQ	7152	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTA143		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
RN4907，LXHF（ct	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4907		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	10KOHMS	47kohms
RN2305，LXHF	0.3900	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2305		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
2SA1588-gr，LF	0.2700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1588		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				30 V	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 100mA，1V	200MHz
RN1901，LF（ct	0.2600	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1901		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	1KOHMS
2SA965-y（M）（m）	-	RFQ	9438	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA965		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				120 v	800 MA	100NA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
SSM6N35AFU，LF	0.4300	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N35	MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA）	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	250mA（ta）		1.1OHM @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA	0.34NC @ 4.5V		36pf @ 10V	-
CMZ27（TE12L，Q，M）	0.5400	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	CMZ27		2 w	M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 19 V							27 V	30欧姆
RN2116MFV，L3F	0.1800	RFQ	15	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2116		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
SSM10N954L，EFF	1.3600	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	10-SMD，没有铅		MOSFET （金属 o化物）		TCSPAC-153001	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道	12 v	13.5A（TA）	2.5V，4.5V	2.75MOHM @ 6A，4.5V	1.4V @ 1.11mA	25 NC @ 4 V	±8V		-	800MW（TA）
RN2904 （T5L，F，T）	-	RFQ	4954	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2904		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms
2SA1680，T6F j	-	RFQ	4464	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1680		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 100mA，2V	100MHz
CUS10F30，H3F	0.3400	RFQ	43	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	CUS10F30	肖特基		南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	500 mv @ 1 A	50 µA @ 30 V	125°c （最大）	1a	170pf @ 0v，1MHz
RN1415，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1415		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
SSM3K121TU	-	RFQ	6715	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载			264-SSM3K121TU	Ear99	8541.21.0095	1			n通道	20 v	3.2A（ta）	1.5V，4V	48mohm @ 2A，4V	1V @ 1mA	5.9 NC @ 4 V	±10V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2SA2060（TE12L，F）	0.6100	RFQ	827	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA2060		1 w	PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000																				50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	200mv @ 33mA，1a	200 @ 300mA，2V	-
RN4604（TE85L，F）	0.4800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN4604		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
RN1118（TE85L，F）	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1118		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	10 kohms
SSM3J168F，LF	0.3700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J168	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	400mA（TA）	4V，10V	1.9OHM @ 100mA，4.5V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 V	+20V，-16V	82 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
RN1102CT（tpl3）	-	RFQ	2266	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN1102		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																				20 v	50 mA	500NA			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	60 @ 10mA，5V		10 kohms	10 kohms
TPCA8026 （TE12L，Q，m	1.8800	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8026	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	45A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 23A，10V	2.5V @ 1mA	113 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²