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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
RN2110，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2110		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
TK3A90E，S4X	1.2300	RFQ	50	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TK3A90ES4X	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	900 v	2.5a（ta）	10V	4.6ohm @ 1.3a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SSM6J808R，LXHF	0.7700	RFQ	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J808	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP-F	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	40 V	7a（ta）	4V，10V	35mohm @ 2.5a，10v	2V @ 100µA	24.2 NC @ 10 V	+10V，-20V	1020 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
RN2906FE，LF（ct	0.2500	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2906		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000																				50V	100mA			500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
2SA1954BTE85LF	-	RFQ	7205	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1954		100兆	SC-70	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				12 v	500 MA			100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，200mA	500 @ 10mA，2V	130MHz
TJ40S04M3L （T6L1，NQ	1.7200	RFQ	1939年	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ40S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	40 V	40a（ta）	6V，10V	9.1mohm @ 20a，10v	3V @ 1mA	83 NC @ 10 V	+10V，-20V	4140 pf @ 10 V	-	68W（TC）
TK11S10N1L，LXHQ	0.9700	RFQ	1392	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK1110	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	100 v	11a（11a）	4.5V，10V	28mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 10 V	-	65W（TC）
2SC3074-y（Q）	-	RFQ	5361	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC3074		1 w	PW-MOLD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	200																				50 V	5 a			1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	120 @ 1A，1V	120MHz
TK3R1E04PL，S1X	1.4400	RFQ	50	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK3R1E04	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，4.5V	2.4V @ 500µA	63.4 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 20 V	-	87W（TC）
TPHR9203PL1，LQ	1.7200	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8 SOP Advance（5x5.75）	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.92MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 500µA	81 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 15 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPH5200FNH，L1Q	2.9500	RFQ	11	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH5200	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	250 v	26a（TC）	10V	52MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 100 V	-	78W（TC）
RN1901FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1901		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA			500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	4.7kohms
SSM6L61NU，LF	0.4500	RFQ	132	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6L61	MOSFET （金属 o化物）	-	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			20V	4a		-	-	-		-	-
TPH2R608NH，L1Q	1.5400	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH2R608	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	75 v	150a（TC）	10V	2.6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	6000 PF @ 37.5 V	-	142W（TC）
1SV228TPH3F	0.4400	RFQ	20	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SV228			S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000																			13.7pf @ 8v，1MHz			1对普通阴极	15 v								2.6	C3/C8	-
XPN12006NC，L1XHQ	1.2300	RFQ	10	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPN12006	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance-WF （3.1x3.1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	60 V	20a	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 200µA	23 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V		65W（TC）
RN1417，LF	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1417		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	4.7科姆斯
TK35E10K3 （S1SS-Q）	-	RFQ	8927	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	TK35E10	-		TO-220	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK35E10K3S1SSQ	Ear99	8541.29.0095	50			-		-		-	-				-	-
XPW4R10ANB，L1XHQ	2.3200	RFQ	22	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜175°C	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	70a	6V，10V	4.1MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 1mA	75 NC @ 10 V	±20V	4970 pf @ 10 V	标准	170W（TC）
TPN4R203NC，L1Q	0.4595	RFQ	1481	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN4R203	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	23a（23A）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 11.5A，10V	2.3V @ 200µA	24 NC @ 10 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	700MW（TA），22W（22W）TC）
RN1102，LXHF（ct	0.3300	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1102		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
SSM3J355R，LF	0.4200	RFQ	51	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J355	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	30.1MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	16.6 NC @ 4.5 V	±10V	1030 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TDTC143E，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC143		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
CES521，L3F	0.1800	RFQ	64	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	CES521	肖特基		ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												30 V	500 mV @ 200 ma	30 µA @ 30 V	125°c （最大）	200mA	26pf @ 0v，1MHz
RN2902FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2902		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA			500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
tk13a50da sta4，q，m	2.7100	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	500 v	12.5A（TA）	10V	470MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 25 V	-	45W（TC）
RN2112，LXHF（ct	0.0624	RFQ	9359	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2112		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma			100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
2SA1971（TE12L，F）	0.6500	RFQ	900	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			500兆	PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1,000																				400 v	500 MA			10µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	140 @ 100mA，5V	35MHz
TK190U65Z，RQ	2.9200	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	650 v	15A（TA）	10V	190MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 610µA	25 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 300 V	-	130W（TC）
RN1903，LF（ct	0.2700	RFQ	55	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1903		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA			100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²