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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008 Q（Q） 0.8400
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA TTC008 1.1 w PW-mold2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TTC008Q Ear99 8541.29.0095 200 285 v 1.5 a 10µA（ICBO） NPN 1V @ 62.5mA，500mA 80 @ 1mA，5V -
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FU，LF 0.2500
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3J15 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 150MW（TA）
SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE （TE85L，f 0.4600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J215 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 3.4a（ta） 1.5V，4.5V 59MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 10.4 NC @ 4.5 V ±8V 630 pf @ 10 V - 500MW（TA）
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1C01 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN1608 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1102 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 10 kohms 10 kohms
SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R，LXHF 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K810 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.5W（TA）
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4985 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE，LM -
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P35 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 100mA 8ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 12.2pf @ 3V -
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-gr，LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1C01 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
CLS02(TE16L,HIT,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02（TE16L，命中，Q） -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS02 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V，1MHz
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage tpc8036-h te12l，QM -
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8036 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 18A（18A） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 9A，10V 2.3V @ 1mA 49 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1W（ta）
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT，L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 1SS417 肖特基 FSC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 40 V 620 MV @ 100 mA 5 µA @ 40 V 125°c （最大） 100mA 15pf @ 0v，1MHz
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A53 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 525 v 4A（ta） 10V 1.7OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W（TC）
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8006-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8006 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a（22a） 4.5V，10V 8mohm @ 11a，10v 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 700MW（TA），27W（27W）TC）
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40，L3F 0.4800
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 0402（（1006公制） CLS10F40 肖特基 Cl2e - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 570 mv @ 1 a 25 µA @ 40 V 150°C 1a 130pf @ 0v，1MHz
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL，L1Q 1.1500
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R30 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 66A（TA），45A （TC） 4.5V，10V 6.3MOHM @ 22.5A，10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W（ta），54W（TC）
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W，RVQ 1.7400
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK6P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 6.2a（ta） 10V 820MOHM @ 3.1A，10V 3.7V @ 310µA 12 nc @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 V - 60W（TC）
CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09（TE85L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOD-123F CRG09 标准 S-Flat（1.6x3.5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） CRG09（TE85LQM） Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 700 mA 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8111 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 11a（11a） 4V，10V 12MOHM @ 5.5A，10V 2V @ 1mA 107 NC @ 10 V ±20V 5710 PF @ 10 V - 1W（ta）
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W，RQ 1.9100
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 7.8A（ta） 10V 670MOHM @ 3.9A，10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 pf @ 300 V - 80W（TC）
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972，T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1972 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 400 v 500 MA 10µA（ICBO） PNP 1V @ 10mA，100mA 140 @ 20mA，5V 35MHz
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H，LQ 2.7700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 4-VSFN暴露垫 SIC （碳化硅） 4-DFN-EP（8x8） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C 8a 520pf @ 1V，1MHz
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage TTC009，f（m -
RFQ
 ECAD 2791 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TTC009 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 80 V 3 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 100mA，1a 100 @ 500mA，5V 150MHz
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H，LQ s -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCC8067 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 9a（9a） 4.5V，10V 25mohm @ 4.5A，10V 2.3V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 10 V - 700MW（TA），15W（（（（（（（（（（（
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1967 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV（TPL3） 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2119 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 120 @ 1mA，5V 1 kohms
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47（TE85L，Q） -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±10％ -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F CRZ47 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 （1 （无限） CRZ47TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 37.6 V 47 V 65欧姆
2SD2206(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206（t6cano，f，m -
RFQ
 ECAD 8223 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2206 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2097（TE16L1，NQ） 0.8000
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SA2097 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 5 a 100NA（ICBO） PNP 270mv @ 53mA，1.6a 200 @ 500mA，2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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